本发明的化学机械抛光系统包含抛光组分、液体载体及聚醚胺。本发明的方法包括用上述抛光系统来化学机械抛光基板。

本发明提供一种适合用于抛光半导体材料的化学机械抛光（ＣＭＰ）组合物。该组合物包含研磨剂、有机氨基化合物、酸性金属络合剂以及含水载体。本发明还公开一种利用该组合物来抛光半导体材料表面的ＣＭＰ方法。

本发明提供一种化学机械抛光组合物，其包含研磨剂，苯并三唑衍生物，选自碘酸盐化合物、有机氧化剂、及其混合物的氧化剂，以及水，其中该抛光组合物基本上不包含分子量小于５００道尔顿的有机羧酸，并且其中该抛光组合物不包含分子量小于５００道尔顿的硫...

公开了一种包括氧化剂、配合剂、磨料和非必要的表面活性剂的化学机械抛光浆料，以及由该化学机械抛光浆料从基材中除去铜合金、钛、氮化钛、钽和氮化钛层的方法。

一种包括硅烷改性的研磨颗粒的分散系的抛光组合物，该组合物是通过混合至少一种金属氧化物与至少一种硅烷化合物而形成的，所述的金属氧化物具有至少一种表面金属氢氧化物，以及使用该抛光组合物抛光基材部位如金属部位和氧化物部位的方法。

本发明提供一种适合用于抛光包含相变合金（ＰＣＡ）例如锗－锑－碲（ＧＳＴ）合金的基板的化学机械抛光（ＣＭＰ）组合物。该组合物包含不超过６重量％的颗粒研磨材料和任选的氧化剂、至少一种螯合剂、以及为此的含水载体。该螯合剂包含化合物或化合物的组...

本发明提供用于抛光ＩＴＯ表面的化学机械抛光（ＣＭＰ）组合物及方法。本发明的组合物包含具有不大于１５０ｎｍ的平均粒度的颗粒氧化锆或胶态二氧化硅研磨剂，该研磨剂悬浮于含水载体中，该含水载体优选具有不大于５的ｐＨ值。优选地，该研磨剂具有４０至...

本发明提供用于平坦化或抛光基板的组合物及方法。该组合物包含研磨剂、碘酸根离子、含氮化合物、及包含水的液体载体，其中，该含氮化合物选自含氮Ｃ↓［４－２０］杂环及Ｃ↓［１－２０］烷基胺。

本发明的化学机械抛光组合物包含（ａ）研磨剂、（ｂ）０．１ｍＭ至１０ｍＭ的丙二酸、（ｃ）０．１ｍＭ至１００ｍＭ的氨基羧酸、（ｄ）０．１ｍＭ至１００ｍＭ的硫酸根离子和（ｅ）水，且具有１至６的ｐＨ值。本发明的抛光基板的方法包括前述抛光组合物的...

一种用于金属层化学机械抛光的淤浆，含有均匀分散在稳定的含水介质中的纯度高、细的金属氧化物粒子。

本发明提供了一种用于抛光多层基板的一层或多层的系统，该多层基板包括第一金属层与第二层，该系统包括（ｉ）一种液态载体、（ｉｉ）至少一种氧化剂、（ｉｉｉ）至少一种抛光添加剂，其可提高该系统抛光该基板至少一层的速率，其中该抛光添加剂选自焦磷酸...

本发明提供一种用于抛光多层基板的一层或多层的系统，该多层基板包括第一金属层与第二层，该系统包括（ｉ）一种液态载体、（ｉｉ）至少一种氧化剂、（ｉｉｉ）至少一种抛光添加剂，其会提高该系统抛光该基板至少一层的速率、（ｉｖ）至少一种阻化化合物，...

包含磨蚀剂和氢氧化铯的化学机械抛光组合物及利用含有氢氧化铯的抛光组合物抛光与集成电路结合的介电层的方法。

提供平面化或抛光一种复合基材的系统、组合物和方法，该平面化或抛光系统包含（ｉ）一种抛光组合物和（ｉｉ）一种研磨剂，该抛光组合物包括（ａ）约０．５重量％或以上的氟离子，（ｂ）约１重量％或以上的胺，（ｃ）约０．１重量％或以上的碱，和（ｄ）水...

一种用以使内存或硬盘表面平坦或抛光的方法，包含用（ｉ）研磨组合物，包含选自过硫酸盐和过氧化物的氧化剂、氨基酸和水，及（ｉｉ）磨料，研磨至少一部分表面。

一种化学机械抛光组合物及浆液，包含一薄膜成形剂及至少一种硅烷化合物，其中该组合物可用于抛光基材部分诸如铜、钽、及氮化钽部分。

一种抛光组合物，包含至少一种可溶性硅烷化合物及至少一种磨蚀剂，可用以抛光基材表面特征。

本发明提供一种化学－机械抛光系统及方法，其包含液态载剂、抛光垫和／或磨料、及至少一种含胺聚合物，其中含胺聚合物具有５或更多个分离氨基官能团中氮原子的连续原子，或为嵌段共聚物，其具有至少一个包含一或更多个胺官能团的聚合物嵌段与至少一个不含...

本发明提供化学机械抛光体系及利用该抛光体系抛光基底的方法，其中该体系包括（ａ）研磨剂，（ｂ）液体载剂，及（ｃ）分子量为约１５，０００或更高的正电性聚电解质，其中该研磨剂包括与该正电性聚电解质静电结合的颗粒。

本发明提供一种抛光体系，其包括（ａ）抛光剂，抛光垫，氧化衬底的手段，或其任何组合，（ｂ）具有１０↑［－１０］Ｓ／ｃｍ至１０↑［６］Ｓ／ｃｍ电导率的导电聚合物，和（ｃ）液体载体。