【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请要求于2012年2月1日提交的德国专利申请No.102012201410.1和于2012年2月1日提交的美国临时申请No.61/593349的优选权。该德国专利申请和该美国临时申请的全部公开内容通过引用并入本申请。
本专利技术涉及一种包括测量系统的微光刻投射曝光设备以及一种测量光学元件的方法。
技术介绍
为了经济地操作投射曝光设备，期望以尽可能短的曝光时间使掩模结构成像在半导体晶片形式的基板上，从而获得曝光基板的尽可能高的吞吐量。这需要实现对每个独立基板充分曝光的高辐射强度。特别地，当使用紫外或极紫外(EUV)波长范围内的辐射时，强辐射的影响可具有的效果是，投射曝光设备的投射镜头和照明光学单元中的独立光学元件的温度局部地改变，这继而影响光学元件的表面形状和折射率。光学元件中的温度分布和折射率分布还可暂时地改变。独立光学元件的特性中的这些辐射引起的变化可导致投射曝光设备的成像行为偏差。投射镜头中的光学元件的特...
【技术保护点】
一种微光刻的投射曝光设备，包括测量所述投射曝光设备的光学元件的测量系统，其中，所述测量系统包括：‑‑照射装置，其构造成在不同方向上将测量辐射辐射至所述光学元件，使得对于所述不同入射方向，所述测量辐射覆盖所述光学元件内的相应光学路径长度；‑‑检测装置，其构造成对于所述相应入射方向，测量所述光学元件中由所述测量辐射覆盖的所述对应光学路径长度；以及‑‑评估装置，其构造成考虑所述相应入射方向，通过所述测量的路径长度的计算机断层反向投射确定所述光学元件中的折射率的空间解析分布。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.02.01 DE 102012201410.1;2012.02.01 US 61/593,1.一种微光刻的投射曝光设备，包括测量所述投射曝光设备的光学元
件的测量系统，其中，所述测量系统包括：
--照射装置，其构造成在不同方向上将测量辐射辐射至所述光学元
件，使得对于所述不同入射方向，所述测量辐射覆盖所述光学元件内的相
应光学路径长度；
--检测装置，其构造成对于所述相应入射方向，测量所述光学元件中
由所述测量辐射覆盖的所述对应光学路径长度；以及
--评估装置，其构造成考虑所述相应入射方向，通过所述测量的路径
长度的计算机断层反向投射确定所述光学元件中的折射率的空间解析分
布。
2.如权利要求1所述的投射曝光设备，
其中，所述评估装置构造成将所述测量的路径长度反向投射到所述光
学元件的使所述测量辐射通过的体积区域上，并由此确定所述光学元件中
的折射率的三维空间解析分布。
3.一种微光刻的投射曝光设备，包括测量所述投射曝光设备的光学元
件的测量系统，其中，所述测量系统包括：
--照射装置，其构造成在不同方向上将测量辐射辐射至所述光学元
件，使得对于所述不同入射方向，所述测量辐射覆盖穿过所述光学元件的
至少一个截面的相应光学路径长度；以及
--检测装置，其构造成对于所述相应入射方向，测量所述光学元件中
由所述测量辐射覆盖的所述对应光学路径长度；以及
--评估装置，其构造成考虑所述相应入射方向，从所述测量的路径长
度确定所述光学元件的特性的三维空间解析分布。
4.如上述权利要求任一项所述的投射曝光设备，
其中，所述测量的光学元件是透镜元件。
5.如上述权利要求任一项所述的投射曝光设备，
其中，所述测量系统构造成在关于所述光学元件的光轴横向延伸的至
少两个不同方向上测量所述光学元件。
6.如上述权利要求任一项所述的投射曝光设备，
其中，所述测量系统构造成从所述测量确定所述光学元件的至少一个
截面中的温度的空间解析分布。
7.如上述权利要求任一项所述的投射曝光设备，
其中，所述检测装置包括干涉仪，为了光学路径长度测量的目的，所
述干涉仪构造成在所述测量辐射穿过所述光学元件中的所述光学路径长度
之一后，使所述测量辐射与参考辐射叠加。
8.如上述权利要求任一项所述的投射曝光设备，
其中，所述照射装置包括多个照射单元，每个照射单元构造并布置成
在所述不同入射方向之一上发射所述测量...
【专利技术属性】
技术研发人员：S布雷迪斯特尔，J哈特杰斯，T格鲁纳，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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