本实用新型提供了一种发光控制电路和移位寄存器。所述发光控制电路包括输入端、输入采样单元、输出单元、复位单元和发光控制信号输出端；输入采样单元在第一时钟信号的控制下对输入信号进行采样；输出单元在输入采样单元对输入信号进行采样后，在第二时钟...

本实用新型提供了一种发光控制电路和移位寄存器。所述发光控制电路包括输入端、输入采样单元、输出单元、复位单元、输出拉低单元和发光控制信号输出端，所述输入采样单元在第一时钟信号的控制下对输入信号进行采样；所述输出单元在所述输入采样单元对输入...

本实用新型提供了一种移位寄存器、栅极驱动装置和显示装置。所述移位寄存器包括锁存器、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管。所述栅极驱动装置包括多级所述移位寄存器；除第一级移位寄存器之外，其余每个移位寄存器的移位输入端均和上一级移...

本实用新型涉及显示技术领域，特别是涉及一种掩膜板自动清洁系统及曝光设备。该清洁系统包括：掩膜板存储装置，用于存储掩膜板；机械手，用于搬运掩膜板；微粒检测装置，位于掩膜板存储装置的上方，用于对掩膜板的上下表面进行扫描并将扫描信息发送给控制...

本实用新型公开了一种阵列基板、液晶面板和液晶显示器，涉及液晶显示技术领域，用以降低实现反转驱动所需的驱动功耗。其中，阵列基板包括衬底基板、栅线、数据线和像素单元；所述像素单元包括两层透明导电膜和薄膜晶体管；所有像素单元分为第一像素单元和...

本实用新型涉及液晶显示技术领域，用于扩大蓝相液晶显示器的视角。本实用新型公开了一种蓝相液晶显示器，包括：设置有像素电极的阵列基板，与阵列基板相对的设置有公共电极的彩膜基板，位于阵列基板和彩膜基板之间的聚合物稳定的蓝相液晶层，位于彩膜基板...

本实用新型提供了一种液晶显示面板、显示装置，涉及液晶显示技术领域，为改善液晶显示面板的光线强度的一致性和补偿液晶显示面板的色偏，从而有效提升视觉体验而设计。所述液晶显示面板，包括彩膜基板、与所述彩膜基板对盒设置的阵列基板以及与所述阵列基...

本实用新型实施例提供一种3D显示面板和显示装置，涉及显示技术领域，能够提高相位差板和子像素的对位精度、简化工艺、提高可视角度、提高显示亮度。该显示面板包括显示面板和设置于所述显示面板出光面的上偏振片，所述上偏振片上形成有一层相位差板，所...

本实用新型公开了一种导光板、背光模组及显示装置，所述导光板包括导光板基材，导光板基材包括用以接收光束的入射面、与入射面相连的底面、与入射面相连且与底面相对的出射面，底面上设置有光学网点，光学网点包括凸出底面的凸起部和开设在凸起部上的凹槽...

本实用新型涉及显示技术领域，提供了一种背光模组及显示装置。所述背光模组包括：发光组件和反射支撑组件，其中，所述发光组件包括倾斜设置的单元面和设置在所述单元面上的发光体，所述反射支撑组件包括倾斜设置的反射面。本实用新型中将直下式背光中的光...

本实用新型公开了一种背光模组及显示装置，涉及显示技术领域。该背光模组包括底反射片及背板，所述底反射片位于所述背板上方，所述背光模组还包括弹性贴片，所述弹性贴片贴附于所述底反射片上。本实用新型的背光模组及显示装置，通过在底反射片上贴附弹性...

本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种背光模组和显示装置。该背光模组包括：背板、位于背板内的散热器和反射片，散热器具有凸起，反射片置于凸起上，反射片的两端分别具有朝向凸起的折弯。本实用新型提供的背光模组和显示装置，将反射片的两端设有向...

本实用新型公开了一种模组分解工作台，包括工作台面以及支撑所述工作台面的支架，所述工作台面上设有台面高于所述工作台面的加高平台，所述加高平台周缘设置有向所述加高平台中部凹陷的缺口结构。本实施例使得操作者在放取不良组件时，可以将手放在缺口结...

本发明提供了一种移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动装置和显示装置。所述移位寄存器单元包括RS触发器、上拉薄膜晶体管和下拉薄膜晶体管，其中，所述RS触发器，置位端与输入端连接，复位端与复位信号输入端连接，正相输出端与上拉节点连接，反相输...

本发明提供一种X射线探测器背板的制造方法及PIN光电二极管的制造方法。所述PIN光电二极管的制造方法包括：在基板上沉积N型非晶硅薄膜；在N型非晶硅薄膜上沉积本征非晶硅薄膜；采用B2H6对本征非晶硅薄膜进行离子注入，并对离子注入后的本征非...

本发明公开了一种薄膜晶体管TFT阵列基板及显示器，所述TFT阵列基板上包括多条横纵交叉的栅线和数据线，以及多个像素单元，所述像素单元包括多个子像素单元，所述子像素单元是由所述横纵交叉的栅线和数据线围设成的，每个所述子像素单元包括TFT和...

本发明提供一种CMOS晶体管的制造方法，包括在基板上形成沟道、栅电极、欧姆接触层和源、漏电极；其中形成所述沟道的步骤包括：S1.在基板上沉积非晶硅层，然后将所述非晶硅层晶化为多晶硅层；将所述多晶硅层进行刻蚀形成N型沟道区域和P型沟道区域...

本发明公开了一种多晶硅薄膜及其制备方法、阵列基板、显示装置，属于半导体技术领域，该多晶硅薄膜的制备方法包括以下步骤：（1）形成石墨烯层和非晶硅层，其中石墨烯层和非晶硅层相邻；（2）使非晶硅晶化形成多晶硅，得到多晶硅薄膜。通过该方法制得的...

本发明公开了一种柔性基板处理方法和承载基板，用以简化柔性基板制备流程并提升柔性基板品质。其中，柔性基板处理方法包括：将柔性基板放置于承载基板上，所述承载基板上设置有至少一个透气孔；在所述柔性基板的周边涂敷密封材料；并将所述柔性基板和承载...

本发明公开了一种移位寄存器，包括移位寄存器，所述移位寄存器具有级联的多级，所述移位寄存器的第N级包括：上拉模块，根据输入信号和时钟信号向输出端输出驱动信号；复位模块，根据复位信号向所述输出端输出截止信号；下拉模块，根据保持信号将所述输出...