本发明涉及一种芯片级硅穿孔散热方法及其结构，适用于高集成度集成电路芯片及相关功率分立器件芯片的散热。该方法包括以下工艺步骤：一、于倒装裸芯片背面采用激光打孔及蚀刻法对芯片硅材料穿盲孔至焊垫金属区，二、就硅穿孔部位及芯片背面进行金属膜制作...

本实用新型涉及一种模塑方式封装多芯片集成ＳＩＭ卡，其特征在于它包括：基板（５）、芯片（２）、无源器件（１）、金线（３）、塑料包封体（４）、基板内部线路（６）和金手指（７），所述芯片（２）和无源器件（１）置于基板（５）顶部，金手指（７）置...