一种通孔结构的制作方法技术

本发明专利技术提供一种通孔结构的制作方法，包括在衬底上形成通孔结构；对通孔结构进行圆化处理，增大通孔结构顶部的开口面积，形成圆化通孔结构；在圆化通孔结构表面依次淀积介质层、阻挡层和籽晶层；在圆化通孔结构内部填充铜。通过本发明专利技术的制作方法，不仅可以避免淀积过程中形成的材料堆积,有利于后续电镀铜工艺的顺利完成，还能够增大电镀窗口，提高后续铜电镀的填隙能力。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种通孔结构的制作方法。
技术介绍
器件的小型化、功能集成化以及器件性能的改善和功耗的降低等需求加快了集成电路向三维方向发展。为达到减小硅片使用面积、提高硅利用率并缩短互连长度的目的，封装技术从二维结构转到三维堆叠(引线、焊球和微通孔)，再又转到通孔互连的三维集成电路。通孔技术与常规封装技术相比，其制作可以集成到制造工艺的不同阶段，目前通孔工艺有三种典型工艺通孔优先(Via-First)、通孔居中(Via-Middle)、通孔最后(Via-Las)。通孔优先是指硅片投入之后立刻进行通孔的光刻、刻蚀金属化和化学机械研磨 等过程；通孔居中，是指在硅化合物之后形成的；通孔最后，一般是指互连全都完成之后形成的，在封装阶段实现通孔工艺。前两种方案都可以在代工厂前端金属互连之前进行，而第三种方案(通孔最后方案)目前在微处理器等高性能器件领域研究较多，主要作为系统及芯片(SoC)的替代方案。第三种方案的明显优势是可以不改变现有集成电路流程和设计。封装厂对此方案比较感兴趣。部分厂商已开始在高端的非挥发存储器和动态存储器领域采用Via-Iast技术，即在芯片的周边进行通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通孔结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：在衬底上形成通孔结构；步骤S02：对所述的通孔结构进行圆化处理，增大所述的通孔结构顶部的开口面积，形成圆化通孔结构；步骤S03：在所述的圆化通孔结构的表面依次淀积介质层、阻挡层和籽晶层；步骤S04：在所述的圆化通孔结构内部填充铜。

【技术特征摘要】
1.一种通孔结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤 步骤SOl :在衬底上形成通孔结构； 步骤S02 :对所述的通孔结构进行圆化处理，增大所述的通孔结构顶部的开口面积，形成圆化通孔结构； 步骤S03 :在所述的圆化通孔结构的表面依次淀积介质层、阻挡层和籽晶层； 步骤S04 :在所述的圆化通孔结构内部填充铜。2.根据权利要求I所述的制作方法，其特征在于，所述的通孔结构的直径为5-10μπι，所述的通孔结构的深度为50-100 μ m。3.根据权利要求I所述的制作方法，其特征在于，所述的步骤S02中的圆化处理，是采用物理轰击的方法对所述的通孔结构的顶部区域进行刻蚀，形成所述圆化通孔结构。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述圆化通孔结构的顶部的刻蚀宽度为所述通孔结构的通孔直径的5%-8%，其中所述的刻蚀宽度为从所述通孔结构顶部的通孔边界到所述圆化通孔结构顶部的通孔边界的距离。5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述的圆化处理是在物理气相沉积刻蚀腔内进行的。6.根据权利要求5所述的制作方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡正军，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：