本发明提供了一种用于化学机械抛光的抛光垫，其包括抛光层、底层及热熔性粘合剂，该热熔性粘合剂将该抛光层与该底层接合在一起。该热熔性粘合剂包含２～１８重量％的ＥＶＡ，且当该抛光层达到４０℃的温度时，该热熔性粘合剂基本上耐分层。本发明还提供了...

本发明提供用于在过氧化氢的存在下对含钌基材进行抛光而在该抛光过程期间不形成有毒水平的四氧化钌的化学机械抛光（ＣＭＰ）组合物。所述组合物包含：（ａ）包含水溶性金属过氧酸盐络合物、金属过氧酸盐络合物的能氧化的前体、或其组合的催化氧化剂；（ｂ...

本发明涉及包含如下物质的抛光组合物：研磨剂、含水介质、其量高于其临界胶束浓度的表面活性剂、以及疏水性表面活性化合物。本发明还提供使用抛光组合物的方法。

本发明提供一种通过使用包含钨蚀刻剂、钨蚀刻抑制剂及水的组合物对含钨基材进行化学机械抛光的方法，其中该钨抛光抑制剂为包含至少一种含有至少一个含氮杂环或叔氮或季氮原子的重复基团的聚合物、共聚物或聚合物共混物。本发明还提供一种特别适于抛光含钨...

本发明提供一种含研磨剂、卤化物盐、及水的化学－机械抛光组合物。本发明进一步提供一种使用该化学－机械抛光组合物及抛光垫进行基材的化学－机械抛光的方法。

本发明提供一种化学机械抛光（ＣＭＰ）组合物，其包含氨基化合物、形成自由基的氧化剂、能抑制该氨基化合物的自由基诱导氧化的自由基捕集剂、及为此的含水载体。该自由基捕集剂为经羟基取代的多元不饱和环状化合物、含氮化合物、或其组合。任选地，该组合...

一种化学机械抛光前体组合物，包括至少一种具有多个氧化态的催化剂和至少一种稳定剂，在使用前该组合物与氧化剂掺混以用于从基材上除去金属层。还公开了一种化学机械抛光前体组合物，包括一种氧化剂和至少一种具有多个氧化态的催化剂，该组合物与磨料或磨...

一种包括可溶性铈化合物的ｐＨ高于３的化学机械抛光组合物，和一种在制造集成电路和半导体期间在一个步骤中将上面覆盖的二氧化硅层优先于氮化硅膜选择性抛光的方法。

包括能侵蚀钨的组合物和至少一种钨侵蚀抑制剂的化学机械抛光组合物和浆料，和使用其组合物和浆料抛光含钨基材的方法。

一种化学机械抛光组合物，其含有氧化剂和至少一种固体，该组合物可与研磨剂或一种研磨垫结合用于除去底物的多重金属层。

公开了一种包括：磨料、氧化剂、配合剂、成膜剂和有机氨化合物的第一种化学机械抛光浆料；和包括磨料、氧化剂和乙酸且其中氧化剂与乙酸的比例至少为１０的第二种抛光浆料，还公开了用第一和第二种抛光浆料顺序抛光含铜和含钽或氮化钽或钽和氮化钽两种的基...

公开了一种包括：磨料、氧化剂、配合剂、成膜剂和有机氨化合物的第一种化学机械抛光浆料；和包括磨料、氧化剂和乙酸且其中氧化剂与乙酸的比例至少为１０的第二种抛光浆料，还公开了用第一种和第二种抛光浆料顺序抛光含铜和含钽或氮化钽或钽和氮化钽两种的...

一种化学机械抛光浆料用于抛光半导体晶片的多晶硅层，包括至少一种磨料和至少一种醇胺的水溶液。该浆料优选ｐＨ值约９．０－１０．５而且它包括一种非必要的缓冲剂。

含有α－氨基酸的化学机械抛光组合物及浆料，其可用于抛光包括多层金属、或金属及介电质的基材。

本发明提供一种对化学机械抛光后的半导体晶片表面污染物进行清洗的组合物及方法。此清洗组合物包括羧酸、含胺化合物、膦酸及水。此清洗组合物有用于去除研磨剂残留及在化学机械抛光后半导体晶片表面的金属污染物。

提供一种平整或抛光表面的组合物及以该组合物平整或抛光表面的方法。此组合物包含约５－９０重量％发烟金属氧化物及约１０－９５重量％磨蚀粒子，其中约９０％或更多磨蚀粒子（以数目为基准）的粒径不超过１００毫微米。本发明组合物可以高抛光效率、均匀...

本发明是提供一种以组合物将表面平整或抛光的组合物或方法。该组合物包括液态载体，化学加速剂，及包括约５～９０ｗｔ％的发烟金属氧化物及约１０～９５ｗｔ％磨蚀颗粒的固体，其中约９０％或更多的磨蚀颗粒（以数目为基准）的粒径不大于１００毫微米。本...

本发明提供一种用于化学－机械抛光一种包含钽及一种导电性金属（钽除外）的基体的方法。该方法包含（ａ）施加至该基体一种导电性金属－选择性抛光组合物及一种金属氧化物研磨剂，（ｂ）自该基体选择性移除与该钽比较至少一部分该导电性金属，（ｃ）施加至...

一种抛光或平滑化基体的方法，其包括用包含金属氧化物研磨剂及液体载体的组合物研磨包含金属、金属氧化物、金属复合物或其混合物的基体的至少一部分表面，其中组合物的ｐＨ约为７或以下且金属氧化物研磨剂的总表面羟基密度不高于每ｎｍ＃＋［２］约３个羟基。

本发明提供一种用于基材抛光或平整化的抛光系统及方法。该抛光系统包括（ｉ）液态载剂，（ｉｉ）草酸铵，（ｉｉｉ）羟基偶合剂，及（ｉｖ）抛光垫及／或磨料。该抛光方法包括使至少部分基材与抛光系统接触，并同时抛光部分基材。