有源矩阵基板及其制造方法、以及电光学装置及电子设备制造方法及图纸

一种有源矩阵基板，在基板上形成有第一布线（４０）、和宽度比第一布线（４０）窄且与第一布线（４０）连接的第二布线（４１）。其制造方法包括：形成跨过基板上的第一布线形成区域（５２）以及第二布线形成区域（５４）的第一导电层（Ｆ１）的工序；和形成在第一布线形成区域（５２）中以层叠在第一导电层（Ｆ１）上的状态，并在第二布线形成区域（５４）中相对于第一导电层（Ｆ１）以非层叠状态配置的第二导电层（Ｆ２）的工序。由此，可形成平坦性高的图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有源矩阵基板及其制造方法、以及电光学装置及电子设备。
技术介绍
随着笔记本电脑、移动电话等便携设备的普及，薄且轻量的液晶显示装置等被广泛使用。这种液晶显示装置等是在上基板和下基板之间夹持有液晶层的设备。图21表示所述下基板(有源矩阵基板)的一个例子。如该图所示，下基板1包括玻璃基板2；在该玻璃基板2上以相互交叉的方式布线的栅极扫描电极3和源电极4；同样布线于玻璃基板2上的漏电极5；与该漏电极5连接的像素电极(ITO)6；介于栅极扫描电极3和源电极4之间的绝缘层7；和由薄膜半导体构成的TFT(Thin Film Transistor)8。在上述下基板1中的各金属布线的形成中，例如如专利文献1所述，采用了反复多次进行组合了干法工艺和光致蚀刻的工序的方法。可是，在该技术中，由于组合了干法工艺和光致蚀刻的处理进行多次，所以，存在着材料费和管理费容易增加，且成品率也难以提高的问题。因此，近年来，作为电子装置的制造过程中使用的涂敷技术，液体喷出方式的利用具有扩大的倾向。基于液体喷出方式的涂敷技术，一般通过一边使基板和液滴喷头相对移动，一边从设置于液体喷头的多个喷嘴将液状体作为液滴进行喷出，在基板上反复附着该液滴，来形成涂敷膜，其具有液状体的消耗浪费少、不使用光刻等方法就可以直接涂敷任意图案的优点。例如，在专利文献2、专利文献3等中公开有下述技术，即，通过从液滴喷头将含有图案形成用材料的功能液喷出到基板上，在图案形成面配置(涂敷)材料，形成半导体集成电路等的微细布线图案。并且，在专利文献4中公开了一种在相对于栅极布线形成宽度窄的栅电极之际，通过将含有导电性材料的液滴涂敷于栅极布线用槽，并利用该液状体的自身流动(毛细管现象)，将液状体配置于栅电极用槽的构成。但是，在上述那样的现有技术中存在着下述问题。形成在栅电极上的TFT元件的特性被非晶硅(amorphous silicon)的平坦性左右，且非晶硅的平坦性受到栅电极的平坦性影响。特别是在通过上述的液滴喷出方式形成了栅电极的情况下，例如，在使用了含有银微粒的液滴时，由于在煅烧时的加热中微粒发生热粘使得粒子变大，所以，表面变粗糙，产生了平坦性降低的问题。专利文献1专利第3261699号公报专利文献2特开平11-274671号公报专利文献3特开2000-216330号公报专利文献4特开2005-012181号公报
技术实现思路
本专利技术考虑了上述情况而提出，目的在于提供一种能够形成平坦性高的图案的有源矩阵基板及其制造方法、具备该有源矩阵基板的电光学装置以及电子设备。为了实现上述目的，本专利技术采用了以下的构成。本专利技术提供一种有源矩阵基板的制造方法，所述有源矩阵基板在基板上形成有第一布线、和宽度比所述第一布线窄且与该第一布线连接的第二布线，所述有源矩阵基板的制造方法包括形成跨过基板上的第一布线形成区域及第二布线形成区域的第一导电层的工序；和形成第二导电层的工序，所述第二导电层在所述第一布线形成区域配置成层叠在所述第一导电层上的状态，并且在所述第二布线形成区域配置成相对于所述第一导电层为非层叠状态。因此，在本专利技术的有源矩阵基板的制造方法中，通过利用与金或银等因加热而导致平坦性降低的材料不同的镍等材料来形成第一导电层，并利用银等材料形成第二导电层，从而能够使第二布线的平坦性提高，并且，在第一布线中可以确保低的电阻。而且，在本专利技术中，可以优选采用在所述第二布线的至少一部分上形成开关元件的工序。由此，在本专利技术中，可以使在平坦性提高后的第二布线上形成的开关元件的特性提高。作为所述第一导电层以及所述第二导电层，优选喷出含有第一导电材料的第一液滴和含有第二导电材料的第二液滴来分别形成。由此，在本专利技术中，具有液状体的消耗浪费少，不使用光刻等方法可以直接涂敷任意图案的优点。作为所述第二布线形成区域中的所述第一导电层，可以优选采用使喷出在所述第一布线形成区域的所述第一液滴流动到所述第二布线形成区域而形成的工序。由此，在本专利技术中，例如即使对于宽度比第二液滴的飞翔直径窄的第二布线形成区域，也能够涂敷液滴，可以形成微细的图案。而且，在本专利技术中，优选采用所述第一液滴具有有机系溶剂，所述第二液滴具有水系溶剂的构成。由此，在本专利技术中，弹落于第一布线形成区域的第一液滴容易流动到宽度窄的第二布线形成区域，并且，能够抑制弹落于第一布线形成区域的第二液滴流动到第二布线形成区域。