本发明提供抛光基材的方法，包括：（ｉ）将包含至少一含铜金属层的基材与化学－机械抛光（ＣＭＰ）系统接触，及（ｉｉ）研磨至少一部分的该含铜金属层，以抛光该基材。该ＣＭＰ系统包含（ａ）研磨剂、（ｂ）两亲性非离子表面活性剂、（ｃ）氧化该金属层的...

本发明提供一种抛光系统及其使用方法，该系统包括（ａ）液体载体，（ｂ）具有５０％或更大支化度的聚合物，（ｃ）抛光垫、磨料或其组合。

本发明提供一种包含抛光层（１０）的化学机械抛光垫，该抛光层（１０）包含疏水区（３０）、亲水区（４０）及终点检测口（２０）。该疏水区实质上与该终点检测口（８０）相邻。该疏水区（３０）包含具有表面能为３４ｍＮ／ｍ或更小的聚合材料及具有表面能...

一种用于抛光半导体芯片的抛光垫，包括一种含烧结树脂颗粒的开孔多孔底物。该多孔底物属于一种均匀、连续及弯曲的互连毛细路径的网络。

公开了用于半导体晶片的抛光垫，其包括具有烧结合成树脂颗粒的开孔、多孔基材。该多孔基材的特征在于具有毛细通道的均匀、连续且弯曲的、互通网络。该抛光垫包括机械打磨的垫底表面以改善粘合剂和垫底表面的粘合性。

公开了用于半导体基材的抛光垫。

本发明提供一种研磨片，其包括（ａ）一主体，其包括一正面、一背面以及一周缘表面；（ｂ）一研磨表面；（ｃ）一端点侦测口，其由主体的正面贯穿至背面；以及（ｄ）一排放槽道，其与该端点侦测口形成流体连通。本发明还提供一种制造此一研磨片的方法，以及...

本发明提供用于化学－机械抛光的包括多孔发泡体的抛光垫及其制造方法。一个具体实施方式中，该多孔发泡体平均孔径为５０微米或以下，其中７５％或以上的孔隙具有平均孔径２０微米或以下的孔径。在一个具体实施方式中，多孔发泡体的平均孔径２０微米或以下...

一种化学－机械抛光垫基材，包含一种具有平均孔径０．０１微米至１微米的多孔材料，其中该抛光垫基材在２００纳米至３５，０００纳米的至少一个波长下具有透光度１０％或更多。

本发明涉及包含透明窗口的化学机械抛光垫。在一个实施方式中，透明窗口包含无机材料及有机材料，其中该无机材料占透明窗口的２０重量％或更多。在另一实施方式中，透明窗口包含无机材料及有机材料，其中该无机材料分散在整个有机材料中，且具有５至１００...

本发明提供一种包含共聚物的抛光垫基材，其中该共聚物具有至少一种亲水性重复单元及至少一种疏水性重复单元。本发明还提供一种包含聚合物的抛光垫基材，其中该聚合物为具有附在聚合物链上的至少一种亲水性单元及至少一种疏水性单元的改性聚合物。本发明进...

本发明提供一种用于化学－机械抛光的抛光垫，其包括聚合材料，该聚合材料包括两个或多个相邻区域，该区域具有相同的聚合物组成且在该区域之间的过渡不包含结构上明显的边界。在第一实施方式中，第一区域及第二相邻区域分别具有第一及第二非零空隙体积，其...

一种用于化学机械抛光的多层抛光垫，其包含多孔抛光层和多孔底层；其中该底层与该抛光层基本上共同扩张；该抛光层与该底层直接互连，使得该抛光层与该底层之间的界面无粘合剂；该抛光层具有平均表面粗糙度Ｒａ，其大于该底层的Ｒａ。

本发明提供一种包含可变形抛光垫主体及分散于其中的磁性感应粒子的抛光垫，其中当存在外加磁场时，该抛光垫的一种或多种性质得以改变。本发明进一步提供包括这种抛光垫的抛光系统和抛光基板的方法。

本发明涉及一种化学机械抛光垫基板，其包含多微孔性闭孔发泡体，该发泡体的特征为０．０１微米至１０微米的窄孔径分布。该抛光垫通过下列方法制得：以超临界气体在高温及高压下使实心聚合物薄片发泡，直至气体使该薄片饱和。本发明进一步涉及一种包含该抛...

本发明涉及一种抛光含铝基板的表面的方法，其包括将该基板的表面与抛光垫及包含研磨剂、对铝进行氧化的试剂及液体载体的抛光组合物接触，并研磨该表面的至少一部分以自该基板移除至少一些铝且抛光该基板的该表面，其中该研磨剂为微粒状且悬浮于该液体载体中。

一种适用于化学机械抛光的表面具有纹理的抛光垫，其包括平均孔单元尺寸在６０米或更小范围内的多孔聚合物发泡体。该发泡体中至少７５％的孔具有在所述平均孔单元尺寸的３０米以内的孔单元尺寸。该垫具有至少一个纹理化的表面，其包括深度为２５米至１１５...

本发明提供了一种使用多组分研磨和／或清洁组合物研磨和／或清洁基材的方法，其中研磨和／或清洁组合物的组分在使用点或恰在输送至使用点之前混合。本发明还提供了一种使用单一装置同时研磨和／或清洁超过一个基材的方法，其中将不同的研磨或清洁组合物输...

本发明提供了一种抛光垫，其包含一个至少为半透明的区域，其中该半透明区域包含基质聚合物及填充剂。本发明也提供了一种生产包含一个至少为半透明的区域的抛光垫的方法，该方法包含：（ａ）提供一个多孔性基质聚合物；（ｂ）用填充剂填充该基质聚合物的至...

一种用于就地监视抛光工艺及其他材料移除工艺的技术使用嵌入晶片载体中的石英晶体纳米天平（２２５）。自晶片移除的材料沉积于该晶体的表面上。由此引起的该晶体的频率漂移指示了经移除的材料的量，从而允许判定瞬时移除速率以及工艺终点。该石英晶体纳米...