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一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有介质层；对介质层进行氧气等离子体处理；用含碳气体对介质层进行处理；在介质层上形成掩膜层；刻蚀掩膜层和介质层至露出基底，形成通孔。本发明保证了介质层表面的平整性，提高了半导体器件的电性...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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