【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及化学机械抛光组合物及方法。
技术介绍
集成电路由形成在基板上或基板中的数百万个有源器件构成，该基板例 如硅晶片。所述有源器件以化学方式和物理方式连接到基板中且通过使用多层互连而互联形成功能电路。典型的多层互连包含第一金属层、层间介电层、 及某些情况下的第二及后续的金属层。诸如掺杂及未掺杂的二氧化硅(Si02)及/或低k电介质的层间电介质用以电隔离不同的金属层。形成每一层时，通 常使该层平坦化以使后续各层能够形成在该新形成的层上。鴒正在愈来愈多地用作导电材料以形成集成电路器件内的互连。 一种在 二氧化硅基板上制作平坦鴒电路迹线(circuit trace)的方式称作镶嵌工艺。根 据该工艺，通过涂覆光刻胶、将该光刻胶暴露于穿过图案的辐射以界定沟槽 和/或通孔、随后使用常规干式蚀刻工艺形成用于垂直及水平互连的孔及沟 槽，对具有沉积在其上的氮化硅层的二氧化硅电介质表面进行图案化。氮化 硅起"硬掩模"的作用以保护非沟槽及/或通孔的部分的二氧化硅表面在蚀刻 期间免受损坏。用粘合促进层(诸如，钛)和/或扩散阻挡层(诸如，氮化钛)覆 盖经图案化的表面。接着用鴒层...
【技术保护点】
一种化学机械抛光组合物，其包含： （ａ）研磨剂， （ｂ）０．１ｍＭ至１０ｍＭ的丙二酸， （ｃ）０．１ｍＭ至１００ｍＭ的氨基羧酸， （ｄ）０．１ｍＭ至１００ｍＭ的硫酸根离子，及 （ｅ）水， 其中该抛光组合物具有１至６的ｐＨ值。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈湛，罗伯特瓦卡希，菲利普卡特，杰弗里戴萨德，
申请(专利权)人：卡伯特微电子公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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