本实用新型涉及一种圆片级硅通孔内的封装结构及其应用，属于半导体芯片封装技术领域。其包括表层嵌置芯片电极（200）的硅基本体（100），在硅基本体（100）的芯片电极（200）下方设置硅通孔（110），硅通孔（110）的内壁设置绝缘层（3...

本实用新型涉及一种再布线金属层和高密度再布线封装结构，属于半导体封装技术领域。其中再布线金属层包括若干层介电层和设置于介电层内的金属层，每一所述介电层开设贯穿该介电层的线槽，所述线槽包括介电层横向线槽和介电层纵向线槽，所述介电层横向线槽...

本发明涉及一种高可靠性的铜柱凸块封装方法及其封装结构，属于半导体封装技术领域。其封装工艺如下：提供一带有芯片电极阵列及钝化层的芯片基体；在芯片基体表面沉积一介电层，并形成贯穿介电层的介电层通孔；在芯片电极的上方形成带有锡焊料帽的铜柱凸块...

本发明公开了一种非接触式光刻机的晶圆校准水平装置及其应用，属于半导体芯片封装技术领域。晶圆校准水平装置包括一环状物件（310）和分散设置于环状物件（310）的上表面的若干个均匀分布的突起物（320），所述突起物（320）与环状物件（31...

本发明公开了一种防止晶圆放置时发生漂移的热板，属于半导体设备工装技术领域。其热板本体（10）设有贯通孔（11）；还包括设置于热板本体（10）上的若干个防漂移部件（20），所述防漂移部件（20）包括金属柱（21）和硬质金属丝（22），所述...

本发明一种集成共模电感的封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括上下分布、绕制方向、匝数、线宽、线距均分别一致且在垂直方向上无重叠部分的上层电感线圈（110）和下层电感线圈（120），在上层电感线圈（110）的内端口和外端口...

本发明涉及一种硅基圆片级扇出封装方法及其封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。其封装结构包括硅基本体（110）和带有若干个电极（210）的IC芯片（200），每一电极（210）上设置若干个金属柱/金属块（300），IC芯片（200）的另...

本实用新型涉及一种薄型表面贴装电感器件，属于无源器件制造领域。其包括衬底（110）、一层以上形成中央电感线圈区域的电感结构的金属布线层（200）和两侧电极区域的电极（300），不同的所述金属布线层（200）之间设置介电层（400）和介电...

本发明涉及一种用于直流-直流转换器的封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括设置于硅片基底（100）的中央的构成直流-直流转换器的HS芯片（200）、LS芯片（300）和控制器（400），硅片基底（100）的表面设置通达HS芯片（200...

本发明涉及一种LED封装结构及其圆片级封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括硅基本体（110）和LED芯片（200），硅基本体（110）的正面设置不连续的金属反光层（410、420），硅通孔（111）内设置不连续的金属层Ⅰ（810）、...

本发明涉及一种ESD保护的LED封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。ESD保护的LED封装结构包括倒装至硅基本体（110）的型腔（111）内的LED芯片（200）和嵌入硅基本体（110）另一面的盲孔（113）内的ESD保护芯片...

本发明涉及一种再布线金属层及其制作方法，属于半导体封装技术领域。其包括若干层介电层和设置于介电层内的金属层，每一所述介电层开设贯穿该介电层的线槽，所述线槽包括介电层横向线槽和介电层纵向线槽，所述介电层横向线槽和介电层纵向线槽呈上下分布，...

本实用新型涉及一种采用圆片级制作工艺的表面贴装电感器件，属于无源器件制造领域。其包括衬底（110）、一层以上形成中央电感线圈区域的电感结构的金属布线层（200）和两侧电极区域的电极（300），不同的金属布线层（200）之间通过所述介电层...

本实用新型涉及一种转接板的晶圆级硅孔结构，属于半导体封装技术领域。其在基体（110）内设置呈倒梯形的盲孔（111）和与盲孔（111）连接的基体底部开口（112），盲孔Ⅰ（111）内设置绝缘层Ⅰ（210）和金属层Ⅰ（310），并形成绝缘层...

本发明一种射频电感的封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其工艺过程：提供一金属载具（T100）；在金属载具（T100）上设置光刻胶层Ⅰ（T210），在光刻胶层Ⅰ开口图形（T211）内采用电镀工艺形成金属线（100）；采用同样工...

本实用新型涉及一种硅基BGA的圆片级芯片封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。其包括若干个IC芯片（100）、圆片（200）和若干个焊球凸点（300），所述IC芯片（100）的芯片本体（110）设有芯片电极（111），所述圆片（200）...

本实用新型涉及一种薄型圆片级LED的封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括设有电极（110）的LED芯片（100）和封装盖（200），封装盖（200）设有内凹的型腔（210），LED芯片（100）倒装于金属反射层（400）的表面，并扣...

本发明一种芯片的微凸点封装结构的形成方法，属于半导体封装技术领域。本发明利用形成光刻胶开口图形（501）的光刻胶作为模板，制作微凸点（400）的金属柱（410）和锡柱（421）以及锡柱（421）顶端的锡帽（422）；采取印刷的方法填充光...

本发明涉及一种晶圆级高密度布线的简易制备方法，属于半导体封装技术领域。其包括以下工艺过程：提供硅晶圆（100），所述硅晶圆（100）的表面形成电镀种子层（200）和电镀种子层（200）表面的布线A（310），相邻的所述布线A（310）之...

本发明涉及一种晶圆级高密度布线制备方法，属于半导体封装技术领域。其包括以下工艺过程：提供硅晶圆（100），所述硅晶圆（100）的表面选择性地形成电镀种子层Ⅰ（210）,并在所述电镀种子层Ⅰ（210）的表面沉积布线A（220），相邻的所述...