本发明提供一种抛光基板的方法，包括使包含（ａ）选自研磨剂、抛光垫及其组合的抛光成分、（ｂ）氧化剂、（ｃ）含环氧乙烷的聚合物及（ｄ）液体载体的化学机械抛光系统与在基板表面上包括贵金属的基板，并使用该化学机械抛光系统研磨至少一部分该贵金属以...

本发明提供一种化学－机械抛光组合物，其包含研磨剂，具有等于或高于３ｋｃａｌ／ｍｏｌ的Ｍ－Ｏ－Ｓｉ键能的金属离子（Ｍ），及水。本发明还提供一种使用上述化学－机械抛光组合物抛光基板的方法。

本发明提供一种抛光组合物，其包括热解法氧化铝，α－氧化铝，二氧化硅，非离子表面活性剂，金属螯合有机酸，及液体载体。本发明还提供一种化学机械抛光基板的方法，其包括将基板与抛光垫和化学机械抛光组合物接触，并磨掉至少部分基板以抛光该基板。

本发明提供一种化学－机械抛光组合物，包括阳离子磨料、阳离子聚合物、羧酸和水。本发明还提供使用上述抛光组合物化学－机械抛光基底的方法。所述抛光组合物显示出氮化硅去除对氧化硅去除的选择性。

本发明提供一种包含抛光组分、表面活性剂和液体载体的化学机械抛光系统。本发明进一步提供一种用该抛光系统对基板进行化学机械抛光的方法。

本发明提供用于化学－机械抛光的包括多孔发泡体的抛光垫及其制造方法。一个具体实施方式中，该多孔发泡体平均孔径为５０微米或以下，其中７５％或以上的孔隙具有平均孔径２０微米或以下的孔径。在一个具体实施方式中，多孔发泡体的平均孔径２０微米或以下...

本发明提供一种化学－机械抛光系统，其包括：水溶性硅酸盐化合物、氧化基板的至少一部分的氧化剂、水和抛光垫，其中该抛光系统基本上无研磨剂颗粒。本发明进一步提供一种用上述抛光系统化学－机械抛光基板的方法。该抛光系统在钽的移除中特别有用。

本发明提供用于平坦化或抛光表面的组合物及方法。一种组合物包含０．０１重量％至２０重量％的α－氧化铝颗粒，其中所述α－氧化铝颗粒具有２００ｎｍ或更小的平均直径，且８０％的所述α－氧化铝颗粒具有５００ｎｍ或更小的直径；有机酸；腐蚀抑制剂；及...

本发明提供一种化学机械抛光基板的方法。使包含钌及铜的基板与包含抛光组件、过氧化氢、有机酸、至少一种包含至少一个氮原子的杂环化合物及水的化学机械抛光系统接触。使该抛光组件相对于该基板移动，且研磨该基板的至少一部分以抛光该基板。该抛光系统的...

提供一种适用于钽的化学－机械抛光（ＣＭＰ）的组合物，其包含研磨剂、有机氧化剂及为此的液体载体。该有机氧化剂具有相对于标准氢电极不超过０．５Ｖ的标准氧化还原电位（Ｅ↑［０］）。经氧化的形式包含至少一个π共轭环，该环包含至少一个直接连接在该...

本发明提供一种用于抛光基板的化学机械抛光系统，其包含抛光组分、水溶性硅酸盐化合物、氧化剂及水，其中该抛光系统的ｐＨ为８至１２。本发明进一步提供一种用前述抛光系统对基板进行化学机械抛光的方法。该抛光系统在基板的抛光过程中提供减小的摩擦。

一种制造化学机械抛光（ＣＭＰ）垫的方法，其包括：形成聚合物树脂液体溶液层；在该聚合物溶液层中诱导相分离以产生互穿聚合物网络，该互穿聚合物网络包含散布有连续聚合物贫乏相的连续聚合物富集相，其中该聚合物贫乏相构成各相的合并体积的２０％至９０...

一种适用于铜的化学机械抛光（ＣＭＰ）的组合物，其包含在液体载体中的研磨剂粉，例如二氧化硅和／或氧化铝研磨剂。该组合物具有小于约百万分之５（ｐｐｍ）、优选小于约２ｐｐｍ的过渡金属含量。该组合物优选含有小于约２ｐｐｍ的钇、锆和／或铁。当所述...

本发明提供一种利用含胺聚合物的化学－机械抛光系统及方法，其包含液态载剂、抛光垫和／或磨料、及至少一种含胺聚合物，其中含胺聚合物具有５或更多个分离氨基官能团中氮原子的连续原子，或为嵌段共聚物，其具有至少一个包含一或更多个胺官能团的聚合物嵌...

一种化学－机械抛光基板的方法，该方法包括：（ｉ）使包含多晶硅及选自氧化硅和氮化硅的材料的基板与化学－机械抛光系统接触，该化学－机械抛光系统包含：（ａ）磨料；（ｂ）液体载体；（ｃ）以该液体载体及任何溶解或悬浮于其中的组分的重量计，１ｐｐｍ...

一种改进的ｘ射线产生系统产生特别适用于大致柱形或球形的处理装置的收敛或发散的辐射图案。在一个实施方式中，该系统包括位于封闭或凹形的内壁周围的封闭或凹形的外壁。电子发射体位于该外壁的内侧表面，而靶膜位于该内壁的外侧表面。该发射体处的提取电...

本发明涉及一种新的ｘ射线处理系统，其利用引导至目标区（８２９）中的一个或多个大面积平板ｘ射线辐射源（８２１，８２３，８２５，８２７）。以来自该一个或多个平板源的ｘ射线辐射（８３１，８３３，８３５，８３７）来照射该目标区内的目标物，从而降...

本发明涉及一种通过在与包含还原剂或氧化剂的抛光组合物接触的基底和至少一个电极之间施加电化学电势来抛光含有至少一层金属层的基底的方法。

一种化学机械抛光浆料组合物，包括： 一种水介质； 一种磨料； 约０．２至约１０．０重量％的第一种氧化剂； 约０．５至约１０．０重量％的第二种氧化剂； 约０．５至约１５．０重量％的至少一种有机酸，其中组合物的...

本发明的化学机械抛光系统包含抛光组分、液体载体、氧化剂及卤素阴离子。本发明的方法包括以该抛光系统对基板进行化学机械抛光。