一种新型的芯片背面硅通孔结构的成形方法技术

本发明专利技术涉及芯片背面硅通孔结构的成形方法，属于半导体芯片封装技术领域。本发明专利技术一种新型的芯片背面硅通孔结构，它包括芯片本体（1）和设置在芯片本体（1）正面的芯片电极（2），所述芯片本体（1）的背面设置二次干法刻蚀形成的硅通孔（101），所述硅通孔（101）为外大内小的喇叭形，硅通孔（101）的底部直达芯片电极（2）下表面。本发明专利技术的工艺方法形成的喇叭形的硅通孔（101），孔壁光滑度好，消除了孔壁波纹和侧向内凹缺陷；工艺兼容性好，有利于后续覆盖完整的绝缘层和孔内金属填充。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片背面硅通孔结构的成形方法，属于半导体芯片封装

技术介绍
随着半导体技术的发展，出现了硅通孔互联技术，即以填充金属的硅通孔在垂直方向(Z轴方向)重新分布电极或线路，实现互联从芯片一侧转移到另一侧，结合平面上(X，Y平面)的重新布线技术，使得互联可以在整个X，Y, Z方向进行；通过硅通孔互联技术，极大增加了封装的灵活性，同时为三维堆叠封装创造了条件。硅通孔互联通常包含硅通孔制作、绝缘层形成以及金属填充。对于行业内常用的直孔来说，形成过程主要采用“B0SCH”刻蚀方法，即交替的使用刻蚀及钝化的工艺。但直孔不利于后续孔内金属填充过程中溶液进入，容易导致填充不良。而且“B0SCH”刻蚀方法最 终会在孔壁上留下高低起伏的圈状纹路(scallop)即孔壁波纹，如图I所示，并且在硅与下层材料的界面留下侧向内凹(notch)，如图2所示。而这些孔壁波纹和侧向内凹都会导致后续绝缘层覆盖不足，影响绝缘层形成的质量。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服当前硅通孔成形方法的不足，提供一种不是直孔、孔壁光滑度好和工艺兼容性好的新型的芯片背面硅通孔结构的成形方法。本专利技术的目的是这样实现的本文档来自技高网...

【技术保护点】
本专利技术涉及一种新型的芯片背面硅通孔结构的成形方法，其工艺过程如下：步骤一：取带有芯片电极（2）的芯片本体（1）和载体（3），通过健合工艺，将载体（3）与芯片本体（1）的正面粘接；？步骤二：将上述结构上下翻转180°，通过减薄工艺，将芯片本体（1）的背面减薄到后续工艺需要的厚度；步骤三：在上述芯片本体（1）的背面通过涂胶或贴膜的方法形成胶层（4），再通过曝光、显影或激光开孔的方法形成胶层开口（401）；步骤四：通过干法刻蚀的方法，利用上述形成胶层开口（401）的胶层（4）作为掩模，在芯片本体（1）背面刻蚀出直孔状的硅通孔（101）；步骤五：通过腐蚀、灰化或刻蚀方法，将上述步骤中的胶层（4）去...

【技术特征摘要】
1.本发明涉及一种新型的芯片背面硅通孔结构的成形方法，其工艺过程如下 步骤一取带有芯片电极(2)的芯片本体(I)和载体(3)，通过健合工艺，将载体(3)与芯片本体(I)的正面粘接； 步骤二 将上述结构上下翻转180°，通过减薄工艺，将芯片本体(I)的背面减薄到后续工艺需要的厚度； 步骤三在上述芯片本体(I)的背面通过涂胶或贴膜的方法形成胶层(4)，再通过曝光、显影或激光开孔的方法形成胶层开口(401)； 步骤四通过干法刻蚀的方法，利用上述形成胶层开口(401)的胶层(4)作为掩模，在芯片本体(I)背面刻蚀出直孔状的硅通孔(101)； 步骤五通过腐蚀、灰化或刻蚀方法，将上述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈栋，张黎，胡正勋，陈锦辉，赖志明，
申请(专利权)人：江阴长电先进封装有限公司，
类型：发明
国别省市：