与基于ＰＥＭ的电池相比，ＳＯＦＣ（１０）可提供：更高的能量密度；直接对燃料进行氧化和／或内部重整的可能性；以及降低的ＳＯＦＣ工作温度。ＳＯＦＣ（１０）包括薄膜电解质层（１２）。在电解质层（１２）的一个表面（１４）上布置了厚膜阳极层（１８...

本发明属于一种半导体器件领域的发光二极管。其特征在于它包含第一导电性的半导体基层，一个基本的铝镓铟磷双异体，以及带第二导电性的两窗层半导体窗层结构，窗层部分则由一层砷化镓和一层磷化镓组成。先将第一窗层砷化镓以有机金属源气相外延（ＯＭＶＰ...

一种包含在集成电路上的电源检测电路（１００），用于当电源（１０４）获得预定电压电平时产生一从第一状态改变为第二状态的输出信号。输出信号被用于使集成电路上的电子电路预置为初始化状态。电源检测电路在电源电压（１０４）关断后立即接通时能产生输...

一种低电感集成电路封装（１０）例如球栅阵列。为了减少由安装在封装内的集成电路引起的电磁干扰（ＥＭＩ），滤波器件（３０）连接到至少一个连通集成电路的电源线和接地线（４０，４２）。在优选实施例中，多个滤波电容（３０）连接在封装的腔（２０）内...

本具有增大其磁阻的构形和／或分界层３０—３２的一种隧道结１０。这种隧道结１０的构形使来自具有强极化的铁磁晶粒区域的自旋隧道效应最强，而使在晶粒边界处的缺陷散射效应最弱。分界层３０—３２增强了隧道结１０中靠近与隔离层１４的分界面的铁磁层的...

一种多层陶瓷构件（１０Ｂ），其具有加工和烧制的上和下生坯陶瓷层（１６Ｂ、１８Ｂ）。中间生坯陶瓷层（６６）经过机加工，在加工区域上布置有导体（５２、５４、５６），并经过层压和烧制以形成一封闭层（６６）。各层（１６Ｂ、６６、１８Ｂ）中彼此相...

一种处理半导体衬底（５０）以便提高其抗破裂强度的方法和一种用这种方法形成的半导体衬底（５０）。在最佳实施例中，半导体衬底（５０）用在打印头（４０）中。半导体衬底（５０）具有在其中加工成的特定结构，例如墨水注入通道，并且在机械加工后处理该...

用来使制作在具有不利结晶生长形貌的下层上的非晶膜结晶的方法，包括提供有利生长的衬底，然后在有利生长的衬底的引晶表面上制作第一不利生长层。在第一不利生长层中腐蚀出窗口，使窗口向下延伸穿过第一不利生长层达及引晶表面，从而暴露部分引晶表面。然...

信息存储器件（１００）包括阴极导电介质（１０４）和与介质（１０４）接触的电极对（１０６和１０８）。数据存储区域位于电极对（１０６和１０８）之间的区域内。通过在电极（１０６和１０８）之间产生一个电场，电子束扫描穿过存储区，并监测载流子产生...

通过施加电压的方法增加有缺陷的隧道结（３０）的标称电阻值。通过应用一个或更多的电压周波到有缺陷的隧道结（３０）进行电压施加的方法。

一种磁隧道结（３０）包括具有不完全处理（例如欠氧化）的基底材料的隧道层（４０）。这种磁隧道结（３０）可用于磁随机存取存储（“ＭＲＡＭ”）器件（８）中。

本发明提供了基于二极管和阴极导电性以及阴极发光的数据存储介质。一种超高密度数据存储装置，包括至少一个能量沟通元件（１２０）和通常包括至少一个整流结的存储介质（４０）。能量沟通元件（１２０）一般能够发射例如但不限于热能、光能和电子能。能量...

一种使用铟的硫系化物、镓的硫系化物、和铟－镓的硫系化物薄膜的超高密度数据存储介质（９０２），其目的是：形成一些起着光电导、光生伏打、或光致发光的半导体器件作用的位存储区（９０４），当暴露于电磁辐射下时这些位存储区就产生电信号；或形成一些...

电子源（１０２）包括用于进行电子发射的平面发射区（１１４），以及将电子发射聚焦成为电子束的聚焦结构（１１８，１２０）。

本发明提供具有多个部分（１０５，１０７）的公共衬底（１０２）；每部分构成单独的存储器件（２０）层。衬底上设置折线（１０８）来限定部分（１０５，１０７）并且提供把各部分互相折叠以形成多层存储器件的装置。衬底具有通过改变衬底材料而形成的折线...

工作在真空中的信息存储单元（１０）包括具有信息存储区（３０ａ、３０ｂ）的数据存储介质（２８）以便在其上存储和读出信息。电子束发射器（２０）阵列与数据存储介质（２８）隔开但紧密靠近以便有选择地将多个电子束（２１）导向数据存储介质（２８）。...

一种将磁性存储器器件顶部导体的二侧或三侧包覆在铁磁材料中的方法，此方法包括在存储器器件上的涂层中制作具有侧壁的沟槽。沿沟槽的侧壁淀积第一铁磁材料。沟槽底部中的任何铁磁材料能够被清除。导体材料被淀积在存储器器件上的沟槽中。第二铁磁材料被淀...

公开了一种硒化反应，用来将一个或多个有源衬底键合到基底衬底。借助于在有源衬底Ａ的键合表面１２上形成由硒和铟组成的第一多层叠层１５以及在基底衬底Ｂ的安装表面１４上形成由硒和铟组成的第二多层叠层１７，来制造键合衬底。使第一和第二多层叠层（１...

公开一种隧道结（１０），具有包层的读导线，由用于被动态钉扎的软参考层的高磁导率软磁材料形成。隧道结包括数据层（１１）、形成在数据层上的势垒层（１３）、形成在势垒层上的盖层（１５）和形成在盖层上的软参考层（１７）。软参考层（１７）包括读导...

公开了一种用磁力形成导体图案的方法。所述方法包括：把磁化图案传递到磁性材料中；以及在所述磁性材料上淀积物质，所述物质优先按照磁性材料中的图案聚集。然后形成一组导体，使得所述物质控制所述导体的图案。