用于抛光镶嵌结构中的铝/铜及钛的组合物制造技术

本发明专利技术提供用于抛光基板的化学机械抛光组合物。该抛光组合物包含氧化剂、钙离子、有机羧酸及水，其中该抛光组合物具有１．５至７的ｐＨ值。本发明专利技术进一步提供一种利用上述抛光组合物对基板进行化学机械抛光的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及化学机械抛光组合物及方法。
技术介绍
集成电路由数百万个形成于基板例如硅晶片之中或之上的有源器件构 成。有源器件以化学及物理方式连接到基板中，并且通过使用多层互连而互 相连接形成功能电路。在一种制造方法中，通过常规的干式蚀刻方法将介电 基板图案化以形成用于垂直及水平互连的孔及沟槽。然后任选地用扩散阻挡 层和/或粘着促进层涂覆经图案化的表面，随后沉积金属层以填充沟槽及孔。采用化学机械抛光(CMP)以减小金属层的厚度、以及扩散阻挡层和/或粘着促 进层的厚度，直至暴露出下伏介电层，从而形成电路装置。一种在二氧化硅基板上制造平面金属电路迹线的途径称为镶嵌方法 (damascene process)。根据该方法，任选地具有沉积于其上的氮化硅层的二氧 化硅介电表面通过以下来图案化涂布光刻胶，将该光刻胶暴露于穿过图案 的辐射以限定沟槽和/或通孔，然后使用常规干式蚀刻方法以形成用于垂直及 水平互连的孔及沟槽。氮化硅起到"硬掩模，，的作用以保护不是沟槽和/或通 孔的一部分的二氧化硅表面在蚀刻期间免受损害。用粘着促进层(例如钛或 钽)和/或扩散阻挡层(例如氮化钛或氮化钽)涂覆该图案化的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学机械抛光组合物，包含：　（ａ）研磨剂；　（ｂ）选自过氧化物、过硫酸盐、铁盐、及其组合的氧化剂；　（ｃ）２５至４００ｐｐｍ的钙离子；　（ｄ）有机羧酸；及　（ｅ）水，　其中该抛光组合物具有１．５至７的 ｐＨ值。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗拉斯塔布鲁西克，周仁杰，保罗菲尼，克里斯托弗汤普森，
申请(专利权)人：卡伯特微电子公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]