本实用新型涉及一种封装载板结构，所述结构包括载板基体（１）、载板钝化层（２）、线路层（３）、载板上保护层（４）和载板凸块（６），所述载板钝化层（２）覆盖于载板基体（１）上下表面及贯穿孔内壁；所述线路层（３）选择性的覆盖于载板钝化层（２）...

本实用新型涉及一种芯片封装凸块结构，所述凸块结构包括芯片本体（１）、芯片电极（２）、芯片表面保护层（３）、种子层（４）、化学镀层（５）、过渡层（６）和焊球（７），所述芯片电极（２）嵌置于芯片本体（１）上，芯片表面保护层（３）复合在芯片本...

本实用新型涉及一种电镀阳极装置，用于晶圆的电镀。所述装置包括一盒体（５），该盒体（５）中心竖直设置有一立柱（５１），立柱（５１）上端制有外螺纹（５１１）；该盒体（５）底部开设有液体存储槽（５２）和液体交流通孔（５３）；该盒体（５）内放置...

本发明涉及一种电镀阳极装置，用于晶圆的电镀。所述装置包括一盒体（５），该盒体（５）中心竖直设置有一立柱（５１），立柱（５１）上端制有外螺纹（５１１）；该盒体（５）底部开设有液体存储槽（５２）和液体交流通孔（５３）；该盒体（５）内放置有钛...

本发明涉及一种碳纳米管团簇作为芯片凸点的倒装芯片封装结构的制作方法，所述方法包含以下三个步骤：步骤一、在衬底上生长碳纳米管团簇阵列；步骤二、将步骤一得到的碳纳米管团簇阵列转移到芯片表面；步骤三、将具有碳纳米管团簇凸点的芯片倒装到基板上。...

本实用新型涉及一种嵌入式无源器件圆片级芯片尺寸封装结构，属半导体封装领域。所述封装结构包括芯片（１０１），在所述芯片（１０１）表面涂布有一层再钝化层（１０６），在再钝化层（１０６）上设置有一层或者一层以上形成无源器件的金属布线层，在最上...

本发明涉及一种封装载板结构及其实现方法，所述结构包括载板基体（１）、载板钝化层（２）、线路层（３）、载板上保护层（４）和载板凸块（６），所述载板钝化层（２）覆盖于载板基体（１）上下表面及贯穿孔内壁；所述线路层（３）选择性的覆盖于载板钝化...

本发明涉及一种圆片级扇出芯片封装结构，包括薄膜介质层Ⅰ（１０１），薄膜介质层Ⅰ（１０１）上形成有光刻图形开口Ⅰ（１０１１），在光刻图形开口以及薄膜介质层Ⅰ表面设置有与基板端连接之金属电极（１０２）和再布线金属走线（１０３），在与基板端连...

本发明涉及一种圆片级扇出芯片封装方法，包括以下工艺过程：在载体圆片表面依次覆盖剥离膜和薄膜介质层Ⅰ，在薄膜介质层Ⅰ上形成光刻图形开口Ⅰ；在图形开口Ⅰ及其表面实现与基板端连接之金属电极和再布线金属走线；在与基板端连接之金属电极表面、再布线...

本发明涉及一种柔性凸垫芯片封装凸块结构，属芯片封装技术领域。它包括芯片本体（１）、芯片电极（２）、芯片表面保护层（３）、柔性凸垫（４）、过渡层（５）以及焊球（６）。所述芯片电极（２）嵌置于芯片本体（１）上，芯片表面保护层（３）复合在芯片...

本发明涉及一种柔性凸垫芯片封装凸块结构的形成方法，属芯片封装技术领域。所述方法包括以下工艺过程：将柔性凸垫设置于所述芯片电极表面的中间部分以及与所述芯片电极表面的中间部分接合位置处的芯片表面保护层表面，然后将过渡层复合于柔性凸垫上，最后...

本发明涉及一种树脂核心柱芯片封装方法，属芯片封装技术领域。芯片包括芯片本体（１０１）、芯片电极（１０２）、芯片表面钝化层（１０３）、第一、二再布线金属层（１０４）、树脂核心（１０５）、再布线金属表面保护层（１０７）和焊球凸点（１０８）。...

本发明涉及一种孤岛型再布线芯片封装结构，属芯片封装技术领域。它包括芯片本体（１０１）、芯片电极（１０２）、芯片表面钝化层（１０３）、孤岛应力缓冲层（１０４）、再布线金属层（１０５）、再布线金属表面保护层（１０６）和应力缓冲层上焊料凸点（...

本发明涉及一种树脂核心柱芯片封装结构，属芯片封装技术领域。它包括芯片本体（１０１）、芯片电极（１０２）、芯片表面钝化层（１０３）、第一层再布线金属层（１０４）、树脂核心（１０５）、第二层再布线金属层（１０６）、再布线金属表面保护层（１０...

本发明涉及一种孤岛型再布线芯片封装方法，属芯片封装技术领域。所述芯片包括芯片本体（１０１）、芯片电极（１０２）、芯片表面钝化层（１０３）、孤岛应力缓冲层（１０４）、再布线金属层（１０５）、再布线金属表面保护层（１０６）和应力缓冲层上焊料...

本发明涉及一种芯片封装凸块结构及其实现方法，所述凸块结构包括芯片本体（１）、芯片电极（２）、芯片表面保护层（３）、种子层（４）、化学镀层（５）、过渡层（６）和焊球（７），所述芯片电极（２）嵌置于芯片本体（１）上，芯片表面保护层（３）复合...

本实用新型涉及为一种微米级芯片封装结构。它是在芯片本体１一表面设有一焊垫２，焊垫２外周边及外周边以外的芯片本体１表面设置保护层３，其特点是焊垫２表面及其外周边的保护层３上依次叠加钛层４、铜层５和铜柱６，铜柱６顶端植置锡球７。本实用新型的...

本实用新型涉及一种芯片级硅穿孔散热结构，包括倒装裸芯片（１），其特征在于：ａ．于倒装裸芯片（１）背面对芯片硅材料穿盲孔（５）至焊垫金属区，ｂ．盲孔（５）表面及芯片背面覆有金属膜（２）层，ｃ．覆有金属膜（２）层的倒装裸芯片（１）背面复有导...

本实用新型涉及一种微米级芯片尺寸封装散热结构，是应用在集成电路芯片或功率分立器件芯片，或圆片级芯片尺寸封装技术领域。包括芯片本体（１）、设置于芯片本体（１）硅基材正面的电路焊垫（２），植置于电路焊垫顶面的金属凸点（３），其特征在于：于芯...

本实用新型涉及一种新型微米级芯片尺寸封装散热结构，是应用在集成电路芯片或功率分立器件芯片，或圆片级芯片尺寸封装技术领域。包括芯片本体（１）、设置于芯片本体（１）硅基材正面的电路焊垫（２），植置于电路焊垫顶面的金属凸点（３），其特征在于：...