使用电子束辐照固化旋涂玻璃膜的方法技术

一种在半导体衬底上固化旋涂玻璃材料的方法，包括以下步骤： 在真空室中在半导体衬底上放置或留下旋涂玻璃层； 用大面积的电子束辐照旋涂玻璃层，以对旋涂玻璃层的整个表面进行基本上均匀的曝光，并有足够的能量穿过层的整个厚度；以及 继续辐照步骤以达到足以固化旋涂玻璃层的剂量水平； 同时加热旋涂玻璃层，但将膜保持在较低的温度； 因而没有龟裂或其它损伤地固化旋涂玻璃层。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
专利
本专利技术总地涉及半导体器件的制造，特别涉及半导体器件中使用的旋涂玻璃(通常称做SOG)的固化方法。现有技术介绍在制造超大规模集成电路中，多级互连使用的层间介质要求在大高宽比的空隙(金属导体之间)中填充空隙充填剂并且具有高平坦度的形貌 (平面化)。要满足这些要求，现已研究了大量的层间介质形成工艺。现已开发了以四乙基原硅酸盐(TEOS)为基础的化学气相淀积(CVD)、与化学机械抛光(CMP)结合的偏置的高密度等离子体CVD。然而这些技术存在着许多问题，包括产生颗粒、工艺的可靠性、成本和空隙的填充能力。现已使用了旋涂玻璃工艺，与其它工艺相比，旋涂玻璃工艺更简易、空隙填充和平面化较好。在集成电路的工艺技术中，制造高成品率的可靠内连结构要求淀积均匀厚度的金属化层并随后形成图案，同时要保持临界尺寸和线宽度。除非在金属化步骤之前平面化衬底，否则很难实现这些工艺目标。即，层间介质必须填充较下内连紧密排列的金属线垂直壁之间的空间，以便产生平坦的形貌。但旋涂玻璃的材料受到厚度的限制，当制作厚层并固化时，趋于龟裂。旋涂玻璃液体由聚合物的硅氧网组成，该液体是硅氧烷的一种，溶解在有机溶剂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在半导体衬底上固化旋涂玻璃材料的方法，包括以下步骤在真空室中在半导体衬底上放置或留下旋涂玻璃层；用大面积的电子束辐照旋涂玻璃层，以对旋涂玻璃层的整个表面进行基本上均匀的曝光，并有足够的能量穿过层的整个厚度；以及继续辐照步骤以达到足以固化旋涂玻璃层的剂量水平；同时加热旋涂玻璃层，但将膜保持在较低的温度；因而没有龟裂或其它损伤地固化旋涂玻璃层。2.根据权利要求1的方法，其中真空环境为在10-40毫乇范围内的较高真空压力的低真空。3.根据权利要求1的方法，其中固化工艺在小于约250℃的峰值温度下进行。4.根据权利要求1的方法，其中加热步骤包括直接在旋涂玻璃层处起动红外加热器。5.根据权利要求1的方法，其中加热步骤提供的剂量在2500-10000C/cm2范围内。6.一种在半导体衬底上固化旋涂玻璃材料的方法，包括以下步骤在真空室中在半导体衬底上放置或留下旋涂玻璃层；用大面积的电子束辐照旋涂玻璃层，以对旋涂玻璃层的整个表面进行基本上均匀的曝光，并有足够的能量穿过层的整个...

【专利技术属性】
技术研发人员：W·R·利维沙，M·F·罗斯，A·L·鲁比尔勒斯，
申请(专利权)人：联合讯号公司，
类型：发明
国别省市：