金化学机械抛光组合物及方法技术

本发明专利技术提供一种用于抛光基板的含金表面的不含氰化物的化学机械抛光（ＣＭＰ）组合物。该ＣＭＰ组合物包含研磨剂、金氧化剂、不含氰化物的金增溶剂、及为此的含水载体。本发明专利技术进一步提供一种使用上述抛光组合物来化学－机械抛光基板的含金表面的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种化学机械抛光组合物及一种使用该组合物抛光基板的含金表面的方法。
技术介绍
使基板表面与抛光垫接触并相对该表面移动该抛光垫，同时将CMP浆料保持在该抛光垫与该表面之间，从而对该基板表面进行研磨以抛光该表面。典型的研磨材料包括二氧化硅、二氧化铈、氧化铝、氧化锆及氧化锡。例如，美国专利No.5527423描述了 一种通过将表面与抛光浆料接触而对金属层进行化学机械抛光的方法，其中，该抛光浆料包含在含水介质中的高纯度金属氧化物细颗粒。或者，可将研磨材料结合到抛光垫中。美国专利No.5489233公开了具有表面紋理或图案的抛光垫的用途，且美国专利No.5958794公开了一种固定研磨剂抛光垫。在对半导体晶片进行平坦化方面，常规的抛光系统及抛光方法通常不能完全令人满意。具体地说，抛光组合物及抛光垫可具有低于期望值的抛光速率，且其在半导体表面的化学机械抛光中的使用可导致差的表面品质。创立用于半导体晶片的有效抛光系统的困难源于半导体晶片的复杂性。给定的CMP组合物的性能通常根据被抛光表面的组成(例如，金属类型、半导体类型等)而变化。半导体晶片通常由基板构成，在该基板上已经形成多个器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于抛光基板的含金表面的不含氰化物的化学机械抛光（ＣＭＰ）组合物，其包含：　（ａ）研磨剂；　（ｂ）金氧化剂；　（ｃ）不含氰化物的金增溶剂；以及　（ｄ）为此的含水载体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗拉斯塔布鲁希克，周仁杰，克里斯托弗汤普森，
申请(专利权)人：卡伯特微电子公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]