抛光组合物及使用它的抛光方法技术

一种抛光组合物，它含有下述组分（ａ）－（ｇ）：（ａ）至少一种选自二氧化硅、氧化铝、氧化铈、氧化锆和氧化钛的磨料；（ｂ）脂族羧酸；（ｃ）至少一种选自铵盐、碱金属盐、碱土金属盐、有机胺化合物和季铵盐的碱性化合物；（ｄ）至少一种选自柠檬酸、乙二酸、酒石酸、甘氨酸、α－丙氨酸和组氨酸的促进抛光的化合物；（ｅ）至少一种选自苯并三唑、苯并咪唑、三唑、咪唑和甲苯三唑的防腐蚀剂；（ｆ）过氧化氢和（ｇ）水。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用来抛光半导体、光掩模和各种存储硬盘的基材的抛光组合物，具体涉及一种在例如半导体工业中用来抛光器件晶片的平面使之平整的抛光组合物，还涉及采用该组合物的抛光方法。更具体地说，本专利技术涉及这样一种抛光组合物，在对半导体器件应用所谓的化学机械抛光(下面称为“CMP”)技术的抛光步骤中，在加工器件晶片的过程中，它的效率高，选择性高，并可用来形成优良的抛光表面；还涉及采用该组合物的抛光方法。
技术介绍
包括电脑的所谓高技术产品近年来进展很大，用于这些产品的部件例如ULSI器件，已逐年被开发出来，以便达到高集成度和高速度。伴随着这些进展，半导体器件的设计尺度逐年精细化，在制造器件的过程中，聚焦深度日益变浅，形成图案的表面的平整化要求也就越来越严格。另外，为了对付由于在器件上布线细化导致的线路电阻增大问题，研究了采用铜代替钨或铝作为布线材料。根据其本性，铜几乎不能通过侵蚀进行加工，因此它需要下述加工。即在绝缘层上形成布线的凹槽和通道之后，通过溅涂或电镀形成铜线(所谓的金属镶嵌方法)，接着，将沉积在绝缘层上不需要的铜层用化学机械抛光(下面称为CMP)法除去，化学机械抛光是机械抛光和化学抛光的结合。但是，在这种加工中也可能发生铜原子扩散进入绝缘层内，破坏器件性能的情况。因此，为了防止铜原子的扩散，研究了在形成了布线的凹槽或通道的绝缘层上提供一隔离层。作为这种隔离层的材料，从图案的可靠性角度考虑，金属钽或一种钽化合物(下面一般称为含钽化合物)是很适合的，预计将来是大多使用的。因此，在对这种包含该铜层和含钽化合物的半导体器件进行CMP加工的过程中，首先分别抛光最外层的铜层，然后抛光作为隔离层的含钽化合物层，当抛光达到二氧化硅或单氟氧化硅(SiOF)绝缘层时，抛光就告结束。作为理想的抛光过程，要求仅使用一种抛光组合物，在一个抛光步骤中将铜层和含钽化合物层均匀地抛光除去，当达到绝缘层时要结束抛光过程。但是，铜和含钽化合物的硬度、化学稳定性和其他机械性能都不同，因此加工性能不同，所以，难以采用这种理想的抛光方法。因此，研究了下述的两步抛光方法，即抛光过程分为两步。首先，在第一步抛光步骤中(下面称为第一抛光)，采用能够高效抛光铜层的抛光组合物，对铜层进行抛光，此时例如含钽化合物层作为阻挡层，直至达到例如含钽化合物层。在这里，为了不在铜层表面上形成各种表面缺陷例如凹坑、磨蚀、沉陷等，在达到含钽化合物层之前，即仍保留微量铜层时，可以立刻终止第一步抛光。接着，在第二步抛光步骤(下面称为第二抛光)中，使用能够高效地主要抛光含钽化合物层的抛光组合物，对留下的薄铜层和含钽化合物层进行抛光，此时绝缘层用作阻挡层，当达到绝缘层时，结束抛光。这里，沉陷、凹坑和磨蚀是由于对布线部分过分抛光而形成的表面缺陷，这分别是由布线层(该情形下是铜)与绝缘层或含钽化合物层之间的硬度差异、对布线层进行的侵蚀、并主要由施加到单位面积上的压力差异引起的，这些表面缺陷会使布线层的横截面积减小。因此，制造器件时，这些表面缺陷会在相应的部位增大线路电阻，或在极端情形下导致断路。用于第一抛光的抛光组合物需要具有这样的性能，它在铜层表面上能够以高磨削速率抛光铜层，同时不会形成不能被第二抛光除去的上述各种表面缺陷。关于这种抛光铜层的抛光组合物，例如，JP-A-7-233485揭示了一种铜类型金属层用的抛光液体，它含有至少一种选自氨基乙酸(以后称为甘氨酸)和酰胺硫酸的有机酸、氧化剂和水，而且揭示了使用这种抛光液体制造半导体器件的方法。此外，JP-A-8-83780揭示了一种磨料，它含有氨基乙酸和/或酰胺硫酸、氧化剂、水和苯并三唑或其衍生物，和使用该磨料制造半导体器件的方法。但是，本专利技术人进行的实验结果证实，使用仅含有磨料、甘氨酸和过氧化氢的抛光组合物抛光有图案的铜层，抛光后铜上的化学侵蚀效果和铜表面上的磨蚀会很显著，可能形成深坑。