本发明提供一种电子装置的制造方法，它包括：在基板上形成第一布线的工序、在所述基板上配置已形成为规定形状的台座的工序、形成与所述第一布线连接且在所述台座上延伸的第二布线的工序。

本发明提供：可以高精度、均匀形成微细化或细线化的膜图案的膜图案的形成方法。所述方法包括：在基板（Ｐ）上形成表面已疏液化的第一贮格围堰（Ｂ１）的工序；在由第一贮格围堰（Ｂ１）所划分的区域内配置第一功能液（Ｌ１）的工序；干燥第一功能液（Ｌ１...

提供一种掩膜及其制造方法、制造装置、发光材料的成膜方法、电光学装置及电子仪器。本发明的掩膜的制造方法，具有：准备已形成开口的基体材料和形成了多个贯通孔的掩膜构件的工序；对应于上述开口，将上述掩膜构件与上述基体材料接合的工序；和管理上述掩...

本发明提供能够防止栅电极下面的绝缘膜因受安装时压力的影响而发生断裂的半导体装置及其制造方法、半导体装置的设计方法。该半导体装置包括：设于硅衬底（１）上的晶体管；设于硅衬底（１）上，以覆盖该晶体管的层间绝缘膜（２１）；隔着Ａｌ焊盘（３１）...

在从液滴喷头的喷嘴喷出液状物并涂敷在基板上的液状物的喷出方法和液状物的喷出装置中，在将基板的涂敷区域至少分割为２个区域的情况下，将对于该已分割的某１个区域的液状物的喷出量控制成比对于已分割的其它的区域的液状物的喷出量多。例如可利用旋转涂...

本发明提供一种识别码、识别码的形成方法、液滴喷出装置以及电光学装置。识别码，形成在基板上所规定的代码形成区域。代码形成区域被分割为多个数据单元格。多个点，以分别位于由上述数据单元格中选择出的规定的数据单元格内的方式被附着在基板上。各点，...

本发明提供一种电子元件的制造方法。该电子元件的制造方法按照如下步骤制造单片化的多个电子元件，即：准备具有多个第１区域的第１基板；准备具有多个第２区域的第２基板；将所述第１区域与所述第２区域相互对置，以使功能元件的至少一部分被配置在所述第...

一种半导体装置，在使侧面露出地布图的第１半导体层（３）上，选择外延生长形成第２半导体层（５），对第２半导体层（５）的表面进行热氧化，从而在第２半导体层（５）的表面形成栅极绝缘膜（６）后，介有第２半导体层（５）的侧壁地在绝缘层（２）上形成...

本发明的光掩模的制造方法，其中具备：喷出工序，使用液滴喷出法，向基板上的规定位置喷出含有遮光性材料的液体之液滴；和干燥工序，使所述液体干燥，在所述基板上形成由所述遮光性材料构成的遮光图案。

提供一种图案化方法，包括：（ｉ）预先图案化衬底上的一层材料，（ｉｉ）在预图案化的衬底上旋涂薄膜形成物质的溶液，（ｉｉｉ）干燥被旋涂的溶液以在衬底的未图案化区域和被预图案化的材料的表面和侧面上形成薄膜形成物质的薄膜，（ｉｖ）以这种方式蚀刻...

本发明提供一种像素构造，具有像素电极（２０）、与该像素电极（２０）对应的开关元件（１０）。像素电极（２０）和开关元件（１０）被形成于同一基板（Ｐ）上，像素电极（２０）被配置于基板（Ｐ）侧的层（第１层Ｌ１）中，而不是开关元件（１０）的半导...

提供一种半导体装置的制造方法和由此而得到的半导体装置。本发明的半导体装置至少形成一个晶体管（１０）而构成，该晶体管（１０）在单一的晶粒（大致单晶粒４２）内具有源区域（１１）及漏区域（１２）、和沟道区域（１３）而构成。沟道区域（１３），蚀...

本发明提供一种谋求提高半导体装置的生产率的半导体装置的制造方法。在保护膜（４）上，涂抹作为形成突起体（５）的感光性树脂的丙烯酸树脂来形成树脂层。在该树脂层上将具有开口部的掩模定位配置在规定的位置上，进而，通过在掩模上照射紫外线，使在开口...

本发明在液晶等的电光装置中，可谋求叠层结构和制造过程的简单化，而且可以进行高品质的显示。电光装置具备：数据线及扫描线；和薄膜晶体管，与数据线相比配置于下层侧。还具备：存储电容，与数据线相比配置于上层侧，并从下层侧依次叠层像素电位侧电极、...

本发明公开了一种其中压电层结晶性被改善且具有均一压电层特性的压电元件、使用该压电元件的液体喷射头以及液体喷射设备。该压电元件包括：设置到衬底的一个表面侧的下电极；压电层，所述压电层由包含铅（Ｐｂ）、锆（Ｚｒ）和钛（Ｔｉ）的压电材料制成，...

本发明提供了表现出优异位移特性的压电元件、致动器装置、液体喷射头和液体喷射设备，该压电元件由下电极、压电层和上电极构成，在该压电元件中，压电层的面表面中存在的〈１００〉面占其中存在的〈１００〉、〈１１０〉和〈１１１〉面的比例不小于７０％...

本发明提供了表现出优异位移特性的压电元件、致动器装置、液体喷射头和液体喷射设备，所述压电元件由下电极、压电层和上电极构成，并且当通过宽角Ｘ射线衍射法测量所述压电层的面表面时，〈１００〉面的半高宽不大于０．２度，且〈２００〉面的半高宽不小...

一种晶体管，具备绝缘基板（１０），在绝缘基板（１０）上形成的、包含沟道区（１００）和源极及漏极区（４０ａ、４０ｂ）的半导体膜，在沟道区（１００）上设置的栅电极（３２）。而且，半导体膜，具备在所述沟道区（１００）和所述源极及极漏区（４０ａ...

本发明提供可以以高的外部出光效率，向预定的照明方向高效地供给光，可以容易且廉价地制造的发光元件等。其具有设置于基准面（ＳＳ）上，供给光的发光部（１０４），和设置于发光部（１０４）的出射侧，使来自发光部（１０４）的光透射的光学部（１０１）...

提供一种半导体装置的制造方法和根据该制造方法而得到的半导体装置，其中，半导体装置的制造方法，具备：第１工序，对形成在基板上的结晶性半导体膜３之中除了第１部分以外的至少第２部分及第３部分注入杂质；第２工序，在第２部分及第３部分分别形成源极...