一种包括一熔断器（１３０，３３０）和一抗熔断器（１８０，３８０）串联的一次可编程存储单元（１００，３００），该存储单元有两种状态：一初始状态和一已写（已编程）状态，在初始状态中，单元的电阻是有限的，一般以抗熔断器的较高电阻为主，而在已写...

一种存储器件（１０）包括具有串联的两个隧道结（１３４、２３４、１３６、２３６）的存储单元（１３０、２３０）。为了给被选存储单元（１３０、２３０）编程，被选存储单元（１３０、２３０）中的第一隧道结（１３４、２３４）被击穿。击穿第一隧道结（...

通过形成钉扎层和传感层（２０６和２１０）；并重新设置至少一层的磁化向量（２２０），来制造磁性隧道结。

测试阵列（１００，２００）包含行导体（１１０，２１０），列导体（１２０，２２０）和位于行导体与列导体交点上的存储单元（１３０，２３０）。测试阵列（１００，２００）可使成组（１２４，２１４，２２４）的行导体（１１０，２１０）或列导体（１２...

数据存储媒体（２０）包括多个叠层（３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１４０、１６０、１８０）。叠层（３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１４０、１６０、１８０）可以是导电的、绝缘的、电阻的、或者能够在两种或多种状态或相之间...

一种数据存储单元包括具有多个存储区４５的数据存储层４２，其上设置有在多种状态间变化的介质以便写入和读出信息。光束发射器阵列４３在极靠近数据存储层４２处与其隔开。存储层邻近的层ＬＡＳＬ４７对光束作出响应产生载流子。把光束４６射向数据存储层...

随机存取存储设备包括存储阵列的一个或多个相互重叠往上堆放的平面。每个平面都能单独被生产，并且在该平面里的每个阵列都能分别被使能／禁止。用这种方式，在该平面里的每个存储阵列都能被单独测试，有缺陷的存储阵列可被筛选掉，这样就增加了最终成品率...

一种超高密度数据存储设备，它包括用本地化的基本能量源（１２０）来写入和来读出的纳米级存储区域（１３０，１４０）。经由一个较少本地化的辅助能源（５０，６０，７０），通过提供附加能量到该存储区域（１３０，１４０）可写入该存储区域（１３０，１...

一种存储阵列（１００，２００），包括： 多个存储单元（１３０，２３０）； 多个连接到存储单元（１３０，２３０）的字线（１１０，２１０）；以及 多个连接到存储单元（１３０，２３０）的位线（１２０，２２０），其中字线（１１...

一种存储器存储装置，它包括： 交叉点存储器阵列（２５），其中，该交叉点存储器阵列（２５）包括在多个交叉点相交的第一（２５７）和第二（２５８）组横置电极； 在每个交叉点的存储器元件（２６），每个所述存储器元件（２６）都可在高阻...

用于超高密度存储系统中的场发射器件（１００）。发射器件（１００）包括发射电极（１１２），提取电极（１２０），利用肖特基金属－半导体结或势垒（１１４，１１６）的场控制固态发射器。势垒（１１４，１１６）形成在发射电极（１１２）上，和该提取电...

本发明披露了一种场发射平面电子发射器件（１００），其具有发射电极（１１２），提取电极（１２０），以及和该发射电极、提取电极电连接的平面发射器电子发射层（２１４）。该平面电子发射器（２１４）的构型使得优先于其外部区域的电子发射而偏重其中心...

一种用来在初期半导体器件或其它微米器件或纳米器件的聚合物层（４０２，５０２）中制作微米和亚微米尺寸的特征的方法和系统。用具有相应侵入体（２０４－２０７）的光机械压模（４０３，５０３）来直接印制小的特征。借助于通过光机械压模透射ＵＶ辐照而...

一种制出穿通基底（６０）的开口（５０／５０’／１５０／１５０’）的方法包括：从第一侧（６２）蚀刻到基底（６０）内形成开口的第一部分（５２／１５２），从与第一侧相反的第二侧（６４）蚀刻到基底（６０）内形成开口的第二部分（５４／１５４），从...

提供了集成电路和制造它们的方法。特别是，提供了具有屏蔽单元的集成电路。

本发明包括存储单元装置和形成存储单元的方法。存储单元装置包括柔性混合存储元件。柔性混合存储元件包括靠近柔性衬底形成的柔性第一导电层。柔性二极管结构靠近柔性第一导体形成。柔性开关靠近柔性二极管结构形成。柔性第二导电层靠近柔性开关形成。柔性...

描述了存储器系统（１０）以及制造该存储器系统（１０）的方法。在一个方面，存储器系统（１０）包括多个存储器层（１２），它们在制造时可以相同，而在安排存储器层（１２）到三维堆栈内之前或之后可以容易地定制，使得数据可以独立于其它层（１２）发送...

本发明公开了一种用于相变介质存储装置（１０）的低热耗小接触面积电极结构。存储装置包括复合电极（１２），其包括介电芯棒（１３），介电芯棒与基底（１１）连接并具有在顶点（Ｖ）终止的锥形形状。导电材料（１５）均匀地覆盖介电芯棒并终止于尖端（Ｔ...

一种存储器结构包括第一电极（８３５、２３５、３３５、４３５、５３５、６３５、７４３）、具有边的第二电极（２７、２３９ａ、２３９ｂ、３３９ａ、３３９ｂ、４３９ａ、４３９ｂ、５３９ａ、５３９ｂ、６３９ａ、６３９ｂ、７３５）、第三电极（４３、...

一种存储器结构包括第一电极（３５、１３５、２３５、３３５、４３５、５３５、６３５、７４３）、第二电极（３９、１３９、２３９ａ、２３９ｂ、３３９ａ、３３９ｂ、４３９ａ、４３９ｂ、５３９ａ、５３９ｂ、６３９ａ、６３９ｂ、７３５）、第三电极（...