多位磁存储元件制造技术

多位磁存储单元（４００）包含第一（４１０）和第二数据层。有一个反铁磁耦合层对（４３０，４５０）介于第一和第二数据层之间。在一个实施例中，第一和第二数据层有不同的矫顽性。存储单元结构包含多个分隔层（４２０，４６０）从而将第一和第二数据层与反铁磁耦合层对分隔开来。在一个实施例中，介于反铁磁耦合层对之间的耦合层（４４０）是一种可导、包含钌（Ｒｕ）或铜（Ｃｕ）的金属材料。在一个实施例中，介于每一个第一、第二数据层和反铁磁耦合层对之间的分隔层（４２０，４６０）是不可导的，这样的单元是自旋相关隧道磁阻（ＴＭＲ）单元。作为选择，分隔层（４２０，４６０）是可导的，则这种单元是巨磁阻（ＧＭＲ）单元。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及固定存储器领域。特别是本专利技术引出多位磁存储单元。一类固定存储器依赖于磁阻原理。把特别有用的磁阻效应称为巨磁阻效应。在一个实施例中，基于巨磁阻(GMR)的磁存储单元是由导磁层和一个非导磁性金属层组成的多层结构。单元的磁状态由一个磁层中的磁矢量与另一个磁层(如平行或逆平行)中的磁矢量的相对取向来决定。单元的阻抗根据磁矢量间的相对取向发生变化。因此单元的状态可以通过将电压加到单元上并测量因此产生的传感电流来确定。一类GMR存储单元固定其中一个磁层的磁矢量。包含固定磁矢量的层称为基准层。单元状态就可以通过改变其它磁层中磁矢量的方向来控制。并把非固定的磁层称为数据层。数据层中磁矢量的方向通过一个磁场的应用进行控制，该磁场至少在低场强时对固定层中磁矢量几乎没有影响。将这类单元称为自旋开关(spin valve)单元或巨磁阻单元。自旋相关隧道(spin dependent tunneling)单元使用非传导性的阻挡层如电介质材料来代替介于基准层和数据层之间的金属层。介于基准层和数据层之间的传送机构要通过隧道阻挡层。因此可以把这种单元称为隧道磁阻(TMR)单元。TMR单元能比本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储单元装置包括：由磁性材料构成的第一和第二数据层；以及介于第一和第二数据层之间的一反铁磁耦合层对。

【技术特征摘要】
US 2000-3-9 09/5223081．一种存储单元装置包括由磁性材料构成的第一和第二数据层；以及介于第一和第二数据层之间的一反铁磁耦合层对。2．如权利要求1中所述的装置，其中用高度为G1的第一分隔层将第一数据层与第一基准层分隔开来，用高度为G2的第二分隔层将第二数据层与第二基准层分隔开来，且G1≠G2。3．如权利要求2中所述的装置，其中每一个分隔层是由不可导的非磁性材料构成的阻挡层。4．如权利要求2中所述的装置，其中每一个分隔层由可导的非磁性材料构成。5．如权利要求1、2、3或4中所述的装置，其中第一和第二数据层有不同的矫顽性。6．如权利要求1、2、3或4...

【专利技术属性】
技术研发人员：MK巴塔查里亚，
申请(专利权)人：惠普公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]