此外，为了抑制铜表面上的腐蚀，加入具有抑制对铜化学侵蚀作用的苯并三唑时，如果苯并三唑的加入量太大，那么铜层的磨削速率就会太低，抛光时间很长，这样效率不高。另外，苯并三唑的加入量太少时，就不能获得充分抑制化学侵蚀效果的作用，由此就不能充分抑制铜表面上的磨蚀。本专利技术人进行了实验，得到的结论是使用含有磨粒、甘氨酸、苯并三唑和水的抛光组合物抛光铜线时，未能找到一种组合物进行最佳抛光。所以，迫切需要开发一种抛光组合物，它具有铜层磨削速率高和铜层上化学侵蚀作用低的两种性能。
技术实现思路
本专利技术就是为了解决上述问题。即，本专利技术的一个目的是提供一种抛光组合物，在抛光具有器件的图案并包含形成于基材上的至少一层铜和一层含钽化合物的晶片的过程中，使用它进行抛光时，铜层的磨削速率高，同时对铜层的化学侵蚀作用受到抑制。本专利技术就是为了达到上述目的，提供一种含有下述各组分的抛光组合物(a)至少一种选自二氧化硅、氧化铝、氧化铈、氧化锆和氧化钛的磨料；(b)脂族羧酸；(c)至少一种选自铵盐、碱金属盐、碱土金属盐、有机胺化合物和季铵盐的碱性化合物；(d)至少一种选自柠檬酸、乙二酸、酒石酸、甘氨酸、α-丙氨酸和组氨酸的促进抛光的化合物；(e)至少一种选自苯并三唑、苯并咪唑、三唑、咪唑和甲苯三唑的防腐蚀剂；(f)过氧化氢；(g)水。本专利技术还提供上述的抛光组合物，其中组分(b)是脂族单羧酸，它在碳原子数至少为10的饱和烃或具有一个不饱和键的烃的主链上有一个羧基；和上述的抛光组合物，其中组分(b)是至少一种选自月桂酸、亚油酸、肉豆蔻酸、软脂酸、硬脂酸和油酸的组分。本专利技术还提供上述的抛光组合物，其中组分(c)是至少一种选自氨、乙二胺、氢氧化四甲铵、氢氧化四乙铵、氢氧化钾、氢氧化钠、哌啶、哌嗪和乙醇胺的组分；和上述的抛光组合物，其中组分(e)是苯并三唑。本专利技术还提供用上述抛光组合物抛光半导体器件的方法，所述半导体器件具有形成于基材上的至少一层铜和一层含钽的化合物层。通常作为磨料，已知使用例如金属的氧化物、氮化物或碳化物的细粒。具体地说，本专利技术的抛光组合物使用至少一种选自氧化铝、氧化硅、氧化铈、氧化锆和氧化钛的组分。其中优选二氧化硅，更优选二氧化硅胶体。本专利技术抛光组合物中磨料的浓度通常为0.2-250g/l，优选0.5-200g/l，更优选5-100g/l。如果磨料的浓度太低，机械抛光力会减小，由此在有些情形下，铜层的磨削速率会下降。而如果磨料的浓度太高，机械抛光力会增大，由此，含钽的化合物层的抛光速率就太高，可能形成磨蚀。在本专利技术中，为了抑制对铜的化学侵蚀作用，加入脂族羧酸。它通常指在饱和烃或具有一个不饱和键的烃的主链上至少有一个羧基的化合物。具体地说，它可以是例如月桂酸、亚油酸、肉豆蔻酸、软脂酸、硬脂酸、油酸、癸二酸或十二烷基酸。在这些脂族羧酸中，优选具有至少10个碳原子的脂族羧酸，更优选的是具有一个羧基的所谓单羧酸。此外，在这些化合物中，优选在水中的溶解度至多为0.2g/100g。从这样的角度考虑，优选作为脂族羧酸的是月桂酸、亚油酸、肉豆蔻酸、软脂酸、硬脂酸或油酸，更优选油酸。脂族羧酸的加入量通常为0.00003-0.005mol/l，优选0.0002-0.002mol/l，以抛光组合物为基准。如果脂族羧酸的加入量低于0.00003mol/l，就不会充分抑制对铜层的化学侵本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抛光组合物，它含有下述组分（ａ）－（ｇ）：（ａ）至少一种选自二氧化硅、氧化铝、氧化铈、氧化锆和氧化钛的磨料；（ｂ）脂族羧酸；（ｃ）至少一种选自铵盐、碱金属盐、碱土金属盐、有机胺化合物和季铵盐的碱性化合物；（ｄ）至少一种选 自柠檬酸、乙二酸、酒石酸、甘氨酸、α－丙氨酸和组氨酸的促进抛光的化合物；（ｅ）至少一种选自苯并三唑、苯并咪唑、三唑、咪唑和甲苯三唑的防腐蚀剂；（ｆ）过氧化氢；（ｇ）水。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：浅野宏，酒井谦儿，伊奈克芳，
申请(专利权)人：不二见株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]