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江阴长电先进封装有限公司专利技术
江阴长电先进封装有限公司共有285项专利
Low-k芯片封装方法技术
本发明涉及一种Low-k芯片封装方法,属于芯片封装技术领域,它包括以下工艺过程:准备一片载体圆片,在载体圆片上贴上一层临时剥离膜,将芯片倒装在载体圆片上,载体圆片上贴上薄膜层I(2-4)进行包封,支撑圆片(2-5)键合到薄膜层I(2-4...
Low-k芯片封装结构制造技术
本发明涉及一种Low-k芯片封装结构,属于芯片封装技术领域。它包括芯片本体I(2-1)、芯片电极(2-2)和芯片表面钝化层(2-3),芯片本体I(2-1)外包覆有薄膜层I(2-4),薄膜层I(2-4)背面设置有支撑圆片(2-5),芯片电...
后通孔互联型圆片级MOSFET封装结构制造技术
本实用新型涉及一种后通孔互联型圆片级MOSFET封装结构,在芯片本体(1-1)正面设置有芯片源电极(2-1)和芯片栅电极(2-2);在芯片本体、芯片源电极和芯片栅电极正面设置有芯片表面保护层(3);在芯片本体、芯片源电极、芯片栅电极和芯...
晶圆级转接板结构制造技术
本实用新型涉及一种晶圆级转接板结构,属于集成电路或分立器件封装技术领域。所述转接板包括转接板基体(1-1),在转接板基体(1-1)内设置有金属柱阵列(1-2),在转接板基体(1-1)表面设置有金属再布线图形(1-3A、1-3B)和金属再...
沟槽互联型圆片级MOSFET封装结构制造技术
本实用新型涉及一种沟槽互联型圆片级MOSFET封装结构,所述结构包括芯片本体(1-1),所述芯片本体正面设置有芯片源电极(2-1)和芯片栅电极(2-2),芯片本体芯片源电极和芯片栅电极正面设置有芯片表面保护层(3),在芯片本体正面和背面...
通孔互联型圆片级MOSFET封装结构制造技术
本实用新型涉及一种通孔互联型圆片级MOSFET封装结构,包括芯片本体(1-1),芯片本体正面设置有芯片源电极(2-1)和芯片栅电极(2-2),芯片本体、芯片源电极和芯片栅电极正面设置有芯片表面保护层(3),在芯片本体(1-1)正面和背面...
低成本芯片扇出结构制造技术
本实用新型涉及一种低成本芯片扇出结构,属于集成电路或分立器件封装技术领域。所述结构包括芯片(2-3-1、2-3-2),在芯片(2-3-1、2-3-2)外包封有塑封体(2-4),在芯片(2-3-1、2-3-2)表面设置有再布线金属(2-6...
碳纳米管团簇作为芯片凸点的倒装芯片封装结构制造技术
本实用新型涉及一种碳纳米管团簇作为芯片凸点的倒装芯片封装结构,所述封装结构包括基板(301)和芯片(201),芯片(201)表面的芯片端子(202)上连接有凸点,芯片(201)通过其表面的凸点倒装于基板(301)正面,基板(301)背面...
晶圆级转接板的制备方法技术
本发明涉及一种晶圆级转接板的制备方法,属于集成电路或分立器件封装技术领域。所述方法包括以下工艺步骤:取载体圆片;在载体圆片上上溅射或者化学镀上金属导电层;在金属导电层上形成掩膜图形开口;在掩膜图形开口内填充金属;在载体圆片表面形成金属柱...
后通孔互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法技术
本发明涉及一种后通孔互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法,在芯片本体(1-1)正面设置有芯片源电极(2-1)和芯片栅电极(2-2);在芯片本体、芯片源电极和芯片栅电极正面设置有芯片表面保护层(3);在芯片本体、芯片源电极、芯片栅电...
通孔互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法技术
本发明涉及一种通孔互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法,包括芯片本体(1-1),芯片本体正面设置有芯片源电极(2-1)和芯片栅电极(2-2),芯片本体、芯片源电极和芯片栅电极正面设置有芯片表面保护层(3),在芯片本体(1-1)正面...
沟槽互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法技术
本发明涉及一种沟槽互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法,所述结构包括芯片本体(1-1),所述芯片本体正面设置有芯片源电极(2-1)和芯片栅电极(2-2),芯片本体芯片源电极和芯片栅电极正面设置有芯片表面保护层(3),在芯片本体正面...
低成本芯片扇出结构的封装方法技术
本发明涉及一种低成本芯片扇出结构的封装方法,所述方法包括以下工艺步骤:一、取载体基板;二、在载体基板上贴上临时粘结膜;三、将芯片倒装至载体基板上;四、将带有芯片的载体基板用塑封体进行包封,形成重构基板;五、将重构基板与载体基板剥离;六、...
圆片级LED封装结构制造技术
本实用新型涉及一种圆片级LED封装结构,包括LED芯片(4)和硅基载体(3);LED芯片(4)包括芯片本体(401),在芯片本体(401)表面设有至少两个电极(402));硅基载体(3)正面设置有型腔(301),在型腔(301)表面沉积...
低凸点芯片尺寸封装结构制造技术
本实用新型涉及一种低凸点芯片尺寸封装结构,属于集成电路或分立器件封装技术领域。包括芯片本体(1),在芯片本体(1)表面设有一焊垫(2),焊垫(2)外周边及外周边以外的芯片本体(1)表面设有保护层(3),而焊垫(2)中间形成焊垫开口处,其...
新型圆片级扇出芯片封装结构制造技术
本实用新型涉及一种新型圆片级扇出芯片封装结构,包括薄膜介质层I(101),薄膜介质层I(101)上形成有光刻图形开口I(1011),在光刻图形开口以及薄膜介质层I表面设置有与基板端连接之金属电极(102)和再布线金属走线(103),在与...
柔性凸垫芯片封装凸块结构制造技术
本实用新型涉及一种柔性凸垫芯片封装凸块结构,属芯片封装技术领域。它包括芯片本体(1)、芯片电极(2)、芯片表面保护层(3)、柔性凸垫(4)、过渡层(5)以及焊球(6)。所述芯片电极(2)嵌置于芯片本体(1)上,芯片表面保护层(3)复合在...
低应力芯片凸点封装结构制造技术
本实用新型涉及一种低应力芯片凸点封装结构,属于芯片封装技术领域。所述结构包括芯片本体(1)、芯片电极(2)、芯片表面钝化层(3)、凸点下应力缓冲层(4)、接触电极(5)和应力缓冲层上焊料凸点(6),其特征在于:所述凸点下应力缓冲层(4)...
新型树脂核心柱芯片封装结构制造技术
本实用新型涉及一种新型树脂核心柱芯片封装结构,属芯片封装技术领域。它包括芯片本体(101)、芯片电极(102)、芯片表面钝化层(103)、第一层再布线金属层(104)、树脂核心(105)、第二层再布线金属层(106)、再布线金属表面保护...
新型孤岛型再布线芯片封装结构制造技术
本实用新型涉及一种新型孤岛型再布线芯片封装结构,属芯片封装技术领域。它包括芯片本体(101)、芯片电极(102)、芯片表面钝化层(103)、孤岛应力缓冲层(104)、再布线金属层(105)、再布线金属表面保护层(106)和应力缓冲层上焊...
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