【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动装置和显示装置。
技术介绍
如图I所示，现有的移位寄存器单元电路包括RS触发器11、上拉薄膜晶体管TU、下拉薄膜晶体管TD和复位薄膜晶体管Treset，其中，所述RS触发器11，置位端S接入输入信号，复位端R接入复位信号，正相输出端Q与上拉节点Pu连接，反相输出端G与下拉节点ro连接； 所述上拉薄膜晶体管TU，栅极与上拉节点连接，源极接入第一时钟信号输入端CLK连接，漏极与输出端Output连接；所述下拉薄膜晶体管TD,栅极与下拉节点F1D连接,源极与输出端Output连接,漏极与低电平输出端VGL连接；所述复位薄膜晶体管Treset，栅极接入复位信号，源极与输出端Output连接，漏极与低电平输出端连接。为了使输出端Output放电，一般使用复位薄膜晶体管Treset，但是，复位薄膜晶体管Treset需要从栅线(Gate Line)整个的电容中进行放电，需要相当大的W/L (宽长比)的设计，导致GOA layout (阵列基板行驱动布局)区域变大,不利于narrow bezel (窄边框)...
【技术保护点】
一种移位寄存器单元，其特征在于，包括RS触发器、上拉薄膜晶体管、下拉薄膜晶体管和自举电容，其中，所述RS触发器，置位端与输入端连接，复位端与复位信号输入端连接，正相输出端与上拉节点连接，反相输出端与下拉节点连接；所述上拉薄膜晶体管，栅极与上拉节点连接，源极与时钟信号输入端连接，漏极与输出端连接；所述下拉薄膜晶体管，栅极与下拉节点连接，源极与输出端连接，漏极与低电平输出端连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：韩承佑，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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