【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种静态感应器件。静态感应器件，即结型功率场控器件，具有功率大，速度快的优点。静态感应器件包括静态感应晶体管及其复合管，如静态感应晶体管SIT、静态感应晶闸管SITH、双极型静态感应晶体管BSIT、联栅晶体管GAT等等。已有的静态感应器件的结构基本分为隐埋栅结构和表面栅结构两种。日本专利JP平-3218677是一种典型的表面栅结构。表面栅结构，其棚区采用深度扩散的方法形成。栅区在往深处扩散的同时，也等比例地往横向扩散，造成栅的重复间距大，结构松散。而隐埋栅结构，其栅电流是通过埋在体内的高掺杂硅区传输的，高掺杂区的电阻率比较高，至使栅电阻大，栅的偏压效应严重。因此，已有的这两种结构，都影响了静态感应器件的电流能力，功率容量和开关速度。本专利技术的目的是通过改善栅区结构，提供一种电流能力更强、输出功率更高、开关速度更快的静态感应器件。静态感应器件的基本结构如附图说明图1所示，它的源区(3)在硅衬底片(4)的上表面，源区(3)上有源金属层(1)，它的漏区(7)在硅衬底(4)的下部，在漏区(7)下面，有漏金属层(8)。在源区(3)的侧面有栅区(6)，通...
【技术保护点】
一种静态感应器件，它的源区（３）在硅衬底片（４）的上表面，源区（３）上有源金属层（１），它的漏区（７）在硅衬底（４）的下部，在漏区（７）下面有漏金属层（８），在源区（３）的侧面有栅区（６），通过源区（３）和漏区（７）的电流受栅区（６）的电压的控制，它可以与其它的管子组成复合管，其特征是：①栅（６）呈槽形，栅槽上覆盖着一导层良导体，良导体为金属（１０）、金属硅化物（５）或者是金属（１０）与金属硅化物（５）的复合层。②栅良导体层上面覆盖着绝缘层（２）。③源金属层（１） 覆盖着源区（３）及栅良导体层上的绝缘层（２）。
【技术特征摘要】
1.一种静态感应器件，它的源区(3)在硅衬底片(4)的上表面，源区(3)上有源金属层(1)，它的漏区(7)在硅衬底(4)的下部，在漏区(7)下面有漏金属层(8)，在源区(3)的侧面有栅区(6)，通过源区(3)和漏区(7)的电流受栅区(6)的电压的控制，它可以与其它的管子组成复合管。其特征是①栅(6)呈槽形，栅槽上覆盖着一导层良导体，良导体为金属(10)、金属硅化物(5)或者是金属(10)与金属硅化物(5)的复合层。②栅良导体层上面覆盖着绝缘层(2)。③源金属层(1)覆盖着源区(3)及栅良导体层上的绝缘层(2)。2...
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