【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制造半导体器件时使用的一种选择刻蚀方法，以及采用选择刻蚀法制造双极性晶体管的方法。
技术介绍
集成电路的设计和制造趋势趋向于各个器件逐渐小型化，而其性能逐渐增强。例如，双极性晶体管的尺寸在水平和垂直方向上逐渐缩小，以便增加组合密度和晶体管速度。同时制造精度越来越重要，不但对于各个生产阶段来说是这样，而且对于不同层之间的调整也是如此。在目前双极性高频晶体管的制造中通常采用一种自对准的基极-发射极结构(T.H.Ning等人，“自对准的npn双极性晶体管”，IEDM Techn.Dig.，第823-824页，1980)工艺，该工艺能够使晶体管元件制作得较小，当非本征基极与本征基极在发射极附近相连时，可使基极-收集极电容以及基极电阻降低。本专业技术人员熟知该方法的各种方案。美国专利5,266,504描述了一种制造自对准的双极性晶体管的方法，其中基极外延生长，发射极通过沉积非晶硅层后再接着沉积多晶硅层而形成，此后对该结构制作布线图案并刻蚀。然后通过SPE(固相外延生长)，使非晶硅层再结晶。该方法能够提供一种薄基极，以及清晰且好控制的发射极-基极接合。美国...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种在制造半导体器件中的选择刻蚀方法，其特征在于-在同一半导体材料的晶体衬底(1)上沉积半导体材料的非晶形层(6)；-在非晶形层(6)上沉积至少一层介质层(7)，以防止上述非晶形层(6)晶化；以及-对得到的结构(8)制作布线图案，此后在预定区或区域(9)内刻蚀掉介质层(7)和非晶形半导体层(6)。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于通过PECVD、SACVD、MBE工艺或自旋涂敷工艺沉积介质层(7)。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于由PETEOS形成介质层(7)。4.根据权利要求1-3中任一权利要求所述的方法，其特征在于借助于CVD工艺在衬底(1)上沉积非晶形层(6)。5.根据权利要求1-4中任一权利要求所述的方法，其特征在于在250-400℃的温度范围内沉积介质层(7)。6.根据权利要求1-5中任一权利要求所述的方法，其特征在于采用硅作半导体材料。7.一种制造具有自对准基极-发射极结构的双极性晶体管的方法，其特征在于-在晶体硅的衬底(1)上沉积一层非晶硅层(6)，该衬底具有第一导体型的上部区域(3-4)；-用掺杂剂在非晶硅层(6)上掺杂，以形成第二导体型；-用防止非晶硅层(6)晶化的方法，在非晶硅层(6)上沉积至少一层介质层(7)；-对得到的结构(8)制作布线图案，此后在预定区域内刻蚀掉介质层(7)和非晶硅层(6)，以限定一个发射极开口(9)；-在得到的结构上生长热氧化物(10)，使非晶硅层(6)转变成多晶硅层(6’)；-通过穿过...
【专利技术属性】
技术研发人员：H·诺斯特姆，
申请(专利权)人：艾利森电话股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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