【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种含有一个带有由具有高介电常数的介电材料或铁电材料所组成的介电膜的电容器的。近来，随着由微计算机更快的处理速率和更低的功耗所造成的电气和电子用具功能的日益先进，微计算机内的半导体器件的尺寸也急剧减小。伴随出现了产生不需要的辐射的严重问题，这种辐射就是电气和电子用具所产生的电磁波噪声。为了减少这种不需要的辐射，把大电容量的电容器加入到半导体器件内的技术已成为受注目的焦点，这种电容器含有由具有高介电常数的介电材料所组成的介电膜(以下称作“高介电常数材料膜”)。此外，随着更高集成度的动态RAM(DRAM，动态随机访问存储器)的发展，广泛地开展了在电容器中使用高介电常数材料膜代替使用的氧化硅膜和氮化硅膜的技术的研究。还有，为了实现能工作于较低电压并给出较高读/写速率的永久性RAM，对具有自发极化性质的铁电材料膜也进行了积极的研究。在实现具有上述这些特性的半导体器件时，最重要的是要开发一种能在不损害电容器特性的情况下进行多层互连的结构和一种制作这种结构的方法。下面将参考附图说明图10A至10E(截面图)说明制作半导体器件500的一种典型的常用方法。如图...
【技术保护点】
一种半导体器件，它包括：一个电容器，它设置在一个其上带有一个集成电路的支持基底上，并含有一个定电极、一个介电膜、和一个上电极；一个第一层间绝缘膜，它设置得覆盖住电容器；一个第一互连极，它有选择地设置在第一层间绝缘膜上，并通过形成 在第一层间绝缘膜中的第一接触孔与集成电路和电容器发生电连接；一个第二层间绝缘膜，它由臭氧ＴＯＥＳ形成，并设置得覆盖住第一互连极；一个第二互连极，它有选择地设置在第二层间绝缘膜上，并通过形成在第二层间绝缘膜中的第二接触孔与第一互连极发 生电连接；以及一个第三层间绝缘膜，它设置得覆盖住第二互连极。
【技术特征摘要】
JP 1997-6-24 166991/971.一种半导体器件，它包括一个电容器，它设置在一个其上带有一个集成电路的支持基底上，并含有一个定电极、一个介电膜、和一个上电极；一个第一层间绝缘膜，它设置得覆盖住电容器；一个第一互连极，它有选择地设置在第一层间绝缘膜上，并通过形成在第一层间绝缘膜中的第一接触孔与集成电路和电容器发生电连接；一个第二层间绝缘膜，它由臭氧TOES形成，并设置得覆盖住第一互连极；一个第二互连极，它有选择地设置在第二层间绝缘膜上，并通过形成在第二层间绝缘膜中的第二接触孔与第一互连极发生电连接；以及一个第三层间绝缘膜，它设置得覆盖住第二互连极。2.根据权利要求1的半导体器件，其中的介电膜或者由高介电常数的介电材料组成，或者由铁电材料组成。3.根据权利要求1的半导体器件，其中的第二互连极设置在第二层间绝缘膜上，并至少覆盖住电容器的一部分。4.根据权利要求1的半导体器件，其中的第三层间绝缘膜由一个含有一个氧化硅膜和一个氮化硅膜的夹层组成。5.根据权利要求1的半导体器件，它还包括一个供氢层，后者设置在第一互连极和第二层间绝缘膜之间的除了设置有电容器的区域的区域中。6.根据权利要求1的半导体器件，其中的第一互连极由一个含有钛膜、氮化钛膜、铝膜、和氮化钛膜的夹层；一个含有钛膜、氮化钛膜和铝膜的夹层；一个含有钛膜、钛钨合金膜、铝膜和钛钨合金膜的夹层；或者一个含有钛膜、钛钨合金膜和铝膜的夹层组成。7.根据权利要求1的半导体器件，其中第二保护绝缘膜的Si-OH键吸收系数在对应于3450cm-1的波长处在800cm-1或更小。8.根据权利要求1的半导体器件，其中的第二层间绝缘膜具有1×107dyn/cm2至3×109dyn/cm2的张应力。9.根据权利要求1的半导体器件，其中的第二层间绝缘膜具有0.3μm至1μm的厚度。10.根据权利要求1的半导体器件，其中的第二互连极由一个含有钛膜、铝膜和氮化钛膜的夹层；一个含有钛膜和铝膜的夹层；或者一个含有钛膜、铝膜和钛钨合金膜的夹层组成。11.一种制作半导体器件的方法，它包括以下步骤在一个带有集成电路的支持基底上依次地形成一个下电极、一个介电膜和一个上电极，由此形成一个电容器；形成一个第一层间绝缘膜，并使之覆盖住电容器；在第一层间绝缘膜中形成第一接触孔；在第一接触孔内和在第一层间绝缘膜的预定区域上有选择地形成第一互连极，并使之与集成电路和电容器发生电连接；形成一个臭氧TOES的第二层间绝缘膜，并使之覆盖住第一互连极；对第二互连极进行第一热处理；在第二层间绝缘膜中形成第二接触孔；在第二接触孔内和第二层间绝缘膜的预...
【专利技术属性】
技术研发人员：长野能久，久都内知惠，十代勇治，上本康裕，藤井英治，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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