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本发明涉及一种晶圆级转接板的制备方法，属于集成电路或分立器件封装技术领域。所述方法包括以下工艺步骤：取载体圆片；在载体圆片上上溅射或者化学镀上金属导电层；在金属导电层上形成掩膜图形开口；在掩膜图形开口内填充金属；在载体圆片表面形成金属柱阵列...
该专利属于江阴长电先进封装有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江阴长电先进封装有限公司授权不得商用。

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