只读存储装置（１００）具有多层（１０２，１０４），其中第一层（１０２）形成在半导体衬底（５１６）上面，而其他一层或多层（１０４）形成在第一层（１０２）上面。每一层具有多个非易失存储单元（１１８），它们包括连接在导电迹线（１１２，１１４）...

一种存储结构，它包括：第一电极（３５、８３５、１３５、３３５、４３５、６３５）；第二电极（３７、２７、１３９ａ、１３９ｂ、３３９ａ、３３９ｂ、４３９ａ、４３９ｂ、６３９ａ、６３９ｂ）；第三电极（３３、８３３、１３３、１４１、３３３、３４...

本发明公开了一种制造亚光刻尺寸通路（３１）的方法。采用双聚合物方法形成聚合物材料叠层，其中第一聚合物层（１１）具有第一蚀刻速率，第二聚合物层（１３）具有第二蚀刻速率。第一蚀刻速率被预先设定为当对第一和第二聚合物层（１１、１３）进行各向同...

一种使用涂覆材料（２０２）来涂覆半导体衬底材料（２０１）的方法，该方法包括以下步骤：将粘合增进剂与涂覆材料（１０５）相混合；以及将该混合物施加到半导体衬底材料（１０６）上。本发明还包括用于将粘合增进剂与涂覆材料相混合的装置以及用于将粘合...

本发明公开一种磁存储器的导体结构。所述导体结构包括一个或几个导体，它们的宽度小于导体与存储单元交叉方向上存储单元的尺寸。导体的厚度被预选成可减小导体的截面积因而增加导体中的电流密度。由于电流密度的增加，流经导体中的减小的电流就能产生足以...

本发明公开了一种加工高密度亚光刻图形的方法。此方法包括使用普通的微电子工艺包括形成亚光刻间隔和镶嵌工艺来在衬底（１１，７１）所含图形的垂直侧壁面上形成一些亚光刻间隔（３３，５３，８３，９３）。此亚光刻间隔（３３，５３，８３，９３）的周期...

本发明包括一种电子存储器结构。该电子存储器结构包括衬底（４１０）。基本上平的第一导体（４２０）与该衬底（４１０）相邻地被形成。一个互连层（４３０）与该第一导体（４２０）相邻地被形成。相变材料元件（４４０）与该互连层（４３０）相邻地被形成...

一种数据存储装置包括电阻存储单元（１７０，１７５）的阵列（１６５）。电阻存储单元（１７０，１７５）可以包括磁隧道结和薄膜二极管（２６０）。所述数据存储装置可以包括与所述阵列（１６５）电连接并且能够监测流经所选选择存储单元（１７５）的信号...

存储单元（１００）隔离的装置及方法。存储单元（１００）包括电阻部件（１１０），例如磁随机存取存储器（ＭＲＡＭ）单元（１１０）；以及隔离部件（１０５），例如四层二极管（１０５）。存储单元（１００）可以包含在存储器阵列（１８０）中。该方法包...

交叉点二极管存储器的电子存储阵列（１１８）中采用的施予者／接受者－有机－结合薄板（６０６）。施予者／接受者－有机－结合薄板（６０６）关于电流的流动是各向异性的，而且在超过临界电流时物理上不稳定。因而，在二维存储阵列网格点上的行线（６０２...

一种磁阻器件（１０）包括具有不同矫顽磁性的第一和第二铁磁层（１２和１４）以及第一和第二层（１２和１４）之间的隔离层（１６）。每个铁磁层（１２和１４）具有在两个方向中的任何一个取向的磁化。

一种存储器的存储装置（１０），包括： 第一和第二存储器单元（１４），每个具有顶端和底端； 第一和第二第一维导体（１６），其中该第一和第二第一维导体基本上是共面并平行且在第一维上延伸，其中该第一第一维导体与该第一存储器单元的底...

本发明公开了用于包含各向异性半导体薄板的写一次存储器的二极管－和－熔丝存储元件。交叉点二极管存储器的电子存储阵列（１１８）中采用的施予者／接受者－有机－结合薄板（６０６）。施予者／接受者－有机－结合薄板（６０６）关于电流的流动是各向异性...

用于照明一个目标物（１４）上的扫描区（４２）的一种照明系统（１０）可以包括一个中空反射器（４６），该中空反射器具有一个内反射面（５４）、一个入射孔径（５６）、和一个出射孔径（５８）。一个光源（４４）设置在中空反射器（４６）的入射孔径（５...

包括用于电子发射装置的新结构和新材料的自对准电子源装置１０可用于高级存储系统。装置１０包括由介质层（１１，１５，１９）分开的发射电极１３、引出电极１７和聚焦电极２１。通过单个光刻步骤和蚀刻处理形成贯穿各电极和介质层并且在发射电极１３终止...

一种信息存储设备（８），包括一个存储器元件（１２）的电阻交叉点阵列（１０）和很多用于在读操作期间阻塞阵列（１０）中的寄生路径电流的设备（２２，２２２）。每个阻塞设备（２２，２２２）连接到阵列中的一组存储器元件（１０）并为其共享。

本发明涉及一种高发射电子发射体。该高发射电子发射体１０包括电子注射层１、与电子注入层１接触的高孔隙度多孔硅材料的活性层３与活性层３接触的低孔隙度多孔硅材料的接触层５并包括带高掺杂区８的界面表面１２、和还可有与接触层５接触的顶电极７。接触...

在基于金属绝缘体半导体或者金属绝缘体金属发射器的电子发射器中，场发射结构被包括在发射器结构内。这种场发射器可以包括一个导电基底和这个导电基底上形成的一个电子供给层。这个电子供给层，例如未掺杂多晶硅，具有一些突出部分，形成在它的表面上。可...

冷电子发射极（２００、２００－１、２００－２、２００－３、２００－１２、２００－１３）可以包括ｎ＋重掺杂的宽带隙区（ＷＢＧ）（２２０）、ｐ掺杂ＷＢＧ区（２３０）、及低功函数金属层（２４０）（ｎ＋－ｐ－Ｍ结构）。此结构的改进包括ｐ区（２３...

冷电子发射极（２００、２００－１、２００－２）包括ｐ型重掺杂的半导体（２３０）、介质层（２４５）及金属层（２４０）（ｐ－Ｄ－Ｍ结构）。此结构的改进包括ｐ区（２３０）下方的ｎ＋型重掺杂区（２２０）（ｎ＋－ｐ－Ｄ－Ｍ结构）。这些结构使得可兼...