一种用于EUV辐射(14)的反射镜(20)，包含总反射表面(24)，该总反射表面具有第一EUV辐射反射区和至少一个第二EUV辐射反射区，其中所述EUV辐射反射区在结构上彼此定界开，所述第一区包含至少一个第一部分反射表面(22)，所述第一部分反射表面(22)在各个情况下由所述至少一个第二区沿着周边(31)围绕，所述至少一个第二EUV辐射反射区包含至少一个第二部分反射表面(23)，该第二部分反射表面以路径连接的方式实现且以连续方式实现。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】反射镜的布置相关申请的交叉引用通过引用将德国专利申请DE 10 2011 086 345.1的内容并入于此。
本专利技术涉及一种投射曝光设备中用于EUV辐射的反射镜的布置。本专利技术还涉及一种用于EUV辐射的反射镜。另外，本申请涉及一种照明光学单元、一种投射光学单元、一种用于EUV投射曝光设备的光学系统以及一种EUV投射曝光设备。最后，本专利技术涉及一种制造微结构或纳米结构部件的方法以及一种根据所述方法制造的部件。
技术介绍
从EP I 927 892 Al中可知用于EUV辐射的反射镜和EUV投射曝光设备。
技术实现思路
本专利技术的目的是改善投射曝光设备的成像质量。该目的通过权利要求1的特征来实现。本专利技术的核心在于将反射镜的布置在投射曝光设备中，使得反射镜的第一辐射反射区布置在照明光学单元的光路中，第二辐射反射区布置在投射光学单元的光路中。因此，从整体来考虑，反射镜既是照明光学单元的一部分，也是投射光学单元的一部分。特别地，大孔径投射曝光设备的成像质量可通过这种反射镜的布置来改善。投射曝光设备的物侧数值孔径可尤其为至少0.4，尤其为至少0.5，尤其为至少0.6，尤其为至少0.7。特别地，第二区形成位于投射光学单元的光路中的第一反射镜或第二反射镜。特别地，第一区包含以分离方式实现的多个部分反射表面。所述部分反射表面形成分面，尤其是照明光学单元的光瞳分面。反射镜优选根据以下描述来实现。本专利技术的另一目的是开发用于EUV辐射的反射镜，使得可改善EUV投射曝光设备的光学质量。该目的通过根据权利要求5的反射镜来实现。根据本专利技术，已经认识到，投射曝光设备中的光路可利用单个反射镜来改善，该单个反射镜包含具有不同功能的多个不同辐射反射区。尤其已认识到，充当光刻掩模的掩模母版的反射率从用于照明的EUV辐射的特定入射角开始极大地下降。另一方面，在以小入射角照明掩模母版的情况下，尤其在垂直照明掩模母版的情况下(即，在照明光学单元的主光线的路径平行于光轴且在掩模母版处平行于掩模母版的垂直取向的情况下)，对照明和/或投射光学单元中的光路的遮拦以由结构工程支配的方式发生。因此，本专利技术提出将反射镜的总反射表面分为第一和至少一个第二辐射反射区，其中各区在结构上彼此定界开，第一区包含由至少一个第二区围绕的至少一个第一部分反射表面，至少一个第二辐射反射区包含至少一个第二部分反射表面，其以路径连接的方式实现且以连续方式实现，尤其是以无衍射边缘的方式实现。第二区还可整体上以连续方式实现(即，除边界之外以没有衍射边缘的方式)。第一区的各部分反射表面尤其可由至少一个第二区完全环绕。换句话说，所述部分反射表面可以孤立的方式布置在第二区中。在该情况下，第二区尤其不以简单连接的方式实现。反射镜的这种实施例使得可在单个部件中实现两个不同的反射镜。特别地，在各情况下，所述至少一个第一部分反射表面相对于第二部分反射表面布置为其周边在各情况下形成边缘。特别地，在各情况下，第一部分反射表面可布置为在表面法线的方向上相对于第二部分反射表面偏移。总反射表面可在各个情况中以不连续的方式实现，尤其在周边的区域中。例如，这可通过第一部分反射表面在各个情况中作为分离元件应用于第二部分反射表面或布置在第二部分反射表面的切口中来实现。这促进了反射镜的结构化构造。优选地，第一区包含多个分离的部分反射表面。第一部分反射表面的数量可为至少10，尤其是至少30，尤其是至少100，尤其是至少300，尤其是至少500，尤其是至少1000。第一部分反射表面可形成分面元件，尤其是光瞳分面，用于形成分面的照明光学单元。照明光学单元的独立照明通道可借助于这种分面元件形成。所述通道可与不同照明设定的预定照明角分布结合，以用于照明掩模母版。根据一个特别有利的实施例,在关于反射镜的中心轴点镜像(point mirroring)的情况下，第一区的空间范围在第二区中占至少80 %的比例。优选地，在关于反射镜的中心轴点镜像的情况下，第一区的空间范围在第二区中占至少90%的比例，尤其占至少95%的比例，优选占全部的比例。换句话说，对于每个第一部分反射表面，在各个情况下在第二区中存在共轭表面，使得由掩模母版反射的辐射的零级衍射从第一部分反射表面大部分、尤其是全部反射至第二辐射反射区中的第二部分反射表面上。在已知通常使用的掩模母版的结构的情况下，通过第一和第二部分反射表面的针对性布置可预先确定反射光的哪个衍射级促使将所述掩模母版投射至像场中。该第一和第二部分反射表面的布置和实施例可尤其选择为对于特定掩模母版，反射辐射的至少或仅零级衍射和/或I级/-1级衍射和/或更高级衍射促使将所述掩模母版投射至像场中。对于反射镜的结构化构造，有利的是第二部分反射表面实现为主基板上的反射涂层且至少一个第一部分反射表面在各个情况下实现为至少一个另外的辅助基板上的涂层。在该情况下，辅助基板可布置在主基板上或在主基板的开口中。