【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种只读存储器(ROM)阵列以及制造该阵列之方法，可以使用在单一半导体圆片上与微处理器形成微控制器，或作为独立的存储器装置，亦能当作任何需要只读存储器之电子圆片的一部分。当使用只读存储器的电子装置和器具变成越来越复杂，以及为了使其有“使用者亲和性”，它们需要更大量的存储空间，以储存执行程序所必需的软件，因此，不是会增加某些特殊圆片上之只读存储器数目，使得圆片的成本提高，尺寸加大而造成利润降低，就是在装置本身需提供附加的存储器圆片。因此，我们需要一种存储器阵列，其结构可使由各个金属氧化物(MOS)晶体管所组成之存储器单元在阵列上的排列尽可能地紧密，以便在半导体圆片的有限区域内增加数据储存容量。目前已提出许多尝试增加只读存储器单元密度的解决方案。在1985年5月30日出版之第EP 0109853号欧洲专利申请中，描述了在有许多连续扩散线(位线)而这些扩散线交互被当作若干金属氧化物晶体管源极和漏极区域之半导体衬底上所形成的金属氧化物晶体管阵列。在扩散线上方形成与扩散线绝缘且垂直交叉之多个传导字线；每个传导字线被用做金属氧化物晶体管的栅极。因而在存储器...
【技术保护点】
一种形成在具有一个或多个为一个或多个第一隔离区包围的作用区硅衬底上的只读存储器阵列，该阵列形成于单一作用区内而由一个或数个只读存储器库所组成，每一个只读存储器库包含多条在硅衬底上由相互平行的第一导电型区域形成的位线以及许多平行排列在位线上面且与位线垂直的导电层所形成的多条字线，其中相邻位线的相邻部分形成一个数据单元晶体管的源极与漏极，而延伸在位线相邻部分间字线之一部分形成数据单元晶体管的栅极，该只读存储器阵列更包含与第一导电型相反型的第二导电型隔离区，此区系由植入杂质而形成在相邻的数据单元晶体管间，其中选定的数据单元晶体管藉对选定的数据单元晶体管字线下方相邻位线间之通道区植入杂质而程序化。
【技术特征摘要】
SG 1996-11-29 9611480-61.一种形成在具有一个或多个为一个或多个第一隔离区包围的作用区硅衬底上的只读存储器阵列，该阵列形成于单一作用区内而由一个或数个只读存储器库所组成，每一个只读存储器库包含多条在硅衬底上由相互平行的第一导电型区域形成的位线以及许多平行排列在位线上面且与位线垂直的导电层所形成的多条字线，其中相邻位线的相邻部分形成一个数据单元晶体管的源极与漏极，而延伸在位线相邻部分间字线之一部分形成数据单元晶体管的栅极，该只读存储器阵列更包含与第一导电型相反型的第二导电型隔离区，此区系由植入杂质而形成在相邻的数据单元晶体管间，其中选定的数据单元晶体管藉对选定的数据单元晶体管字线下方相邻位线间之通道区植入杂质而程序化。2.根据权利要求1的只读存储器阵列，其中的第一导电型是属于N+型，而第二导电型是属于P+型。3.根据权利要求2的只读存储器阵列，其中的第二导电型是藉由植入硼离子而形成。4.根据以上任何一项权利要求的只读存储器阵列，其中包围一个或数个作用区的第一隔离区是由氧化场形成。5.根据以上任何一项权利要求的只读存储器阵列，其中的字线由多晶硅形成。6.根据以上任何一项权利要求的只读存储器阵列，其中形成字线的多晶硅淀积于生成在字线上方的硅衬底上的氧化栅层上。7.根据以上任何一项权利要求的只读存储器阵列，其中的第二型隔离区是藉由植入硼离子而形成。8.根据以上任何一项权利要求的只读存储器阵列，其中选定的数据单元晶体管藉由植入硼离子而被程序化。9.根据以上任何一项权利要求的只读存储器阵列，其中至少有些在阵列中形成的不必要的晶体管被植入硼离子而形成隔离区。10.根据以上任何一项权利要求的只读存储器阵列，其中的多条位线包括第一组及第二组位线，第一组与第二组位线交互置放，该阵列更包含至少一列接点，每一个第一组的位线直接或间接分别耦合一接点，而第二组的每一位线选择性地耦合到第一组相邻位线所耦合之接点中相邻的两个接点，第一选择线及第二选择线延伸在该列位线之上而平行于字线，以便将被读入经由一位线从一接点所选定位于两相邻接点间一条路径内之晶体管单元及一相邻位线选择性地耦合至该相邻接点。11.一种只读存储器阵列，包含许多对位线及许多接点，各对中之第一位线分别耦合至一接点，而各对中之第二位线藉由一条第一选择线选择性地耦合到相同的各接点，垂直于各对位线上面之字线在一对位线之间及相邻对的邻近位线之间均形成晶体管单元，第二选择线选择性地耦合到相邻对的相邻位线，其中在一特定对之第一与第二位线间形成之晶体管单元可被第一选择线读取，第一选择线被控制使得该特定对之第二位线并不耦合至各接点而第二选择线则被控制使得该特定对之第二位线耦合至相邻对之第一位线，以及其中，形成在第一对的第二位线及一相邻对的第一位线间之晶体管单元可被第一选择线读取，第一选择线被控制能使第一对的第二位线耦合到相关接点，而第二选择线被控制使得第一对的第二位线并不经由第二选择线耦合到相邻的第一位线。12.一...
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