制膜方法和图案形成方法，和采用这些的电子装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术目的之一是提供一种制膜方法或图案形成方法，其能够通过利用反应活性物种等的化学物种，而简便地形成膜。本发明专利技术提供一种制膜方法，从至少一个喷嘴吐出化学物种或其前体，在基体上配置由所述化学物种构成的多个膜。本发明专利技术提供一种图案形成方法，从至少一个喷嘴吐出化学物种或其前体，配置由所述化学物种构成的多个膜。另外，本发明专利技术提供一种使用所述制膜方法或图案形成方法的电子装置的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制膜方法、图案形成方法和采用这些的电子装置的制造方法。
技术介绍
历来，在电子元件的制造中，使用了有爆炸等的危险的短链长的硅烷。为此，需要实现在成本和安全方面的改良。另外，在WO2003/026359号公报中，以提高材料的选择自由度的新的图案形成为目的，提出有一种膜形成装置，并公开了利用这种装置的自由射流(free jet)图案形成方法，该装置具有可调整为规定的真空度的真空室；连接于材料供给源且安装于所述真空室，将来自所述材料供给源的材料供给到该真空室内的喷嘴；使设置于所述喷嘴及基体台之中至少任一方移动的移动机构，通过所述移动机构，将可以控制所述喷嘴和所述基体的相对的位置(专利文献1)。另外，在特开2003-197531号公报中，为了提高材料的选择自由度的全新的制造方法的实施，以最佳的图案形成装置的提供为目的，提出有一种图案形成装置，并公开了利用这种装置的自由射流(free jet)图案形成方法，该装置具有通过向材料照射激光，从该材料使化学物种发生的化学物种发生部；吐出由该化学物种发生部发生的化学物种的喷嘴部；使该喷嘴部和配置有所述化学物种的基体的相对的位置移动的可动机构(专利文献2)。此外，在特开平9-289337号公报中，公开有通过把聚-二-n-正己基-聚硅宾(LDHS-SIRR’-；R＝R’＝C6H13)等作为发光层的EL元件的制作等，而利用硅宾(silylene)的制膜法(专利文献3)。专利文献1WO2003/026359号公报 专利文献2特开2003-197531号公报专利文献3特开平9-289337号公报
技术实现思路
本专利技术包含各种的具体的形态，但在一个具体的形态中，例如，通过利用反应活性物种等的化学物种，可以简便地形成膜。由此，电子元件和电子装置等的制造变得容易。本专利技术的制膜方法，其特征在于，至少从一个喷嘴吐出化学物种或其前体而在基体上配置由所述化学物种构成的多个膜。本专利技术的其他制膜方法，其特征在于，至少从一个喷嘴吐出具有反应活性的化学物种，由此在基体上，形成通过所述化学物种反应而生成的膜。在此制膜方法中，所谓“所述化学物种反应”，其对应例如，(1)所述化学物种彼此反应的情况，及(2)所述化学物种与其他的物质反应的情况。此外，作为(1)的代表例，可列举例如聚合反应。作为(2)的代表例，可列举所述化学物种与其他的物质在气相中反应，在所述基体上堆积的情况，和所述化学物种与所述基体的表面产生化学反应的情况等。另外，所述的制膜方法的最佳形态，以下述的要点为特征。在本专利技术的制膜方法中，所述至少一个的喷嘴也可以是多个的喷嘴。根据这样的结构，可以从所述多个喷嘴的两个以上的喷嘴，同时吐出多种的材料。另外，通过从不同的多个喷嘴吐出同样的材料，能够使每个喷嘴的吐出量等的偏差平均化。例如，从所述多个喷嘴中的至少两个喷嘴吐出不同的两种材料时，使所述至少两个喷嘴接近，或让从所述至少两个喷嘴吐出的气体状的材料，在空间或形成有膜的基体上交叉，以此方式调整所述至少两个喷嘴的相对的位置，也可以进行一种的共蒸镀。在所述的制膜方法中，也可以通过所述化学物种的前体物质的反应，使所述化学物种生成。在所述的制膜方法中，也可以通过切断包含于所述化学物种的前体物质的化学键中至少一种化学键，使所述化学物种生成。在所述的制膜方法中，也可以通过所述前体物质的分子结构由重排反应而变化，使所述化学物种生成。在所述的制膜方法中，也可以通过对所述前体物质施加能量，使所述化学物种生成。为了使所述化学物种产生，作为对所述前体物质施加的能量，可例举例如毫米波；亚毫米波；微波；红外线；可见光线；紫外线；真空紫外；或X射线等的电磁皮和热等。所述电磁波，具体来说，除了水银灯、锌灯、氙灯、或者卤素灯等的通常的光源，还能够由Nd:YAG激光器、准分子激光器(excimer laser)、氮激光器、CO2激光器、钛蓝宝石(ti-sapphire)激光器等的激光器等使之发生。在所述的制膜方法中，优选所述化学物种为反应活性物种，但是作为所述反应活性物种，可列举为例如自由基(radical)、离子、离子基、硅宾和碳烯(carbene)等的低原子价化学物种，具有双键化合物(silaethene)和二硅烯(disilene)等的不稳定的多键的化学物种，五配位和六配位硅酸盐等高配位化学物种等。