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多位磁存储元件制造技术
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文档序号:3086817
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多位磁存储单元(400)包含第一(410)和第二数据层。有一个反铁磁耦合层对(430,450)介于第一和第二数据层之间。在一个实施例中,第一和第二数据层有不同的矫顽性。存储单元结构包含多个分隔层(420,460)从而将第一和第二数据层与反铁...
该专利属于惠普公司所有,仅供学习研究参考,未经过惠普公司授权不得商用。
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