本发明提供无需特殊的制造装置，而抑制制造时的结晶缺陷的产生的具有ＤＳＯＩ晶体管的半导体装置的制造方法以及半导体装置。首先，在Ｓｉ基板（１）上形成ＳｉＧｅ层（３），并对ＳｉＧｅ层（３）中的源极形成区域和漏极形成区域所夹持的部分进行蚀刻并去...

本发明提供一种即使绝缘膜形成得不厚，也能降低结电容的半导体基板以及半导体装置、它们制造方法、半导体基板的设计方法。所述半导体基板具有：设置在元件形成区域的Ｓｉ基板（１）上、足够厚（例如１００［ｎｍ］以上的厚度）且杂质浓度比Ｓｉ基板（１）...

本发明提供可靠性高的半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法，包括：准备半导体基板（１０）的工序，所述半导体基板（１０）具有多个电极（１４），并在形成有电极（１４）的面上形成有凹部（１５）；在半导体基板（１０）上，按照其一部分进入凹...

一种电子基板的制造方法，其中，准备基板和掩模，在基板上形成配线图案，在所述掩模的规定区域形成开口部，将形成有所述开口部的所述掩模粘贴于所述基板，经由所述掩模的所述开口部，除去形成于所述基板上的所述配线图案的至少一部分，由此在所述基板上形...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置在单晶半导体基板（１１）上形成埋入氧化膜（１２），在埋入氧化膜（１２）上形成有构成背栅电极的第１单晶半导体层（１３）。并且，第１单晶半导体层（１３）上形成埋入氧化膜（１４），在埋入氧化膜...

本发明提供一种可在焊盘的下方设置半导体元件的高可靠性的半导体装置。本发明的半导体装置包括：半导体层（１０）、设于所述半导体层（１０）上面的层间绝缘层（５０，６０，７０，８０，９０）、设于所述层间绝缘层上面的缓冲层（７２，８２，９２）、以...

本发明为解决上述的课题，其目的在于，提供一种用于以高生产率制造可靠性优异的电子器件的电子器件制造方法，以及通过该制造方法制造的电子器件。集成电路（１）包括双层构造的接合焊盘（８），该接合焊盘（８）经由接触孔（１０）与导电布线（５）连接，...

提供一种制造方法更简单的接合焊盘的制造方法、接合性良好的接合焊盘、及电子设备的制造方法、电子设备。接合焊盘（４５）的制造方法包括：通过液滴喷出法在基体（Ｐ）上配置由包含导电性材料的液体构成的液滴（Ｌ）的工序；及使液滴（Ｌ）固化，形成焊盘...

一种半导体装置的制造方法，包括：在晶片上，以避开形成有电极的晶片上的电极的至少一部分的状态，形成应力缓和层的工序；形成由从电极被设置到应力缓和层上的布线所构成的布线层的工序；在应力缓和层的上方形成连接到布线层的布线的外部电极的工序；其特...

本发明目的之一是提供一种制膜方法或图案形成方法，其能够通过利用反应活性物种等的化学物种，而简便地形成膜。本发明提供一种制膜方法，从至少一个喷嘴吐出化学物种或其前体，在基体上配置由所述化学物种构成的多个膜。本发明提供一种图案形成方法，从至...

本发明的半导体基板的制造方法是，在Ｓｉ基板（１）上形成ＳｉＧｅ层，在ＳｉＧｅ层上形成蚀刻选择比小于ＳｉＧｅ层的Ｓｉ层（５）。接着，在Ｓｉ层（５）以及ＳｉＧｅ层形成使Ｓｉ基板（１）露出的孔，并以嵌入孔且覆盖Ｓｉ层（５）的方式，在Ｓｉ基板（...

提供一种安装性良好的半导体装置。半导体装置包括：形成有电极（１４）的半导体基板（１０）；形成在半导体基板（１０）上且沿着一条直线（１００）排列的多个树脂突起（２０）；形成在树脂突起（２０）上且与电极（１４）电连接的多个电连接部（３０）。...

本发明涉及一种安装性高的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：具有电极（１４）的半导体基板（１０）；树脂突起（２０），其在半导体基板（１０）的形成有电极（１４）的面上形成，形成沿一直线（２１）延伸的形状；与电极（１４）电连接，形成至树...

一种晶体管电路（１００），包括源极和漏极间的电导受输入电压控制的驱动用晶体管（１１０）和栅极与源极或漏极连接并经该源极和漏极对驱动用晶体管的栅极供给输入信号的补偿用晶体管（１２０）。可以用较低的输入电压进行控制，而且，能够补偿驱动用晶体...

本发明提供一种安装性高的半导体装置及可靠性高的电子模块以及电子模块的制造方法。半导体装置包括：具有电极（１４）的半导体芯片（１０）；于半导体芯片（１０）的已形成了电极（１４）的面形成的多个树脂突起（２０）；与电极（１４）电连接而成并形成...

一种半导体装置，包括：半导体芯片（１０）；多个电极（１４），其形成于半导体芯片（１０），并沿着半导体芯片（１０）的一条边（１５）排列；树脂突起（２０），其形成在半导体芯片（１０）上，形状为沿着与边（１５）的交叉方向延伸的形状；多个电连接...

本发明提供了一种半导体装置，包括：半导体层（１０）；电极垫（２０），设置于上述半导体层（１０）的上面；绝缘层（３０），设置于上述电极垫（２０）上，具有使该电极垫（２０）至少一部分露出的开口（３２）；以及凸起（４０），至少设置于上述开口（...

本发明的电光装置特征在于：分离区域（３０）设置于按网格状延伸地相互隔开多个下侧遮光膜（５０１）的区域之中的沿Ｙ方向延伸的分离区域（Ｒ２）。引出布线（２４１ａ）及（２４２ａ）在绝缘膜（９１）上，分别形成为沿Ｙ方向延伸，且以使隔开相互的分离...

本发明提供一种在利用多喷嘴头在基板上形成一定的图形时能够在所需的位置喷出液滴的器件的制造方法。在基板（１０１）上喷出液滴时，在基板（１０１）上设定由喷出液滴的多个单位区域构成的位图。在设定单位区域时，将液滴喷出头（１）的喷嘴（１０）的间...

一种半导体器件的制造方法，包括：凹凸形状形成步骤，用于在基板的其上形成电子电路的有源表面侧的一部分上形成凹凸形状；孔形成步骤，用于通过蚀刻其上已经形成了凹凸形状的区域形成孔部，所述孔部的总宽度大体等于其上已经形成凹凸形状的区域的宽度，且...