【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种化学机械抛光组合物及使用该组合物抛光基板的方法。
技术介绍
下一代半导体器件的发展强调使用具有比上一代金属的电阻率值更低 的金属(诸如，铜)，以减小器件上的导电层之间的电容并增加电路能工作的 频率。 一种用以在二氧化硅基板上制造平坦铜电路迹线的方式被称为镶嵌工艺。根据该工艺，二氧化硅介电表面通过常规的干式蚀刻工艺得以图案化， 以形成用于垂直及水平互连的孔及沟槽。图案化表面涂覆有诸如钽或钛的粘 着促进层，及/或诸如氮化钽或氮化钛的扩散阻挡层。然后，在粘着促进层和 /或扩散阻挡层的外面涂覆铜层。使用化学机械抛光来减小铜外涂层的厚度及 任何粘着促进层和/或扩散阻挡层的厚度，直至获得暴露二氧化硅表面的升高 部分的平坦表面。通孔及沟槽保持填充有形成电路互连的导电铜。钽及氮化钽为在镶嵌工艺中用作基于铜的器件的粘着促进层及/或扩散 阻挡层的尤其适合的材料。然而，钽及氮化钽的性质不同于铜的性质，它们 的化学惰性更为显著，使得可用于对铜进行抛光的抛光组合物往往不适用于 移除在下面的钽和氮化钽。通常，钽层的抛光需要包含氧化剂(例如，过氧化氢)且具有高固体载荷(即...
【技术保护点】
一种用于抛光基板的化学机械抛光组合物，其包含： （ａ）０．０５重量％至１０重量％的研磨剂， （ｂ）０．０５重量％至４重量％的碘酸根离子， （ｃ）０．０１重量％至１重量％的选自含氮Ｃ↓［４－２０］杂环及Ｃ↓［１－２０］烷基胺的含氮化合物，及 （ｄ）包含水的液体载体， 其中该抛光组合物的ｐＨ值为１至５。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：李守田，菲利普卡特，张剑，
申请(专利权)人：卡伯特微电子公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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