本专利技术的另一目的是改善照明光学单元、投射光学单元和用于EUV投射曝光设备的光学系统，以及EUV投射曝光设备。这些目的通过权利要求9、10、12和13的特征来实现。优点对应于上述优点。本专利技术的另一目的是说明一种使用投射曝光设备制造部件的方法以及由该方法制造的部件。依照本专利技术通过根据权利要求14的方法以及根据权利要求15的部件实现这些目的。[0021 ] 这些主题的优点对应于上文已经论述的优点。【附图说明】参考附图，通过对多个示例性实施例的描述，本专利技术的其它细节和特点将变得显而易见。附图中:图1示出用于EUV光刻的EUV投射曝光设备的部件的示意图；图2示出根据第一示例性实施例的反射镜的示意图；图3示出根据第二示例性实施例的反射镜的示意图；图4示出反射镜上的辐射反射区的不同布置的示意图；图5示出根据第一示例性实施例的投射曝光设备的光路中的反射镜的布置的示意图；图6示出根据第二示例性实施例的投射曝光设备的光路中的反射镜的布置的示意图。【具体实施方式】图1示意性地示出微光刻投射曝光设备I的部件的子午截面。除了辐射源3，投射曝光设备I的照明系统2包含曝光物面6中的物场5的照明光学单元4。在该情况下，布置在物场5中的掩模母版7得以曝光，所述掩模母版由掩模母版保持件8保持，该掩模母版保持件8仅被不出一部分。投射光学单元9用于将物场5成像至像面11中的像场10中。掩模母版7上的结构被成像至晶片12的光敏层上，晶片12布置在像面11中的像场10的区域中，所述晶片由晶片保持件13保持，该晶片保持件13同样示意性地示出。辐射源3为EUV辐射源，其发射EUV辐射14。EUV辐射源3所发出的使用的辐射的波长在5nm至30nm的范围内。在光刻中使用的以及可用于适合光源的其它波长也是可能的。辐射源3可为等离子体源，例如DPP源或LPP源。基于同步加速器的辐射源也可用作辐射源3。关于这种辐射源的信息可由本领域技术人员在例如US6，859，515B2中发现。提供收集器15用于聚焦来自EUV辐射源3的EUV辐射14。EUV辐射14还称为照明光或成像光。照明光学系统4包含具有多个场分面17的场分面反射镜16。场分面反射镜16布置在照明光学系统4的关于物面6光学共轭的平面中。EUV辐射14从场分面反射镜16反射至照明光学系统4的光瞳分面反射镜18。光本文档来自技高网...
【技术保护点】
微光刻投射曝光设备(1)中用于EUV辐射(14)的反射镜(20)的布置，所述微光刻投射曝光设备(1)包含用EUV辐射(14)照明物场(5)的照明光学单元(4)以及将所述物场(5)投射进像场(10)中的投射光学单元(9)，其中，所述EUV辐射(14)具有在所述照明光学单元(4)中和所述投射光学单元(9)中的特定光路，‑其中，所述反射镜(20)具有反射镜体(21)，所述反射镜体具有‑至少一个第一EUV辐射反射区；以及‑至少一个第二EUV辐射反射区，‑其中，所述至少一个第一区布置在所述照明光学单元(4)的光路中，并且‑其中，所述至少一个第二区布置在所述投射光学单元(9)的光路中。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.11.15 DE 102011086345.11.微光刻投射曝光设备⑴中用于EUV福射(14)的反射镜(20)的布置,所述微光刻投射曝光设备⑴包含用EUV辐射(14)照明物场(5)的照明光学单元⑷以及将所述物场(5)投射进像场(10)中的投射光学单元(9)，其中，所述EUV辐射(14)具有在所述照明光学单元(4)中和所述投射光学单元(9)中的特定光路， -其中，所述反射镜(20)具有反射镜体(21)，所述反射镜体具有 -至少一个第一 EUV辐射反射区；以及 -至少一个第二 EUV辐射反射区， -其中，所述至少一个第一区布置在所述照明光学单元(4)的光路中，并且 -其中，所述至少一个第二区布置在所述投射光学单元(9)的光路中。2.根据权利要求1所述的反射镜(20)的布置，其特征在于，所述至少一个第二区形成位于所述投射光学单元(9)的光路中的第一反射镜(Ml)或第二反射镜(M2)。3.根据权利要求1或2所述的反射镜(20)的布置，其特征在于，所述至少一个第一区包含以分离的方式实现的多个部分反射表面(22)。4.根据权利要求1至3中任一项所述的反射镜(20)的布置，其特征在于，所述反射镜根据权利要求5至8中任一项实现。5.用于EUV辐射(14)的反射镜(20)，具有总反射表面(24)，所述总反射表面具有: -第一 EUV辐射反 射区，以及 -至少一个第二 EUV辐射反射区， -其中，所述EUV辐射反射区在结构上彼此定界开， -其中，所述第一区包含多个第一部分反射表面(22)， -其中，所述至少一个第二 EUV辐射反射区包含至少一个第二部分反射表面(23)， -所述第二部分反射表面以路径连接的方式实现，以及 -所述第二部分反射表面以连续方式实现， -其中，所述多个第一部分反射表面(22)沿着周边(31)分别由所述第二部分反射表面(23)至少部分地围绕。6.根据权利要求5所述的反射镜(20)，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：J劳夫，H费尔德曼，M莱，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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