抛光系统及其使用方法技术方案

本发明专利技术提供了一种用于抛光多层基板的一层或多层的系统，该多层基板包括第一金属层与第二层，该系统包括（ｉ）一种液态载体、（ｉｉ）至少一种氧化剂、（ｉｉｉ）至少一种抛光添加剂，其可提高该系统抛光该基板至少一层的速率，其中该抛光添加剂选自焦磷酸盐、缩合磷酸盐、膦酸与其盐类、胺类、氨基醇类、酰胺类、亚胺类、亚胺基酸、腈类、硝基类、硫醇类、硫代酯类、硫醚类、硫代羟酸类、硫代羰酸类、硫代羧酸类、硫代水杨酸类与其混合物，以及（ｉｖ）一种抛光垫和／或一种磨料。本发明专利技术亦提供一种抛光基板的方法，包括使基板表面与该系统接触，并抛光该基板至少一部分。此外，本发明专利技术提供一种抛光多层基板的一层或多层的方法，该基板包括第一金属层与第二层，包括（ａ）使该第一金属层与该系统接触，以及（ｂ）以该系统抛光该第一金属层，直到自该基板去除至少一部分第一金属层为止。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种抛光系统以及抛光一种基板的方法，特别是抛光一种包括第一金属层与第二层的多层基板的方法。
技术介绍
集成电路是由在一块基板(诸如硅晶片)中或其上所形成的数百万个活性装置所制得。将该活性装置化学且物理性连接于一个基板上，并通过使用多层连接层互连，从而形成功能电路。有代表性的多层互连包括第一金属层、中间介电层以及有时存在第三与后续的金属层。采用中间层介电体，诸如掺杂的与未掺杂的二氧化硅(SiO2)和/或低k介电体来电隔绝不同金属层。使用金属通路获得不同互连层之间的电连接。例如，美国专利5,741,626描述一种制备介电TaN层的方法。此外，美国专利4,789,648描述一种在绝缘薄膜上制备多层金属化层与金属化通路的方法。以相同方式，使用金属接点形成互连层与在阱中形成的装置间的电连接。这些金属通路与接点可充各种金属与合金，例如钛(Ti)、氮化钛(TiN)、铝铜(Al-Cu)、铝硅(Al-Si)、铜(Cu)、钨(W)与其组合物(下文称为＂通路金属＂)。该通路金属通常使用一种粘结层(即一种障膜)，诸如钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钽(Ta)、氮化钽(TaN)、钨(W)或氮化钨本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于抛光一种多层基板的一层或多层的系统，该多层基板包括第一金属层与第二层，该系统包括（ｉ）一种液态载体、（ｉｉ）至少一种氧化剂、（ｉｉｉ）至少一种抛光添加剂，其提高该系统抛光该基板至少一层的速率，其中该抛光添加剂选自焦磷酸盐、缩合磷酸盐、膦酸与其盐类、胺类、氨基醇类、酰胺类、亚胺类、亚胺基酸、腈类、硝基类、硫醇类、硫代酯类、硫醚类、硫代羟酸类、硫代羰酸类、硫代羧酸类、硫代水杨酸类与其混合物，以及（ｉｖ）一种抛光垫和／或一种磨料。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：王淑敏，弗拉斯塔布鲁西克考夫曼，史蒂文K格鲁姆宾，周仁杰，艾萨克K彻里安，
申请(专利权)人：卡伯特微电子公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]