一种用于原子分辨率存储系统（２００）的改进的加工方法，其中在晶片薄化加工即研磨和ＣＭＰ之前，在转子晶片（２２０）的介质侧上淀积导电电极（４３４（ｃ）），因而保护介质表面上（４６０）上的导电电极（４３４（ｃ））免受研磨加工的影响。此外，在...

一种用于原子分辨存储（ＡＲＳ）系统（２００）的器件隔离工艺流程，该工艺流程在ＡＲＳ系统（２００）的工艺流程中插入器件隔离，使得二极管（３７０）彼此电绝缘，以改善信噪比。另外，由于在沉积存储数据位的相变层之前对其进行了最苛刻的处理，所以将...

一种用于原子分辨率存储（ＡＲＳ）系统（２００）的改进的加工方法，其中在大部分其它的器件加工之前，在转子晶片（２２０）的介质侧上淀积导电电极（４３４（ｃ））和保护层（３５０），因而保护用作ＡＲＳ存储介质（２２２）的表面（４６０）免受随后的...

通过在由半导体材料层隔开的两个电极导线层的交叉点处建立电路元件来形成存储阵列及其寻址电路。在交叉点处形成的电路元件作为存储阵列的数据存储器件，并且作为用于对阵列中的元件寻址的置换寻址方案的连接线。为了形成寻址电路，在所选的交叉点处这样构...

一种形成结晶的、表面保持原子级光滑的相变层（１００）的方法；以及，按此方法制造的一种原子级光滑的、结晶的相变层（１００）。该方法包括：在基片（６０）上形成相变层（８０），在相变层（８０）上形成厚罩层（９０），将相变层（８０）从非晶相改变...

集成电路（３０）包括具有蚀刻面和非蚀刻面的基片（１０）。蚀刻面包含电路元件（２２，２４）而非蚀刻面包含接合面（１８）。非蚀刻面位于与蚀刻面相距预定高度（１２）之处。将此集成电路（３０）与另一个基片接合，从而在基片间形成最好被抽为真空并气...

提供一种微离子泵（３０８、３１０、３１６、３１８）和制造微离子泵的方法，该位置里边可以包含在低压微型器件微型壳体（３０６）内。微离子泵包括隔开恒定距离的两个电荷板（３０８、３１０），并且这两个电荷板由公知微型芯片制造技术制造，为了产生电...

公开了一种数据存储器，它包括在介电材料衬底上形成的一个交叉点存储阵列。交叉点存储阵列包括第一和第二组横向电极，它们被一个包含至少一个半导体层的存储层所分隔。在每个由第一和第二组电极形成的交叉点处，存储层形成一个非易失性存储元件。通过对经...

在衬底上制作带有多个存储单元的交叉点存储器阵列，每个存储单元包含串联着的二极管和反熔丝。第一和第二导电材料安排在衬底上分离的窄条中，以形成多个带有交叉点的第一和第二垂直相交电极。多个半导体层安排在第一和第二电极之间，以在第一和第二电极交...

数据存储装置（１１０）包括相变存储层（１１２）和作为电子源的纳米管（２１２）的阵列（１１４）。

本发明披露了一种用于制造固态存储器装置的方法，包括：形成所述装置的一个级（３０２）；识别在所述级中的有缺陷的区域（３０４）；以及对所述级的地址逻辑编程，使得避开在所述级中的有缺陷的区域（３０６）。

本发明公开一种低成本的风扇辅助冷却装置。该冷却装置包括一窄的底部和宽的顶部形状以使材料与性能之间的比率达到最佳。多个叶片包围一个中心散热片堆并且叶片的内表面限定一个包围散热片堆的腔室。每一个叶片的一部分被分成多个鳍片并且叶片和鳍片的表面...

存储器阵列（１００）包括位于第一（３０）和第二（５０）导体的交叉点处的存储单元（１０）。存储单元（１０）是复合结构，它能够存储数据，能将存储单元（１０）和潜通路电流隔离开。存储单元（１０）包括隧道栅极表面效应晶体管，该晶体管有不均匀栅极...

一种制造穿过基片（１０２、１２０、１２２、１２４、１２７）的流体通道（１２６）的方法，包括在该基片的第一表面上蚀刻（１４０、３７０）一外露部段并对该基片的蚀刻部段进行涂布（１４２、３７０）。交替重复蚀刻和涂布（３７０、３９０、５９０），...

一种磁随机存取存储器（ＭＲＡＭ）（１０）包括单元（１４）的阵列（１２）；和在该阵列（１２）第一侧的多个第一导体。第一导体沿着第一方向延伸并偏移至少若干存储器单元（１４）。

一种磁存储单元（１０）包括串连的第一和第二磁阻器件（１２，１４）。第一和第二磁阻器件（１２，１４）具有不同的矫顽磁力（Ｌ１，Ｌ２）的第一和第二传感层（１８，１４）。磁随机存取存储器（ＭＲＡＭ）器件（８１２）可以包括这些存储单元（１０）的...

一种存储器件包含薄膜晶体管存储单元的存储器阵列。存储单元包括被绝缘体分隔于栅线的栅电极部分的浮栅。栅电极部分包括在施加写入电压时通过绝缘体扩散的扩散性导体。扩散性导体形成通过绝缘体的导电路径，使栅线耦合到浮栅，改变了栅电容因而也是存储单...

公开了一种使电阻性阵列中信噪比最大化的方法，包括：在行和列的矩阵（４０）中将多个存储单元（４２）彼此隔开，对每个存储单元（４２）选择一个结电阻（Ｒ）；将每个行导线连接在行（４４）中的存储单元（４２）之间，并在存储单元（４２）之间选择一个...

一种磁阻器件（１０）包括具有不同矫顽磁性的数据层和参考层（１２和１４）。每层具有在两个方向中的一个取向的磁化。通过将基准层的磁化临时地设置为已知的取向（１１０，２１０）并确定器件的电阻状态（１１２，２１２）可以读取存储器件（１０）。

一种含有熔断器和电阻器的垂直取向的超小型电路（１００，３００）可以达到相当高的密度，该垂直取向的超小型电路（１００，３００）可以采用类如Ｄａｍａｓｃｅｎｅ、湿刻蚀、活性刻蚀等的已知标准方法制成，因此除了需要现成的近代化设备外，几乎不需要...