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本发明涉及芯片背面硅通孔结构的成形方法，属于半导体芯片封装技术领域。本发明一种新型的芯片背面硅通孔结构，它包括芯片本体（1）和设置在芯片本体（1）正面的芯片电极（2），所述芯片本体（1）的背面设置二次干法刻蚀形成的硅通孔（101），所述硅通...
该专利属于江阴长电先进封装有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江阴长电先进封装有限公司授权不得商用。

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