一种投射光刻的投射曝光设备(1)，包含用于产生照明光(4)的光源(3)。照明光学单元(5)将所述光引导至物场(14)。具有带有至少一个弯曲反射镜的折反射式投射光学单元(11)将所述物场(14)中的物(7)成像至像场(14a)中的基板(1...

一种光学部件(40)，包含：反射镜阵列(22)，该反射镜阵列具有多个反射镜元件(23)，多个反射镜元件各连接到用于位移的至少一个致动器(131)；用于致动器到外部的信号传输连接的多个信号线(47)；用于预定单独反射镜元件(23)的绝对位...

用于投射光刻的照明光学单元(32)利用照明光(14)照明物场(5)，要成像的物可布置在物场中。照明光学单元具有集光器，聚集用于光源对照明光(14)的发射。集光器布置成其将来自光源的照明光(14)转移至中间焦点(16)。照明光学单元(32...

本发明涉及一种光学元件(21)，包括基板(30)和反射涂层(31)。尤其对于EUV辐射的反射，反射涂层(31)具有多个层对，所述多个层对具有由高折射率材料和低折射率材料构成的交替层(33a,33b)，其中，由磁致伸缩材料构成的至少一个活...

一种投射曝光设备(1)中照明物场(5)的照明光学单元(4)，包括：具有一结构的第一分面反射镜(13)，该结构在至少一个方向上具有至少0.2mm-1的空间频率；以及第二分面反射镜(14)，其包括多个分面(14a)，其中所述分面(14a)分...

微光刻投射曝光设备的照明系统(10)中的微反射镜阵列(22)的微反射镜(24)，可关于两个倾斜轴(x、y)通过各倾斜角度(αx、αy)倾斜。微反射镜(24)被分配三个驱动器(E1、E2、E3)，所述三个驱动器可以通过控制信号(U1、U2...

本发明涉及一种对于0°和25°之间的至少一个入射角具有大于40％的反射率的EUV波长范围的反射镜(1)，包含：基板(S)和层布置，其中所述层布置包含至少一个非金属单独层(B,H,M)，以及其中所述非金属单独层(B,H,M)掺杂有介于10...

本发明涉及一种尤其在EUV中运行的微光刻投射曝光设备的光学系统，包含：至少一个偏振影响布置(100,200,...)，其具有第一反射表面(110,210,...)和第二反射表面(120,220,...)，其中该第一反射表面(110,21...

一种EUV投射光刻的照明光学系统(26)，用于将照明光(16)引导至照明场(5)，该照明场中可布置光刻掩模(7)。具有多个分面(25)的分面反射镜(19)用于将照明光(16)引导至照明场(5)。分面(25)中的每一个指定相应照明通道(2...

本发明涉及一种微光刻投射曝光设备的照明系统，其包含：(a)多个通道，每个通道引导部分光束且至少一个通道包含至少一个缺陷；及(b)至少一个光学元件，其布置在具有该至少一个缺陷的该至少一个通道中，该光学元件适配于至少部分补偿该通道的部分光束...

一种用于测量EUV镜头(30)的成像质量的测量系统(10)，包括：衍射测试结构(26)；测量光辐射装置(16)，构造成将EUV波长范围中的测量光(21)辐射至测试结构；变更装置(28)，用于改变借助镜头实现的测试结构的成像的至少一个像确...

一种微光刻投射曝光设备(10)的投射物镜，包含波前校正装置(42)，其包含：第一折射光学元件(44)和第二折射光学元件(54)。第一折射光学元件包含第一光学材料，对于所述设备的工作波长，所述第一光学材料具有随温度增加而减小的折射率。第二...

一种投射曝光设备的照明光学单元(25)，用于将照明光(16)引向照明场(5)，光刻掩模(7)可布置在照明场(5)中。第一分面反射镜(19)具有多个单独反射镜(26)，所述多个单独反射镜(26)提供将照明光部分束(16i)引向照明场(5)...

一种光刻装置(10)，包括抑制光刻装置(10)的结构元件(13)的运动的涡电流制动器(30，70)。涡电流制动器(30，70)包括以弧形布置设置的多个磁体以及分别布置在所述磁体中的相邻磁体之间的多个导电片(35，67)。磁体和导电片之间...

一种微光刻的投射曝光设备(10)，包括测量投射曝光设备的光学元件的测量系统(50)。测量系统(50)包括：照射装置(54)，其构造成在不同方向(64)上将测量辐射(62)辐射至光学元件(20)，使得对于不同入射方向(64)，测量辐射(6...

一种投射镜头(PO)，该投射镜头利用具有来自极紫外范围(EUV)的工作波长λ的电磁辐射，将布置在该投射镜头的物平面(OS)中的图案成像于该投射镜头的像平面(IS)中，该投射镜头包含多个反射镜(M1-M6)，该多个反射镜具有反射镜表面，该...

一种微光刻的掩模，包含：基板(SUB)；基板上的第一图案区域(PA1)，该第一图案区域包含第一图案(PAT1)，其在掩模扫描方向上延伸第一长度(L1)且在与掩模扫描方向垂直的方向上延伸第一宽度(W1)；以及基板上在掩模扫描方向上邻近第一...

本发明涉及一种用于微光刻投射照明的设备(10)、用于检查基底(20)的表面的设备(110)及其相关方法。一种用于微光刻投射曝光的设备(10)，包括：光学系统(18)，用于通过利用成像辐射(15)投射掩模结构(16)而将所述掩模结构(16...

本发明涉及一种光学布置，尤其是用于微光刻的投射镜头，包括：至少一个光学元件(21)，其包括光学表面(31a)和基板(32)，其中，所述基板(32)由一材料形成，所述材料的取决于温度的热膨胀系数在与参考温度Tref有关的零交叉温度ΔTZC...

一种用于EUV辐射(14)的反射镜(20)，包含总反射表面(24)，该总反射表面具有第一EUV辐射反射区和至少一个第二EUV辐射反射区，其中所述EUV辐射反射区在结构上彼此定界开，所述第一区包含至少一个第一部分反射表面(22)，所述第一...