The invention relates to a method for preparing a wafer level switching board, which belongs to the technical field of integrated circuit or discrete device packaging. The method comprises the following steps: carrier wafer; chemical plating or sputtering on the metal conducting layer on the carrier wafer; forming a mask pattern opening in the metal conductive layer; the mask pattern in the opening of the filler metal; metal column array formed in the carrier wafer surface; the metal column array will fill the entire transfer board base material the carrier wafer, forming a metal column array wafer; wafer and wafer carrier will be separated; corroded metal conductive layer on the wafer; then the metal wiring pattern is formed on the two surface of the wafer, and protects and the formation of metal re wiring protection layer and opening pattern. The preparation method of the wafer level switching board can greatly reduce the process difficulty and the process cost, and can realize large-scale production of the high-density transfer panel technology.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。属于集成电路或分立器件封装
技术介绍
近年来，随着电子封装技术的高速发展，一些的新的封装形式不断出现。如基于圆片的晶圆级芯片尺寸封装、三维堆叠封装技术和倒装封装技术等。这些新型封装技术的出现，不仅提升了芯片的工作性能，也大大节省了封装尺寸和体积。受限于芯片尺寸和可靠性能的因素，圆片级封装技术的应用范围还局限于一些低脚数的产品。三维堆叠技术中，虽然引线键合可以实现多层堆叠，但在高速信号传输模块的应用方面受制于引线线长和直径，因而大面积的使用还是在闪存、智能卡、射频身份识别等方面。而一些高速处理芯片，如中央位处理器(CPU)、图形处理器(GPU)、芯片组(Chipset) 等的封装形式仍然以倒装方式进行。目前的倒装的转接板主要有DBT类树脂基转接板；2)陶瓷基转接板；3)带有硅通孔的硅基转接板。其中BT类树脂基转接板和陶瓷基转接板在金属布线中受工艺限制，其线宽线距较大，在高密度封装结构的设计中无法满足应用要求。带有硅通孔的硅基转接板采用硅通孔中填充金属的方式，以圆片的方式进行金属布线，可以实现精细线宽和线距结构，可实现高密度的转接能力，...
【技术保护点】
１． 一种晶圆级转接板的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下工艺步骤：步骤一、取载体圆片；步骤二、在载体圆片上形成脱模剂，再在脱模剂上溅射或者化学镀上金属导电层；步骤三、在金属导电层上贴上或涂覆掩膜材料，通过光刻或者激光的方式在掩膜材料上形成掩膜图形开口；步骤四、利用电镀的方式在掩膜图形开口内填充金属，在掩膜图形开口内形成金属柱；步骤五、剥离掩膜材料，在溅射或者化学镀上金属导电层的载体圆片表面形成金属柱阵列；步骤六、利用包封的方式将转接板基体材料填满整个载体圆片的金属柱阵列，形成带有金属柱阵列的圆片；步骤七、将带有金属柱阵列的圆片与载体圆片脱离；步骤八、腐蚀掉留在带有金属...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张黎，赖志明，陈栋，陈锦辉，
申请(专利权)人：江阴长电先进封装有限公司，
类型：发明
国别省市：32
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