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江阴长电先进封装有限公司专利技术
江阴长电先进封装有限公司共有283项专利
一种含有金属微凸点的图像传感器封装结构制造技术
本实用新型涉及一种含有金属微凸点的图像传感器封装结构,属于芯片封装技术领域。它包括已经设置有芯片内部钝化层(2)、芯片内部金属层(3)及感光区(4)的芯片本体(1),在芯片本体(1)上形成硅通孔(1-1),所述硅通孔(1-1)的底部直接...
一种扇出型圆片级芯片封装方法技术
本发明涉及一种扇出型圆片级芯片封装方法,属于半导体芯片封装技术领域。它包括芯片(1)、金属微结构(2)、高密度布线层(4)、硅腔体(5)、键合层(6)和焊球凸点(7),在芯片(1)上通过溅射、光刻、电镀等工艺形成金属微结构(2),将芯片...
一种二维排布方式的无芯转接板封装方法技术
本发明涉及一种二维排布方式的无芯转接板封装方法,属于集成电路或分立器件封装技术领域。它包括以下工艺过程:芯片(2)阵列二维排布并通过金属微凸点阵列(2-2)倒装在高密度布线层(4)的正面电极(4-1)上,金属柱阵列(5)通过光刻、电镀的...
一种含有金属微凸点的图像传感器封装方法技术
本发明涉及一种含有金属微凸点的图像传感器封装方法,属于芯片封装技术领域。它包括以下工艺过程:键合带有隔离层(6)的玻璃盖板(5)与芯片本体(1),通过光刻结合硅刻蚀的方法形成硅通孔(1-1),在硅通孔(1-1)内形成金属微凸点(7)结构...
铆钉互联结构的图像传感器封装结构制造技术
本实用新型涉及一种铆钉互联结构的图像传感器封装结构,所述结构包括已经设置有芯片内部钝化层(2)、芯片内部金属层(3)及感光区(4)的芯片本体(1)以及隔离层(6)、硅沟槽(13)和盲孔Ⅰ(6.1),在所述盲孔Ⅰ(6.1)内以及芯片内部钝...
圆片级通孔互联结构制造技术
本实用新型涉及一种圆片级通孔互联结构,所述结构包括设置有芯片电极(2)及芯片感应区(3)的芯片本体(1),在所述芯片本体(1)及芯片电极(2)的上表面设置有隔离层(4);在所述隔离层(4)上表面设置有盖板(5);在所述芯片本体(1)上形...
无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构制造技术
本实用新型涉及一种无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构,所述结构包括芯片本体(1),在芯片本体的上表面设置隔离层(5),在隔离层上设置透光盖板(6);在芯片本体上形成硅沟槽(8);在芯片本体下表面、硅沟槽(8)侧壁及裸露出的芯片内部钝化层...
无硅通孔低成本图像传感器封装结构制造技术
本实用新型涉及一种无硅通孔低成本图像传感器封装结构,所述结构包括芯片本体(1),在芯片本体的上表面设置隔离层(5),在隔离层上设置透光盖板(6);在芯片本体上形成硅沟槽(8);在芯片本体下表面、硅沟槽(8)侧壁及芯片内部钝化层(2)的下...
微凸点互联结构的图像传感器封装结构及实现方法技术
本发明涉及一种微凸点互联结构的图像传感器封装结构及实现方法,所述结构包括已经设置有芯片内部钝化层(2)、芯片内部金属层(3)及感光区(4)的芯片本体(1)、隔离层(6)、硅沟槽(13)和开口(2-1),在开口(2-1)内以及芯片内部钝化...
铆钉互联结构的图像传感器封装结构及实现方法技术
本发明涉及一种铆钉互联结构的图像传感器封装结构及实现方法,所述结构包括已经设置有芯片内部钝化层(2)、芯片内部金属层(3)及感光区(4)的芯片本体(1)以及隔离层(6)、硅沟槽(13)和盲孔Ⅰ(6.1),在所述盲孔Ⅰ(6.1)内以及芯片...
