【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及半导体器件的形成方法。
技术介绍
随着半导体逻辑技术的不断发展，对于形成半导体器件的各膜层及互连结构的质量要求也越来越高。膜层或互连结构中的沟槽/通孔在不同工艺中产生缺陷都会直接影响半导体器件的可靠性。在半导体器件集成度不断增加的今天，逻辑器件的尺寸也越来越小，逻辑器件中的通孔尺寸也相应变小。现有逻辑器件中通孔的形成方法如图I至图3所示，在图I中，提供基底10，所述基底10依次包括半导体衬底、以及位于半导体衬底上的晶体管、电容器、金属布线层等结构；在半导体衬底10上形成沉积介质层20。如图2所示，在所述介质层20表面形成掩膜层30，用以后续刻蚀工艺中保护下面的膜层；在掩膜层30上旋涂光刻胶层40 ； 接着，对光刻胶层40进行曝光及显影处理，形成通孔图形。如图3所示，以光刻胶层40为掩膜，沿通孔图形刻蚀掩膜层30及介质层20至露出半导体衬底10，形成通孔50。美国专利US10/780554公开了一种逻辑器件中通孔的形成方法。现有形成逻辑器件的通孔，通孔边缘的介质层上产生底切，于通孔沉积导电物质后会产生短路现象，影响半导体器件的电性能。...
【技术保护点】
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有介质层；对介质层进行氧气等离子体处理；用含碳气体对介质层进行处理；在介质层上形成掩膜层；刻蚀掩膜层和介质层至露出基底，形成通孔。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括 提供基底，所述基底上形成有介质层； 对介质层进行氧气等离子体处理； 用含碳气体对介质层进行处理； 在介质层上形成掩膜层； 刻蚀掩膜层和介质层至露出基底，形成通孔。2.根据权利要求I所述的形成方法，其特征在于所述含碳气体包含C2H4或C2H2。3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于所述含碳气体处理介质层所需的压力为2 10托，功率为300 1500W，气体流量为100 2000sccm，处理时间为2s 10s。4.根据权利要求3所述的形成方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：周鸣，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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