本发明提供即使基板弯曲（变形），但晶体管的特性变化少的半导体装置、电光学装置、电子仪器。本发明的半导体装置，包括：半导体层、使用所述半导体层而形成的第１和第２晶体管，对所述半导体层的弯曲，使所述第１和第２晶体管的各电导互补性地变化。即使...

本发明提供一种绝缘性优良的复合氧化物层压体及其制造方法。包括：基板（２０）；形成在所述基板（２０）的上方、用通式ＡＢＯ↓［３］表示的第一复合氧化物层（２４）；以及形成在所述第一复合氧化物层（２４）的上方、用通式ＡＢ↓［１－ｘ］Ｃ↓［ｘ］...

本发明提供一种半导体装置，包括形成集成电路（１２）的半导体芯片（１０）、形成在半导体芯片（１０）上且排列为多行多列的电极（１４）、在半导体芯片（１０）的形成电极（１４）的面上形成的多个树脂突起（２０）和形成在树脂突起（２０）上的多个电连...

本发明提供前体溶液的制造方法，是用于采用溶胶凝胶法形成将Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉ以及Ｎｂ作为构成元素的ＰＺＴＮ复合氧化物的前体溶液的制造方法，包括：至少将羧酸铅溶解于具有烷氧基的有机溶剂中形成第１溶液的工序；加热处理上述第１溶液而除去上述羧酸铅...

本发明提供了一种结合结构和引线结合方法。结合引线连接至结合片的结合部分（２００）由引线边缘侧上的第一连接部分（２０１）和与第一连接部分（２０１）连续的第二连接部分（２０２）组成。与１５０℃的常用引线结合温度相比，即使以相对较低的温度进行...

本发明的目的在于提供一种能够高密度配置电极、且能够利用集成电路的设计上的制约少的半导体芯片的半导体装置。半导体装置包括：半导体芯片（１０），其形成有集成电路（１２）；电极（１４），其形成在半导体芯片（１０）的第一区域，排列成多行多列；树...

一种液晶显示装置的制造方法，具有：在基板的上面形成具有透光性的贮存格的贮存格形成工序；在由所述贮存格区分的扫描区域上喷出含有导电性材料的液滴，以形成第一导电性图案的导电性图案形成工序；和形成由薄膜半导体组成的薄膜晶体管和绝缘层，以使至少...

液体材料以液滴形式被放置在衬底上以在衬底上形成薄膜。液体材料中固体的浓度和液滴的干燥速度中至少一个被用作控制液滴的干薄膜形状的参数。此外，第一液滴被放置在衬底上，第一液滴被干燥以形成其形状为边部厚度大于中心部分厚度的干薄膜，第二液滴被放...

一种晶体管电路（１００），包括源极和漏极间的电导受输入电压控制的驱动用晶体管（１１０）和栅极与源极或漏极连接并经该源极和漏极对驱动用晶体管的栅极供给输入信号的补偿用晶体管（１２０）。可以用较低的输入电压进行控制，而且，能够补偿驱动用晶体...

根据第一方面，本发明提供了半导体膜的形成方法，包含在衬底表面上提供包含第一有机半导体和第二有机半导体的溶液的第一步骤。然后将所述溶液干燥而形成半导体膜，以使它包含在第二有机半导体基体中的第一有机半导体离散畴，所述的第二有机半导体基体电连...

在半导体基板（１１）上设置形成ＳＯＩ结构的ＳＯＩ形成区域（Ｒ１）及形成成块（ｂｕｌｋ）结构的成块区域（Ｒ２），在ＳＯＩ形成区域（Ｒ１）中，将借助于绝缘层（１３）以外延生长成膜的半导体层（１４）形成在半导体基板（１１）上，同时形成以露出半...

一种电气光学装置由夹于阴极（２２２）和阳极（２３）并配置于基板（２）上的电气光学元件和，驱动电气光学元件的有源元件（２４）和，配置于阴极（２２２）及阳极（２３）的至少一方和基板（２）之间的介电常数在所定值以下的绝缘材料而成的绝缘膜（２８...

提供一种用于实现均匀的抛光速度，而不使夹层绝缘膜变厚的结构，该半导体基片上带有用于像素选择的晶体管区。液晶板基片带有隔离膜１２，第二夹层绝缘膜１１，导线膜１０，像素电极，和连接插头１５。下部模型图形Ａ和上部模型图形Ｂ在非像素区中的输入接...

本发明提供可以降低光学扩展量，并且以高的偏振变换效率供给光的发光元件等。其具有：设置于基准面（ＳＳ）上、供给光的发光部（１０１），和设置于发光部（１０１）的出射侧的结构体（１０２）；结构体（１０２），具有：使第１振动方向的偏振光进行透射...

公开了一种用于制造电子器件的方法，所述方法包括：在衬底上创建表面能图案；以及将第一流体刷涂到衬底上以形成与衬底上的表面能图案相对应的流体图案。同样公开了一种薄膜晶体管，包括：导电层；在导电层上形成的绝缘体层；在绝缘体层上形成的导电材料图...

本发明提供高信赖性的半导体装置，其包括：由多个电极（１４）构成且形成有电极（１４）的面（１５）形成长方形的半导体芯片（１０）；和在半导体芯片（１０）上形成的多个树脂突起（２０）；和被与电极（１４）电连接而成的具有在树脂突起（２０）上形成...

本发明的液状体的喷出量测定方法包含：根据计测用喷出数据驱动液滴喷出头，以变为可测定的量的方式设定喷出数，把液状体作为液滴从喷嘴喷出的计测用喷出步骤（步骤Ｓ２）；计测所喷出的液状体的喷出量的计测步骤（步骤Ｓ３）；从计测的喷出量和喷出数计算...

以避开Ｐ阱（２）及Ｎ阱（１２）的方式在半导体基板（１）上配置ＳＯＩ形成区域（Ｒ１、Ｒ１１），且在Ｐ阱（２）及Ｎ阱（１２）分别配置块状区域（Ｒ２、Ｒ１２），在ＳＯＩ形成区域（Ｒ１、Ｒ１１）分别形成Ｎ沟道场效应型ＳＯＩ晶体管及Ｐ沟道场效应型...

本发明提供一种电光装置和电子仪器。所述电光装置是一种适合于窄框化的电光装置，在第一电极在衬底上配置为矩阵状的第一电极区域的周围，配置有与所述第一电极相连接的发光用电源布线和连接了与所述第一电极之间夹着功能层的第二电极的第二电极用布线，其...

一种有源矩阵基板，在基板上形成有第一布线（４０）、和宽度比第一布线（４０）窄且与第一布线（４０）连接的第二布线（４１）。其制造方法包括：形成跨过基板上的第一布线形成区域（５２）以及第二布线形成区域（５４）的第一导电层（Ｆ１）的工序；和形...