本发明涉及用于化学机械抛光的多层抛光垫，其包含顶层、中间层及底层，其中，该顶层与该底层通过该中间层而接合在一起，且没有使用粘合剂。本发明还涉及包含光学透射区域的多层抛光垫，其中，该多层抛光垫的各层接合在一起而没有使用粘合剂。

本发明提供一种用于低介电常数的介电材料的化学机械抛光的组合物及方法。该组合物包含颗粒状研磨材料、至少一种包含亲水部分和亲油部分的不含有机硅的非离子型表面活性剂、至少一种包含亲水部分和亲油部分的含有有机硅的非离子型表面活性剂、以及为此的含...

本发明涉及使用水溶性氧化剂的碳化硅抛光方法。本发明方法包括用包含液体载体、研磨剂和氧化剂的抛光组合物对包含至少一个碳化硅层的基材进行化学机械抛光。

本发明提供用于平坦化或抛光表面的组合物及方法。一种组合物包含0.01重量%至20重量%的α-氧化铝颗粒，其中所述α-氧化铝颗粒具有200nm或更小的平均直径，且80%的所述α-氧化铝颗粒具有500nm或更小的直径；有机酸；腐蚀抑制剂；及...

本发明涉及抛光含钨基材的方法，具体地说，本发明提供一种通过使用包含钨蚀刻剂、钨蚀刻抑制剂及水的组合物对含钨基材进行化学机械抛光的方法，其中该钨抛光抑制剂为包含至少一种含有至少一个含氮杂环或叔氮或季氮原子的重复基团的聚合物、共聚物或聚合物...

本发明涉及用于抛光氮化硅的组合物及方法。本发明的化学机械抛光组合物包含(a)研磨剂、(b)0.1mM至10mM的丙二酸、(c)0.1mM至100mM的氨基羧酸、(d)0.1mM至100mM的硫酸根离子和(e)水，且具有1至6的pH值。本...

本发明提供用于抛光基材的化学机械抛光组合物。该抛光组合物包含：二氧化硅；选自四烷基铵盐、四烷基鏻盐、咪唑鎓盐及胺取代的硅烷的化合物；具有７个或更多个碳原子的羧酸；氧化金属的氧化剂；和水。本发明进一步提供用上述抛光组合物化学机械地抛光基材...

本发明提供用于抛光含硅基材的化学机械抛光（ＣＭＰ）组合物和方法。本发明的方法包括以下步骤：使含硅基材与抛光垫和含水ＣＭＰ组合物接触，和使该抛光垫与该基材之间发生相对运动，同时保持该ＣＭＰ组合物的一部分与该基材的该表面接触以磨除该基材的至...

本发明涉及对基材的表面进行化学－机械抛光的方法，其包括使包含镍－磷的基材的表面与包含湿法二氧化硅、使镍－磷氧化的试剂和氨基多羧酸的化学－机械抛光组合物接触，其中所述抛光组合物具有１～５的ｐＨ，和磨除所述镍－磷的至少一部分以抛光所述基材。

本发明涉及包含表面活性剂的化学机械抛光组合物，更具体地说，本发明提供一种抛光组合物，其包括热解法氧化铝，α-氧化铝，二氧化硅，非离子表面活性剂，金属螯合有机酸，及液体载体。本发明还提供一种化学机械抛光基板的方法，其包括将基板与抛光垫和化...

本发明提供了一种抛光基底的方法，该方法包括下列步骤(i)提供一种抛光组合物，(ii)提供一种包括至少一个金属层的基底，和(iii)以该抛光组合物研磨至少一部分金属层，以抛光该基底。该抛光组合物包括研磨剂和液体载体，其中研磨剂包括具有这样...

本发明涉及微孔抛光垫，更具体地说，本发明提供用于化学-机械抛光的包括多孔发泡体的抛光垫及其制造方法。一个具体实施方式中，该多孔发泡体平均孔径为50微米或以下，其中75％或以上的孔隙具有平均孔径20微米或以下的孔径。在一个具体实施方式中，...

本发明提供一种含有阳离子研磨剂、阳离子聚合物、无机卤化物盐及含水载体的化学机械抛光组合物。本发明还提供一种用上述抛光组合物对基板进行化学机械抛光的方法。该抛光组合物显示出对氮化硅的移除优先于对氧化硅及多晶硅的移除的选择性。

本发明公开了一种改进的组合物和抛光蓝宝石表面的方法。该方法包括 用抛光浆液研磨蓝宝石表面，例如蓝宝石晶片的C面或R面表面，其中抛 光浆液包含悬浮在含水介质中的研磨量的无机研磨材料例如胶体二氧化硅， 其中该含水介质中溶解有盐化合物。该含水...

本发明提供用于抛光基板的化学机械抛光组合物。该抛光组合物包含氧化剂、钙离子、有机羧酸及水，其中该抛光组合物具有１．５至７的ｐＨ值。本发明进一步提供一种利用上述抛光组合物对基板进行化学机械抛光的方法。

本发明提供一种适于抛光低ｋ介电材料的化学机械抛光（ＣＭＰ）组合物。该组合物包含颗粒状研磨材料、至少一种包含亲水部分和亲油部分的不含有机硅的非离子型表面活性剂、至少一种包含亲水部分和亲油部分的含有有机硅的非离子型表面活性剂、以及为此的含水...

本发明提供一种用于抛光基材的化学机械抛光组合物。该抛光组合物包含研磨剂、氧化剂、两亲性非离子型表面活性剂、钙离子或镁离子、铜腐蚀抑制剂及水，其中该抛光组合物的ｐＨ值为６至１２。本发明进一步提供用上述抛光组合物对基材进行化学机械抛光的方法。

本发明化学机械抛光组合物包含液体载体、过氧化氢、苯并三唑和卤素阴离子。本发明方法包括用该抛光组合物对基材进行化学机械抛光。

本发明提供适用于在约１１０ｇ／ｃｍ↑［２］或更小的下压力下抛光玻璃基板的玻璃抛光组合物及方法。一种优选的抛光组合物包含悬浮于含有聚合物稳定剂及任选的水溶性无机盐的含水载体中的颗粒状二氧化铈研磨剂，其中，所述聚合物稳定剂的量例如为约５０至...

本发明提供用于抛光含铜基材的化学机械抛光（ＣＭＰ）方法和组合物。本发明的方法涉及用本发明的ＣＭＰ组合物研磨含铜基材的表面，优选该研磨在氧化剂（例如，过氧化氢）的存在下进行。本发明的ＣＭＰ组合物包含粒状研磨剂、铜络合剂、铜钝化剂和含水载体...