另外，也可以是通过还原等生成的0价的金属等，具有高的反应活性的化学物种。在所述的制膜方法中，优选所述化学物种具有聚合性。在所述的制膜方法中，也可以是切断包含于所述前体物质的化学键中的至少一个，或通过重排反应而产生。如所述包含于所述前体物质的化学键开裂而生成的化学物种，或通过重排反应而产生的化学物种，因为总的来说反应性高，所以有可能该化学物种彼此，或使之与其他的试剂反应。在所述的制膜方法中，所述化学物种也可以是自由基、离子基、离子或低原子价化学物种。在所述的制膜方法中，优选通过从所述喷嘴吐出所述化学物种，而生成所述化学物种的自由射流。通过采用自由射流，因为从喷嘴吐出的气体状材料所包含的化学物种、或反应活性物种的电子、振动、旋转等的能量能级变成最低水平，所谓能够接近于“冷却状态”，所以可以抑制化学物种或反应活性物种在基体着地时所产生的局部的热的发生。因此形成了膜的周围的影响降低，易于形成细微的膜或图案。另外，因为通过化学物种或反应活性物种成为所述的“冷却状态”，来自化学物种或反应活性物种的副反应被抑制，所以，也可以使由化学物种或反应活性物种形成的膜的构造和性质均一化。在所述的制膜方法中，所述前体物质也可以是包含金属的化合物。在所述的制膜方法中，所述前体物质也可以是在常温常压(25℃，1个气压)下为液体的硅化合物。在所述的制膜方法中，所述化学物种也可以是硅宾。通过将硅宾作为所述化学物种使用，可以由比较温和的条件形成硅膜。在所述的制膜方法中，所述基体含基层膜，所述多个膜的至少一个膜形成于所述基层膜上，所述基层膜，优选包含所述硅宾引起插入反应的键。根据所述这样的结构，因为利用分子级的反应，所以可以进行分子级的膜厚的控制。在所述的制膜方法中，所述硅宾引起插入反应的键，也可以是Z-H基(Z表示硫族元素)或Y-H基(Y表示14族元素)。本专利技术的图案形成方法，其特征在于，从至少一个喷嘴吐出化学物种或其前体，而配置由所述化学物种构成的多个膜。本专利技术的其他的图案形成方法，其特征在于，包含如下工序从至少一个喷嘴吐出具有反应活性的化学物种，在基体上，形成通过各个所述化学物种反应而生成的多个膜。所述的图案形成方法的最佳形态，以如下要点为特征。在所述的图案形成方法中，优选所述至少一个的喷嘴为多个的喷嘴。根据这样的结构，可以从所述多个喷嘴的两个以上的喷嘴同时吐出多种材料。另外，通过从不同的多个喷嘴吐出同相的材料，能够使每个喷嘴吐出量等的偏差平均化。在所述的图案形成方法中，所述化学物种的前体物质也可以是含有金属的化合物。所述的图案形成方法，所述化学物种的前体物质，在常温常压(25℃，1个气压)下可以为液体的硅化合物。在所述的图案形成方法中，所述化学物种也可以是硅宾。通过将硅宾作为所述化学物种使用，可以由比较温和的条件形成由硅构成的图案。在所述的图案形成方法中，也可以将所述多个膜形成于所述基层膜之本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制膜方法，其中，从至少一个喷嘴吐出化学物种或其前体，而在基体上配置由所述化学物种构成的多个膜。

【技术特征摘要】
JP 2005-7-25 2005-214099;JP 2006-7-10 2006-1896871.一种制膜方法，其中，从至少一个喷嘴吐出化学物种或其前体，而在基体上配置由所述化学物种构成的多个膜。2.根据权利要求1所述的制膜方法，其中，所述化学物种为反应活性物种。3.一种制膜方法，其中，从至少一个喷嘴吐出具有反应活性的化学物种，由此在基体上形成通过所述化学物种反应而生成的膜。4.根据权利要求1至3中任一项所述的制膜方法，其中，所述至少一个喷嘴是多个喷嘴。5.根据权利要求1至4中任一项所述的制膜方法，其中，所述化学物种通过所述化学物种的前体物质的反应而生成。6.根据权利要求5所述的制膜方法，其中，所述化学物种，通过切断包含于所述化学物种的前体物质中的化学键之中的至少一个化学键而生成。7.根据权利要求5所述的制膜方法，其中，所述化学物种，通过基于重排反应使所述前体物质的分子结构变化而生成。8.根据权利要求5至7中任一项所述的制膜方法，其中，通过对所述前体物质付与能量而生成所述化学物种。9.根据权利要求1至8中任一项所述的制膜方法，其中，所述化学物种具有聚合性。10.根据权利要求1至9中任一项所述的制膜方法，其中，所述化学物种是自由基、离子基、离子、或低原子价化学物种。11.根据权利要求1至10中任一项所述的制膜方法，其中，通过从所述喷嘴吐出所述化学物种，生成所述化学物种的自由射流。12.根据权利要求5至8中任一项所述的制膜方法，其中，所述前体物质是含有金属的化合物。13.根据权利要求5至8中任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫泽贵士，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]