一种发射器（１００）具有一个电子供给层（１０）以及这个电子供给层上形成的一个隧道效应层（２０）。可以选择在这个电子供给层上形成一个绝缘层（７８），其中有孔，孔中形成隧道效应层。在这个隧道效应层上形成一个阴极层（１４）。导电层（８２）部分...

一种用于产生电子透镜（２８）的方法，包括在电子发射器（６０）的发射器表面（３６）上施加一聚合物层（１２），然后固化所述聚合物层（１２）以减少挥发物含量的步骤。

一种用于将电子从阴极（１０）聚焦到阳极（３０）的电子透镜。所述透镜包括第一导电层（３６），所述第一导电层具有与阴极（１０）相隔第一距离（４８）的第一开口（３８）。所述第一导电层（３６）保持在第一电压。所述透镜还包括第二导电层（３２），所...

一种发射器（５０，１００）具有电子源层（１０）和形成在电子源层（１０）上的硅基介质层（２０）。此硅基介质层（２０）最好小于大约５００＊。绝缘层（７８）可选地形成在电子源层（１０）上，并具有确定在其中的窗口，其中形成硅基介质层（２０）。阴...

一种发射器（５０，１００）具有电子源层（１０）和形成在电子源层上的隧穿层（２０）。绝缘层（７８）可选地形成在电子源层上，并具有确定在其中的窗口，其中形成隧穿层。阴极层（１４）被形成在隧穿层上，以便提供电子（１６）和／或光子（１８）的能量...

电气设备的一种具有指示灯（５）和开关（３）的输出／输出装置（１），指示灯的发光部分（２５）和开关的第一和第二微型接点部分（２３）上敷有弹性材料制成的连续膜板（１３），并装设在电路板（７）上，所述膜板上形成有指示灯能将其发光部分发射的光传...

一种探头装置，包括具有衬底的探头组支撑件，在所述衬底上形成具有传导针的探头。探头的主体由合成杆例如Ｌ形杆构成，所述Ｌ形杆通过连接几个臂例如从探头组支撑件的衬底伸出的第一，第二臂形成，它沿平行于衬底表面的方向悬挂于衬底上方。传导针垂直于衬...

多位磁存储单元包括具有一形状的数据存储层，预先选定该形状以提供至少三个畴状态，其中每个畴状态对应着特定的逻辑状态及数据存储层中磁化强度的特定取向。该多位磁存储单元包括具有磁化强度之固定取向的基准层，其是由取向角度定义的，其中预先选定取向...

一种磁存储器单元，包括具有易轴的数据存储层和具有固定于相对易轴的离轴方向的磁化取向的基准层。尽管有在数据存储层的边缘区域的磁化效应，但是这种结构在磁存储器单元的读取操作中增强了信号可获性。此外，采用这种结构，就可以通过使用方形存储器单元...

一种稳定的磁存贮单元，包括：一具有内部区和一对端部区５７—５８的数据存储层５０和稳定材料５５—５６，该端部区靠近该数据存储层５０的一对相对边，该材料固定端部区５７—５８中的磁化至一预定方向。一种用于稳定磁存贮单元的方法，包括施加一磁场的...

可增加半选择裕量的磁存储器包括磁存储单元阵列，每个磁存储单元阵列包括具有易磁化轴的数据存储层和导体阵列，每个导体与易磁化轴之间有一个方向夹角，它预置为可以增加磁存储器中的半选择裕量。方向夹角为使所选的存储单元中的水平写磁场增加而垂直写磁...

在磁性随机访问存储器（ＭＲＡＭ）（８）设备中被选中的存储单元（１２）的阻抗被读电路（２０）检测到，该读电路包含直流注入电荷放大器（２８），积分电路电容器（２４）及数字检测放大器（２６）。直流注入电荷放大器（２８）向积分电路电容器（２４）...

多位磁存储单元（４００）包含第一（４１０）和第二数据层。有一个反铁磁耦合层对（４３０，４５０）介于第一和第二数据层之间。在一个实施例中，第一和第二数据层有不同的矫顽性。存储单元结构包含多个分隔层（４２０，４６０）从而将第一和第二数据层与...

公开了一批测试电路（１０６，１０８，１１０，１１２），其能用来形成一个综合的机内测试系统用于ＭＲＡＭ阵列（１０２）。该测试电路的组合能够检测ＭＡＲＭ阵列的缺陷，包括：开路行（２０９），短路存储器单元（２１１），超越电阻技术规格的存储器单...

读电路检测磁性随机存取存储器中选择的存储单元的电阻，它包括差分放大器，耦合到差分放大器检测节点的第一预放大器和耦合到差分放大器参考节点的第二预放大器。在读操作期间，第一预放大器把调整的电压加到存储单元上，第二预放大器把调整的电压加到参考...

对一个磁随机存取存储器（“ＭＲＡＭ”）器件（８）的一个存储器单元（１２）执行读出操作时，一个相等电位可被施加到一根选定的位线和未选的各位线。在可供选择的比较方案中，一个相等电位可被施加到选定的位线和未选的各字线。

一种磁阻存储元件（１００）包括第一（１１０）和第二（１３０）导电磁层。第一和第二层中其中一层基本上是“Ｈ”或“Ｉ”形。一个隔离层（１２０）被安排在第一和第二层之间。在不同的实施例中，隔离层要么是导电的要么是绝缘的。在不同的实施例中，第一...

磁随机存取存储器（“ＭＲＡＭ”）器件（１００）包括存储器单元（１０４）的阵列（１０２）。尽管由于制造公差和诸如阵列中的温度梯度、电磁干扰和老化之类的其他因素造成电阻的变化，但器件（１００）仍然产生能够用来判断阵列中每个存储器单元的电阻态...

公开一种改进ＭＲＡＭ性能的最佳写入导体布局结构。用于磁存储单元的写入导体布局结构１０包括第一方向Ｖ上具有第一层宽度Ｗ＃－［Ｄ１］和第二方向Ｈ上具有第二层宽度Ｗ＃－［Ｄ２］的数据存储层２０。数据存储层２０放置于在第一方向Ｖ上具有第一宽度Ｗ...

一种数据存储器件包括存储单元的电阻单元交叉点阵列。每个存储器单元包括存储器元件和与存储器元件串联连接的电阻元件。电阻元件在读出操作期间大体衰减流经短路的存储器元件的任何潜通路电流。数据存储器件可以是磁随机存取存储器（“ＭＲＡＭ”）器件。