本发明的方法包括用包含液体载体、研磨剂及氧化剂的抛光组合物对包含至少一层碳化硅的基板进行化学机械抛光。

本发明提供一种用于化学－机械抛光的组合物。该组合物包含研磨剂、第一金属速率抛光调节剂、第二金属速率抛光调节剂及液体载体。在一个实施方式中，该第一金属速率抛光调节剂具有相对于标准氢电极小于０．３４Ｖ的标准还原电势，且该第二金属速率抛光调节...

本发明提供一种化学－机械抛光组合物，其包含二氧化硅；其量足以提供０．２ｍＭ至１０ｍＭ的选自镓（Ⅲ）、铬（Ⅱ）及铬（Ⅲ）的金属阳离子的化合物；及水，其中该抛光组合物具有１至６的ｐＨ值。本发明进一步提供一种用前述抛光组合物化学－机械抛光基板...

本发明提供一种化学机械抛光组合物，其基本上由二氧化硅、氧化剂、季铵化合物、及水组成。本发明进一步提供一种使用前述抛光组合物来化学机械抛光基板的方法。当用该抛光组合物抛光介电膜时，其提供提高了的抛光速率。

本发明提供一种用于抛光基板的含金表面的不含氰化物的化学机械抛光（ＣＭＰ）组合物。该ＣＭＰ组合物包含研磨剂、金氧化剂、不含氰化物的金增溶剂、及为此的含水载体。本发明进一步提供一种使用上述抛光组合物来化学－机械抛光基板的含金表面的方法。

本发明提供一种用于抛光含有氮化硅的基板的方法。该方法包括用抛光组合物研磨氮化硅基板的表面，该抛光组合物包含胶体二氧化硅、至少一种酸性组分、及含水载体。该至少一种酸性组分具有在１至４．５范围内的ｐＫａ。该组合物的ｐＨ值在比该至少一种酸性组...

一种用于抛光含有金属的基板的含水化学机械抛光组合物，其包含基本上由以硅铝酸盐层改性的初级颗粒组成的研磨剂颗粒，并且其中该研磨剂颗粒具有在ｐＨ　２．３下测得的约－５ｍＶ～约－１００ｍＶ的ζ电位。该组合物可用于抛光含有钨的基板的表面。

本发明方法包括用本发明抛光组合物对基材进行化学－机械抛光，该抛光组合物包含液体载体和经化合物处理的研磨剂颗粒。

本发明方法包括用本发明抛光组合物对基材进行化学－机械抛光，该抛光组合物包含液体载体、阳离子型聚合物、酸和经氨基硅烷化合物处理的研磨剂颗粒。

本发明提供一种制备化学－机械抛光组合物的方法，该组合物用于抛光至少具有第一层和第二层的基板。该方法包括：提供第一化学－机械抛光组合物及第二化学－机械抛光组合物两者，其中，该第一化学－机械抛光组合物包含具有第一层对第二层的选择性的研磨剂，...

本发明的方法包括用包含液体载体及溶胶－凝胶胶体二氧化硅研磨剂颗粒的抛光组合物来化学－机械抛光基板。

本发明的ＣＭＰ组合物包含聚电解质、铜络合剂、不超过１重量％的粒状研磨剂、以及为此的含水载体，其中，所述聚电解质的重均分子量优选为??至少１００００克／摩尔（ｇ／ｍｏｌ）。所述聚电解质可为阴离子型聚合物（例如，丙烯??酸化物的聚合物或共聚...

本发明提供一种抛光垫，其包括：具有抛光表面的抛光层，所述抛光表面包括设置在该抛光层内且距该抛光表面具有可测量深度的多个凹槽及不具有凹槽的阻挡区；以及设置在该阻挡区内并被该阻挡区围绕的透明窗。

本发明提供通过增加切割浆料中的研磨剂颗粒与切割线的缔合来提高在切割基材时线锯的切割性能的方法，所述提高可通过在切割浆料中使用增稠剂或者通过增加研磨剂颗粒与切割线的吸引力而实现。

本发明提供一种用于氧化铝和／或氧氮化铝基材的改进的抛光或平坦化的方法及系统。具体而言，该组合物包含研磨剂、液体载体及磷型一元酸。优选地，该磷型一元酸为磷酸、膦酰基乙酸、亚磷酸、甲基膦酸、或其混合物。对该组合物的ｐＨ值的控制进一步改善抛光...

本发明提供了一种适于抛光含有相变材料（ＰＣＭ）例如锗－锑－碲（ＧＳＴ）合金的基材的化学－机械抛光（ＣＭＰ）组合物。该组合物包含颗粒研磨材料、以及赖氨酸、任选的氧化剂、和为此的含水载体。本发明还公开了利用该组合物来抛光含有相变材料的基材的...

本发明提供用于平坦化或抛光基材的组合物和方法。该组合物包含：由任选地经聚合物处理的氧化铝颗粒组成的研磨剂、α－羟基羧酸、使至少一种金属氧化的氧化剂、聚丙烯酸、任选的含钙化合物、任选的杀生物剂、任选的ｐＨ调节剂和水。该方法使用该组合物对基...

本发明提供化学机械抛光组合物，其基本上由热解氧化铝、α－氧化铝、二氧化硅、非离子型表面活性剂、添加剂化合物、过氧化氢和水组成，所述添加剂化合物选自甘氨酸、丙氨酸、亚氨基二乙酸和马来酸。本发明进一步提供对基材进行化学机械抛光的方法，该方法...

本发明提供包含湿法二氧化硅、稳定剂化合物、钾盐、仲胺化合物和水的化学机械抛光组合物。本发明进一步提供用该抛光组合物抛光基材的方法。

本发明方法包括用包含液体载体、研磨剂和氧化剂的抛光组合物对包含至少一个碳化硅层的基材进行化学机械抛光。