铆钉互联结构的图像传感器封装结构制造技术
本发明涉及一种铆钉互联结构的图像传感器封装结构,所述结构包括已经设置有芯片内部钝化层(2)、芯片内部金属层(3)及感光区(4)的芯片本体(1)以及隔离层(6)、硅沟槽(13)和盲孔Ⅰ(6.1),在所述盲孔Ⅰ(6.1)内以及芯片内部钝化层...
圆片级盲孔互联结构制造技术
本实用新型涉及一种圆片级盲孔互联结构,所述结构包括设置有芯片电极(2)及芯片感应区(3)的芯片本体(1),在所述芯片本体(1)及芯片电极(2)的上表面设置有隔离层(4);在所述隔离层(4)上表面设置有盖板(5);在所述芯片本体(1)上形...
无硅通孔低成本图像传感器封装结构的实现方法技术
本发明涉及一种无硅通孔低成本图像传感器封装结构的实现方法,所述结构包括芯片本体(1),在芯片本体的上表面设置隔离层(5),在隔离层上设置透光盖板(6);在芯片本体上形成硅沟槽(8);在芯片本体下表面、硅沟槽(8)侧壁及芯片内部钝化层(2...
无硅通孔低成本图像传感器封装结构制造技术
本发明涉及一种无硅通孔低成本图像传感器封装结构,所述结构包括芯片本体(1),在芯片本体的上表面设置隔离层(5),在隔离层上设置透光盖板(6);在芯片本体上形成硅沟槽(8);在芯片本体下表面、硅沟槽(8)侧壁及芯片内部钝化层(2)的下表面...
无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构的实现方法技术
本发明涉及一种无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构的实现方法,所述结构包括芯片本体(1),在芯片本体的上表面设置隔离层(5),在隔离层上设置透光盖板(6);在芯片本体上形成硅沟槽(8);在芯片本体下表面、硅沟槽(8)侧壁及裸露出的芯片内部...
无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构制造技术
本发明涉及一种无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构,所述结构包括芯片本体(1),在芯片本体的上表面设置隔离层(5),在隔离层上设置透光盖板(6);在芯片本体上形成硅沟槽(8);在芯片本体下表面、硅沟槽(8)侧壁及裸露出的芯片内部钝化层(2...
圆片级封闭孔互联结构制造技术
本实用新型涉及一种圆片级封闭孔互联结构,所述结构包括设置有芯片电极(2)及芯片感应区(3)的芯片本体(1);在所述芯片本体(1)及芯片电极(2)上设置金属凸块(4);在所述芯片本体(1)及金属凸块(4)的上表面设置有隔离层(5);在所述...
圆片级玻璃型腔的硅通孔LED封装结构制造技术
本实用新型涉及一种圆片级玻璃型腔的硅通孔LED封装结构,所述结构包括硅片(2)和LED晶片(1),硅片正面涂覆有一层绝缘胶体(3),LED晶片通过该绝缘胶体倒装于硅片正面;在LED晶片上方和外围,设置有玻璃壳体(4),玻璃壳体通过所述绝...
Low-k芯片封装方法技术
本发明涉及一种Low-k芯片封装方法,属于芯片封装技术领域,它包括以下工艺过程:准备一片载体圆片,在载体圆片上贴上一层临时剥离膜,将芯片倒装在载体圆片上,载体圆片上贴上薄膜层I(2-4)进行包封,支撑圆片(2-5)键合到薄膜层I(2-4...
Low-k芯片封装结构制造技术
本发明涉及一种Low-k芯片封装结构,属于芯片封装技术领域。它包括芯片本体I(2-1)、芯片电极(2-2)和芯片表面钝化层(2-3),芯片本体I(2-1)外包覆有薄膜层I(2-4),薄膜层I(2-4)背面设置有支撑圆片(2-5),芯片电...
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