半导体存储器制造技术

本发明专利技术揭示一种半导体存储器，包括将二极管（１）、（２）与单元板极线（３０）、（４０）上。因此，在进行再写入动作的场合，即使例如寄生电阻（３）存在于单元板极线（３９），也能防止在成为数据丢失原因的单元板极线（３９）暂时地转移到过渡的负电压（例如－１Ｖ以下）的过渡现象的发生。这种非易失性的半导体存储器在进行再写入动作的场合不会丢失存储器单元的逻辑电压“Ｌ”的数据、能进行稳定的动作。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使用强电介质电容器的半导体存储器。
技术介绍
在半导体存储器中，主要采用在半导体器件内形成的存储器单元电容器中积蓄电荷、并根据其电荷的有无存储数据的方式(一般将动态方式存储器称为DRAM)。这种存储器单元电容器，以往使用硅氧化膜作为电容绝缘膜。最近，设计出使用强电介质材料作为存储器单元电容器的电容绝缘膜，实现存储数据的非易失性的半导体存储器。下面，对使用强电介质膜作为存储器单元电容器的电容绝缘膜的半导体存储器进行说明。图9表示以往的半导体存储器的电路结构图。在图9中，30a～30d是存储器单元，31a～31d是存储器单元晶体管。32、34是字线，33a～33d是存储器单元电容器。35～38是位线，39、40是单元板极线。41、42是读出放大器，43～46是位线预充电用晶体管，BLP是位线预充电控制信号，SAE是读出放大器控制信号。如图9所示，以往的半导体存储器的电路结构是将位线(BL0)35，位线(/BL0)36与读出放大器41相连。将2个存储器单元30a，30b与这些位线35，36上。在存储器单元30a上设置2个存储器单元电容器33a和2个MOS晶体管。这2个存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器，其特征在于，包括： 利用强电介质构成的强电介质电容器； 分别设置单个或者多个所述强电介质电容器的利用所述强电介质的极化状态对信息进行存储的多个存储器单元； 用于选择所述存储器单元的、与所述存储器单元连接的字线； 在从被选择的所述存储器单元读出所述信息时使用的、与所述存储器单元相连的数据线； 在所述信息的读出和再写入中使用的、与所述存储器单元相连的单元板极线； 和在对于所述强电介质电容器进行所述再写入的动作时，使施加在所述单元板极线上的电压稳定的稳压手段。

【技术特征摘要】
JP 1996-4-19 98269/961.一种半导体存储器，其特征在于，包括利用强电介质构成的强电介质电容器；分别设置单个或者多个所述强电介质电容器的利用所述强电介质的极化状态对信息进行存储的多个存储器单元；用于选择所述存储器单元的、与所述存储器单元连接的字线；在从被选择的所述存储器单元读出所述信息时使用的、与所述存储器单元相连的数据线；在所述信息的读出和再写入中使用的、与所述存储器单元相连的单元板极线；和在对于所述强电介质电容器进行所述再写入的动作时，使施加在所述单元板极线上的电压稳定的稳压手段。2.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述稳压手段还具有将负极侧与所述单元板极线上，而且将正极侧与接地电位的部位上的二极管。3.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述稳压手段还具有将漏极与所述单元板极线上，而且将栅极和源极与接地电位的部位上的N型晶体管。4.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述稳压手段还具有将一个电极与所述单元板极线上，而且将另一个电极与接地电位的部位上的第2强电介质电容器。5.如权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述字线和所述数据线...

【专利技术属性】
技术研发人员：中根治，森信行，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]