【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有涡电流制动器的光刻装置相关申请的交叉引用本申请基于并要求于2012年2月20日提交的现有德国专利申请No.102012202553.7的优先权的权益,该德国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
本专利技术涉及一种具有制动(damping)光刻装置的结构元件的涡电流制动器的光刻装置。
技术介绍
例如,这种光刻装置用于制造集成电路或IC,以将掩模中的掩模图案成像在基板上,比如硅晶片上。在该过程中,例如,由照明装置产生的光束经由掩模被引导至基板。曝光镜头设置用于将光束聚焦在基板上,其中,所述镜头可由多个光学元件组成,比如反射镜和/或透镜元件。关于镜头的对准,单独的光学元件应当尽可能精确地定位,因为即使光学元件位置的小偏差也会对成像图案产生不利影响,这会在制造的集成电路中导致缺陷。为此,重要的是抑制光学元件中的振动等。WO2010/094684A1公开了一种具有光学元件的投射曝光设备,光学元件经由致动器系统附接至外框架(例如,参见图3及相关描述)。致动器系统可具有压电履带、压电致动器、圆筒式线圈(cylindercoil)或涡电流制动器。US2007/0153348A1公开了一种涡电流阻尼器,其包括杆、联接到杆的一系列导电板和磁体层。交替层具有交替的磁场。当光学元件移动时,光学元件会对杆施加力。杆使导电板相对于交替磁体层移动,以在每个导电板内产生涡电流,使得涡电流抑制光学元件的运动。US2002/0109437A1讨论了抑制用于光学元件的冷却剂通道中的振动。为此,提出了通过传感器采集振动,将该采集的结果反馈回致动器,致动器实施为压电元件。致动器产生与液体中的湍 ...
【技术保护点】
一种光刻装置(10),包括抑制所述光刻装置(10)的结构元件(13)的运动的涡电流制动器(30,70),所述涡电流制动器(30,70)包括:以弧形布置设置的多个磁体(40…43;66;82;92);以及多个导电片(35,67),分别布置在所述磁体(40…43;66;82;92)的相邻磁体之间;所述磁体(40…43;66;82;92)和所述导电片(35,67)之间在要制动的方向上的相对运动在所述导电片(35,67)中感应出涡电流。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.02.20 DE 102012202553.71.一种光刻装置(10),包括抑制所述光刻装置(10)的结构元件(13)的运动的涡电流制动器(30,70),所述涡电流制动器(30,70)包括:以弧形布置设置的多个磁体(40…43;66;82;92);以及多个导电片(35,67),分别布置在所述磁体(40…43;66;82;92)的相邻磁体之间;所述磁体(40…43;66;82;92)和所述导电片(35,67)之间在要制动的方向上的相对运动在所述导电片(35,67)中感应出涡电流,所述光刻装置还包括保持所述磁体的保持器装置(31),所述保持器装置包括基底部分(31a)和容座部分(31b),其中,所述容座部分(31b)刚性连接至所述结构元件(13),所述基底部分(31a)和所述容座部分(31b)通过弹簧元件(34)互连。2.如权利要求1所述的光刻装置(10),其中,所述磁体布置在分别包括多个磁体的磁体堆(40…43;66-1…66-12;82-1…82-12;92-1…92-12)中。3.如权利要求2所述的光刻装置(10),其中,所述磁体堆(40…43;66-1…66-12;82-1…82-12;92-1…92-12)中的相邻磁体布置成使相邻磁体的相反极彼此邻近地布置。4.如权利要求2或3所述的光刻装置(10),包括至少两个所述磁体堆(40…43;66-1…66-12;82-1…82-12;92-1…92-12)。5.如权利要求2或3所述的光刻装置(10),其中,所述磁体堆(40…43;66-1…66-12;82-1…82-12;92-1…92-12)各包括偶数个磁体。6.如上述权利要求1至3任一项所述的光刻装置(10),其中,由弧形布置限定的弧延伸至少30°的角。7.如上述权利要求1至3任一项所述的光刻装置(10),其中,由弧形布置限定的弧延伸360°的角。8.如上述权利要求1至3任一项所述的光刻装置(10),其中,所述磁体以圆弧形布置设置。9.如上述权利要求1至3任一项所述的光刻装置(10),其中,所述磁体是梯形的。10.如权利要求1至3任一项所述的光刻装置(10),其中,所述弹簧元件(34)是腹板。11.如权利要求10所述的光刻装置(10),其中,所述腹板在所述容座部分(31b)和所述基底部分(31a)之间径向延伸。12.如上述权利要求1至3任一项所述的光刻装置(10),其中,由所述磁体产生的磁场在包括由所述弧形布置限定的弧的平面中延伸,并且要制动的主方向以关于所述平面的法线成不大于45°的角度延伸。13.如权利要求12所述的光刻装置(10),其中,要制动的方向基本上平行于所述平面的法线延伸。14.如上述权利要求1至3任一项所述的光刻装置(10),其中,所述涡电流制动器(30,70)包括多个磁体组,每个磁体组的磁体以弧形布置设置在预定平面中;以及其中,相邻组的平面相对彼此倾斜,使得所述多个磁体组沿运动要被抑制的结构元件的轨迹(84,94)设置。15.如权利要求14所述的光刻装置(10),其中,所述结构元件的轨迹(84,94)是弧形的。16.如上述权利要求1至3任一项所述的光刻装置(10),其中,所述导电片(35,67)附接至所述结构元件(13)。17.如上述权利要求1至3任一项所述的光刻装置(10),其中,所述导电片(35,67)联接至定位所述结构元件(13)的致动器(50,60)的运动部件。18.如上述权利要求1至3任一项所述的光刻装置(10),其中,所述磁体附接至所述结构元件(13)。19.如权利要求1至3任一项所述的光刻装置(10),其中,所述结构元件(13)以相对于所述磁体可移动的方式布置。20.如上述权利要求1至3任一项所述的光刻装置(10),其中,所述磁体布置为柱形磁体布置(66),所述柱形磁体布置附接至定位所述结构元件(13)的致动器(50,60)的圆筒式线圈(62)。21.如上述权利要求1至3任一项所述的光刻装置(10),其中,所述结构元件(13)是光学元件。22.如上述权利要求1至3任一项所述的光刻装...
【专利技术属性】
技术研发人员:A沃格勒,M豪夫,
申请(专利权)人:卡尔蔡司SMT有限责任公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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