本实用新型涉及一种圆片级LED封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括LED芯片（100）、带有硅基型腔（210）的硅本体（200）、绝缘层（211）、金属反射层（212）、设置在硅本体（200）上方的玻璃（300）和设置在硅基型腔（2...

本实用新型涉及一种圆片级三维高密度电容结构，属于半导体集成电路制造领域。其包括衬底（100），所述衬底（100）的上表面设置钝化层（200）和若干个阵列排布的金属凸块（300），所述金属凸块（300）的外围设置绝缘层（400），所述绝缘...

本发明涉及一种新型硅基低阻电感结构及其晶圆级封装方法，属于半导体封装技术领域。其在硅晶圆（100）上表面刻蚀形成线圈槽（102），在线圈槽（102）内涂布绝缘层（300），然后通过物理方法沉积电镀种子层（300）、光刻图形化和电镀工艺在...

本发明涉及一种硅基转接板的封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括硅基载体（1）、设置在硅基载体（1）四周的包封区域（2）、正面绝缘层（31）、背面绝缘层（32）、正面再布线金属层（41）、背面再布线金属层（42）、正面保护层（51）和...

本实用新型涉及一种带有金属保护层的微凸点芯片封装结构，属于半导体封装技术领域。它包括芯片本体、芯片焊盘、芯片表面钝化层、金属保护层、金属溅射层和微凸点，所述化学镀的金属保护层完全覆盖芯片焊盘的露出芯片表面钝化层开口的部分，所述微凸点包括...

本实用新型涉及一种圆片级芯片封装结构，属于芯片封装技术领域。它包括设有芯片电极（2）和芯片感应区（3）的芯片本体（1）,所述芯片本体（1）上设置隔离层（4），所述隔离层（4）上设置盖板（5），在所述芯片本体（1）的芯片电极（2）下设置喇...

本实用新型涉及芯片背面硅通孔的结构，属于半导体芯片封装技术领域。本实用新型一种新型的芯片背面硅通孔结构，它包括芯片本体（1）和设置在芯片本体（1）正面的芯片电极（2），所述芯片本体（1）的背面设置硅通孔（101），所述硅通孔（101）为...

本实用新型涉及一种多芯片圆片级封装结构，属半导体芯片封装技术领域。它包括IC芯片Ⅰ（1）、IC芯片Ⅱ（2）、金属微结构（3）、高密度布线层（4）、硅腔体（5）、键合层（6）、焊球凸点（7）和填充料（8），IC芯片Ⅰ（1）和IC芯片Ⅱ（2...

本实用新型涉及一种圆片级LED芯片封装结构，属于半导体封装技术领域。它包括LED晶片（1）和硅本体（2），所述LED晶片（1）的正面设有电极，所述硅本体（2）正面形成硅腔（2-1），在硅腔（2-1）表面沉积金属层（3），LED晶片（1）...

本实用新型涉及一种芯片嵌入式堆叠圆片级封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。它包括IC芯片Ⅰ（1）、IC芯片Ⅱ（2）、金属微结构（3）、高密度布线层（4）、硅腔体（5）、填充料（6）、保护层（7）、金属柱（8）和焊球凸点（9），所述芯片...

本发明涉及一种圆片级LED封装方法，属于半导体封装技术领域。其结构包括LED芯片（100）、带有硅基型腔（210）的硅本体（200）、绝缘层（211）、金属反射层（212）、设置在硅本体（200）上方的玻璃（300）和设置在硅基型腔（2...

本实用新型涉及一种微凸点芯片封装结构，属于半导体封装技术领域。它包括芯片本体、芯片焊盘、芯片表面钝化层、金属溅射层、金属保护层和微凸点，所述金属溅射层设置在芯片表面钝化层开口露出的芯片焊盘上，所述金属溅射层包括下层的阻挡层与上层的种子层...

本实用新型涉及一种芯片嵌入式三维圆片级封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。它包括IC芯片Ⅰ（1）、IC芯片Ⅱ（2）、金属微结构（3）、高密度布线层、树脂层（6）、金属柱（7）和焊球凸点（9），所述IC芯片Ⅰ（1）与IC芯片Ⅱ（2）面对...

本发明涉及芯片背面硅通孔结构的成形方法，属于半导体芯片封装技术领域。本发明一种新型的芯片背面硅通孔结构，它包括芯片本体（1）和设置在芯片本体（1）正面的芯片电极（2），所述芯片本体（1）的背面设置二次干法刻蚀形成的硅通孔（101），所述...

本实用新型涉及一种多芯片圆片级封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。它包括IC芯片Ⅰ（1）、IC芯片Ⅱ（2）、金属微结构（3）、高密度布线层（4）、硅腔体（5）、键合层（6）和焊球凸点（7），数个IC芯片Ⅰ（1）、数个IC芯片Ⅱ（2）分...

本实用新型涉及一种扇出型圆片级芯片封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。它包括芯片（1）、金属微结构（2）、填充料（3）、高密度布线层（4）、硅腔体（5）、键合层（6）和焊球凸点（7），所述芯片（1）通过金属微结构（2）倒装在高密度布线...

本发明涉及一种圆片级芯片封装方法，属于芯片封装技术领域。它包括设置有芯片电极（2）和芯片感应区（3）的芯片本体（1），所述芯片本体（1）上设置隔离层（4），所述隔离层（4）上设置盖板（5），在所述芯片本体（1）的芯片电极（2）下通过光刻...

本实用新型涉及一种二维排布方式的无芯转接板封装结构，属于集成电路或分立器件封装技术领域。它包括转接板基体（1），所述转接板基体（1）内设置芯片（2）、填充料（3）、高密度布线层（4）和金属柱阵列（5），所述高密度布线层（4）的正面和背面...

本发明涉及一种圆片级LED封装方法，属于半导体芯片封装技术领域。本发明的硅基载体（2）的正面通过光刻、刻蚀的方法形成下凹的型腔（21），利用光刻、刻蚀的方法成形的硅孤岛（22）与型腔（21）的底部跨接，并与倒装在型腔（21）底部的LED...

本发明涉及一种圆片级LED封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。它包括LED芯片（1）、硅基载体（2）、玻璃（3）、填充胶（4）、反光层（5）、感光树脂层（6）和金属层（7），所述硅基载体（2）的正面下凹的型腔（21）内设置LED芯片（...