一种光刻设备，包含结构件；第一传感器，具有检测在第一检测方向上的物理量的第一检测区域；第二传感器，具有检测在第二检测方向上的物理量的第二检测区域，传感器座，用于将传感器，安装至结构件。第一传感器布置为使得传感器座的温度变化了预定的温度变...

本发明涉及一种EUV投射光刻的照明系统，包含：光束成形光学单元(6)，用于从基于同步加速器辐射的光源(2)的EUV原始光束(4)产生EUV聚集输出光束(7)。解耦光学单元(8)用于从所述EUV聚集输出光束(7)产生多个EUV单独输出光束...

本发明涉及光学组件，尤其是等离子体光源(1′)或EUV光刻系统，包含：壳体(2)，其包围内壳空间(3)；真空生成单元，用于在上述壳体(2)中产生真空；至少一个表面(13)，布置在所述内壳空间(3)中；清洁装置(15)，用于移除沉积在所述...

一种微光刻投射曝光设备(10)的照明系统，包含：光瞳形成单元(36)，其引导光至空间光调制器(52)上，该空间光调制器以空间解析方式透射或反射照射光。物镜(58)，将该空间光调制器(52)的光离开表面(57)成像于光学积分器(60)的光...

提供一种在尤其用于微光刻的光学成像设备中使用的光学成像设备模块(117.1)，包含光学元件支撑子结构(118.1)和辅助支撑子结构(119.1)。光学元件支撑子结构配置为支撑光学元件(106.2)，并且具有第一暂时支撑接口布置。光学元件...

本发明涉及一种光学部件(36)。在所述光学部件(36)中，光学元件(45)在横向方向(44)上固定在框架(43)中，所述框架(43)设计为其在横向方向(44)上的线性膨胀为至多0.01％，即使在光学元件(45)在横向方向(44)上的线性...

一种适用于将物场(4)成像于像场(8)中的投射光学单元(7)。多个反射镜(M1至M8)适用于将来自物场(4)的成像光(3)引导至像场(8)。反射镜(M1至M8)中的至少两个实施为用于成像光(3)的入射角大于60°的掠入射的反射镜(M2、...

适用于在EUV波长范围内的波长处使用的反射镜的基底(1)，包含基础体(2)。

提出一种EUV成像设备，其包含参考结构(250,400,500)、第一光学元件(215)以及第二光学元件(315)，其中，第一光学元件(215)借助于第一致动器(205)相对参考结构(250,400,500)是可致动的，第一致动器(20...

本发明涉及一种光学元件(50)，包含：基板(52)；以及施加于该基板(52)的多层涂层(51)，多层涂层包含：至少一个第一层系统(53)，其由相同构造的堆叠(X1至X4)的布置组成，各堆叠具有至少两个层(53a-d)；以及至少一个第二层...

一种掩模检测系统的照明光学单元(1)，用于EUV光(2)下。照明光学单元(1)的中空波导(9)用于引导照明光(2)。中空波导(9)具有照明光(2)的入射开口(7)和照明光(2)的出射开口(10)。成像反射镜光学单元(11)设置在中空波导...

本发明涉及一种尤其是微光刻投射曝光设备中的反射镜的热致动装置，所述反射镜包含反射镜基板(102，202)和光学有效表面(101，201)以及至少一个进入通道(110，111，112，210)，其从所述反射镜(100)的不对应于光学有效表...

本发明涉及电子光学排布结构、多电子分束检验系统和方法。该电子光学排布结构提供一次和二次电子束路径，一次束路径用于从一次电子源指向可定位在该排布结构的物面中的物体的一次电子束，二次束路径用于源自物体的二次电子，该结构包括磁体排布结构，其具...

本发明涉及一种用于EUV光刻的投射曝光设备中的光学布置，包括：多个光学元件(101、102)；以及承载结构(100、300)，其承载所述光学元件(101、102)，其中所述承载结构由至少两个可释放地互相连接的模块(110-140、310...

放大成像光学单元(7)用于检测用在EUV投射曝光中的光刻掩模。成像光学单元(7)包括至少两个反射镜(M1至M4)，至少两个反射镜能够相对彼此移位以改变放大值。根据另一方面，放大成像光学单元(7)包括至少一个反射镜(M1至M4)和放大值，...

一种光学系统具有光源(2)，该光源具有小于0.1mm2的原始光展量，并用于投射光刻的照明系统(5)。光学组件(13)用于同时增加光源(2)的使用发射(12)的光展量。光学组件(13)实施成所述光展量以至少10的因子增加。光学组件(13)...

一种投射镜头，用于通过具有λ<260nm的操作波长的电磁辐射将布置于该投射镜头的物平面(OS)中的图案成像至该投射镜头的像平面中，该投射镜头包含多个光学元件，其具有布置在该物平面(OS)与该像平面之间的投射光束路径中的光学表面。提...

本发明涉及一种光学元件(50)，包括：基板(52)、施加到所述基板(52)的EUV辐射反射式多层系统(51)和施加到所述多层系统(51)的保护层系统(60)，所述保护层系统具有至少第一和第二层(57,58)，其中，第一层(57)布置成比...

本发明涉及EUV光刻装置(1)的照明系统(10)，包含：第一分面反射镜(13)，具有反射EUV辐射(4)的分面元件(13a-d)；以及第二分面反射镜(14)，具有反射由第一分面反射镜(13)反射的EUV辐射(4)至照明场(BF)的分面元...

微光刻投射曝光设备的照明系统表现了布置为多镜阵列且能够经由至少一个驱动器倾斜的镜。此外，照明系统表现了用于该镜的驱动电子装置，该驱动电子装置表现了具有第一分辨率的粗数模转换器(68)、具有第二分辨率的精数模转换器(70)，以及加法器(7...