并且，在本专利技术中，优选采用具有下述工序的次序，所述工序包括在所述基板上形成格子状的布线图案的工序，所述格子状的布线图案由所述第一布线及所述第二布线的任意一方在交叉部被分断而成；在所述交叉部以及所述布线图案的一部分上形成由绝缘膜和半导体膜构成的层叠部的工序；在所述层叠部上，形成使所述被分断的布线图案电连接的导电层、以及经由所述半导体膜与所述布线图案电连接的像素电极的工序。由此，在本专利技术中，可以通过经由绝缘膜而形成的导电层，将在同一平面上交叉的格子状布线图案中的在交叉部被分断的布线图案电连接。而且，在本专利技术中，可以减少组合了干法工艺和光致蚀刻的处理，由此，能够实现制造成本的降低和成品率的提高。另外，优选还包括对所述半导体膜实施半曝光处理，形成所述开关元件的工序。因此，在本专利技术中，能够容易地形成开关元件。而且，在本专利技术中，所述布线图案具有源极布线、具有栅电极的栅极布线以及沿着栅极布线近似成直线状延伸的电容线，所述源极布线在所述交叉部被分断，所述第一布线包括所述栅极布线，所述第二布线包括所述栅电极。在该构成中，由于避免了这些布线的接触，所以，能够在同一面上同时形成这些布线。另一方面，本专利技术的有源矩阵基板，其特征在于，利用前面记述的制造方法而制造。因此，在本专利技术中，可以得到具有平坦性优异的布线图案，且提高了开关元件特性的有源矩阵基板。而且，本专利技术的电光学装置具备前面所述的有源矩阵基板。并且，本专利技术的电子设备具备前面所述的有源矩阵基板。由此，在本专利技术中，能够得到开关元件的特性提高了的高品质电光学装置以及电子设备。附图说明图1是有源矩阵基板的局部放大图；图2是有源矩阵基板的等效电路图；图3是液滴喷出装置的概略立体图；图4是液滴喷头的剖视图；图5是表示制造有源矩阵基板的顺序的图；图6是表示后继于图5的顺序的图；图7是表示形成栅极布线以及栅电极的顺序的图；图8是表示形成栅极布线以及栅电极的顺序的图；图9是表示形成栅极布线以及栅电极的顺序的图；图10是表示形成栅极布线以及栅电极的顺序的图；图11是表示后继于图6的顺序的图；图12是表示后继于图11的顺序的图；图13是表示后继于图12的顺序的图； 图14是表示后继于图13的顺序的图；图15是表示后继于图14的顺序的图；图16是表示后继于图15的顺序的图；图17是表示后继于图16的顺序的图；图18是从对置基板侧观察液晶显示装置的俯视图；图19是液晶显示装置的剖视图；图20是表示电子设备的具体例的图；图21是表示现有的有源矩阵基板的图。图中F1-镍层(第一导电层)，F2-银层(第二导电层)，L1-液滴(第一液滴)，L2-液滴(第二液滴)，P-基板，S-催化剂，20-有源矩阵基板，30-TFT(开关元件)，35-层叠部，40-栅极布线(第一布线、布线图案)，41-栅电极(第二布线、布线图案)，42-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有源矩阵基板的制造方法，所述有源矩阵基板在基板上形成有第一布线、和宽度比所述第一布线窄且与该第一布线连接的第二布线，所述有源矩阵基板的制造方法包括：形成跨过基板上的第一布线形成区域及第二布线形成区域的第一导电层的工序；和 形成第二导电层的工序，所述第二导电层在所述第一布线形成区域配置成层叠在所述第一导电层上的状态，并且在所述第二布线形成区域配置成相对于所述第一导电层为非层叠状态。

【技术特征摘要】
JP 2005-11-16 2005-3314391.一种有源矩阵基板的制造方法，所述有源矩阵基板在基板上形成有第一布线、和宽度比所述第一布线窄且与该第一布线连接的第二布线，所述有源矩阵基板的制造方法包括形成跨过基板上的第一布线形成区域及第二布线形成区域的第一导电层的工序；和形成第二导电层的工序，所述第二导电层在所述第一布线形成区域配置成层叠在所述第一导电层上的状态，并且在所述第二布线形成区域配置成相对于所述第一导电层为非层叠状态。2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，具有在所述第二布线的至少一部分上形成开关元件的工序。3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，所述第一导电层及所述第二导电层，通过喷出含有第一导电材料的第一液滴及含有第二导电材料的第二液滴而分别形成。4.根据权利要求3所述的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，所述第二布线形成区域中的所述第一导电层，通过使喷出到所述第一布线形成区域的所述第一液滴流动到所述第二布线形成区域而形成。5.根据权利要求3或4所述的有源矩阵基板的制造方...

【专利技术属性】
技术研发人员：野田洋一，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]